Полимеры для нанолитографии. Новая стратегия и синтеза сополимеров производных малеимида, норборнена и стирола с боковыми гексафторизопропанольными и трет-бутилкарбонатными группами [Текст] / А. Я. Вайнер [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 1, май. - С. 62-65. - Библиогр.: с. 65
УДК
ББК 24.7
Рубрики: Химия
   Химия высокомолекулярных соединений

Кл.слова (ненормированные):
интегральные схемы -- фотолитографический процесс -- синтез полимеров -- нанолитография -- радикальная сополимеризация
Аннотация: Предложена новая стратегия дизайна и синтеза полимеров для нанолитографии, адекватных технологий с экспонирующим излучением на длине волны 248 нм и позволяющих реализовать микросхемы с суб-0. 1 мкм минимальными размерами.


Доп.точки доступа:
Вайнер, А. Я.; Дюмаев, К. М.; Еремина, Л. А.; Машанский, Ф. И.; Менделева, Ю. А.; Тарнопольский, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Салащенко, Н. Н. (чл.-кор. РАН).
    Коротковолновая проекционная нанолитография [Текст] / Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало // Вестник Российской академии наук. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 450-457 : 6 рис. - Библиогр.: с. 456-457 (31 назв. )
УДК
ББК 37.83
Рубрики: Полиграфическая промышленность
   Плоская печать

Кл.слова (ненормированные):
диапазоны коротковолновые -- диапазоны ультрафиолетовые -- коротковолновые диапазоны -- микроэлектронная промышленность -- нанолитография -- нанолитография проекционная -- области спектра -- проекционная нанолитография -- промышленность микроэлектронная -- спектры -- ультрафиолетовые диапазоны
Аннотация: На одном из заседаний Президиума РАН рассматривались проводимые в Институте физики микроструктур РАН работы по нанолитографии в ультракороткой области спектра, которым и посвящена публикуемая ниже статья. Результаты этих работ, по мнению участников заседания, можно реально использовать для возрождения отечественной микроэлектронной промышленности.


Доп.точки доступа:
Чхало, Н. И. (канд. физ.-матем. наук)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Загрязнение поверхности и время жизни оптики для ЭУФ-нанолитографии [Текст] / Н. С. Фараджев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 34-38 : Рис. - Библиогр.: c. 38 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 24.58
Рубрики: Химия
   Физическая химия поверхностных явлений

Кл.слова (ненормированные):
зеркала -- литография экстремального ультрафиолета -- многослойные структуры -- нанотехнологии -- оптические поверхности -- отражение света -- расчетные данные -- углеводородные пленки -- углеродные пленки -- экспериментальные данные -- ЭУФ-нанолитография
Аннотация: В работе обсуждаются элементарные процессы, приводящие к загрязнению поверхности оптики литографии экстремального ультрафиолета.


Доп.точки доступа:
Фараджев, Н. С.; Хилл, Ш. Б.; Лукаторто, Т. Б.; Якшинский, Б. В.; Мэди, Т. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Растворимые циклополимеры на основе 1, 1, 2, 3, 3-пентафтор-4- (1, 1, 1, 3, 3, 3-гексафтор-2-гидрокси-2пропил) -1, 6-гептадиена: синтез и химические превращения [Текст] / А. Я. Вайнер [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 435, N 1, ноябрь. - С. 49-52. . - Библиогр.: с. 52 (15 назв. )
УДК
ББК 24.7
Рубрики: Химия
   Химия высокомолекулярных соединений

Кл.слова (ненормированные):
полимеры -- циклополимеры -- химические превращения -- синтез полимеров -- нанолитография -- растворимые циклополимеры -- фоторезисты
Аннотация: Предложена новая стратегия дизайна и синтеза полимеров для нанолитографии, адекватных технологий с экспонирующим излучением на длине волны 193 нм и позволяющих реализовать микросхемы с 65-нанометровыми топологическими нормами.


Доп.точки доступа:
Вайнер, А. Я.; Дюмаев, К. М.; Еремина, Л. А.; Зеликсон, К. И.; Пинчук, Е. М.; Штурман, М. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Шурыгина, В.
    Печатная электроника [Текст] : что это такое, как она создается, чего от нее ждать. Ч. 1 / В. Шурыгина // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2010. - N 3. - С. 12-19.
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
   Радиоэлектроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
печатная электроника -- технология печати -- струйная печать -- нанолитография -- печатные проводящие линии
Аннотация: Что достигнуто в области печатной электроники, и какие препятствия стоят на пути развития этой новой отрасли, которая, по мнению многих экспертов, по объему производства может превзойти полупроводниковую промышленность.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)




    Балыкин, В. И.
    Атомная оптика и ее приложения [Текст] / В. И. Балыкин // Вестник Российской академии наук. - 2011. - Т. 81, N 4. - С. 291-301. : 8 рис. - Библиогр.: с. 300-301 (21 назв. )
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
атомная интерферометрия -- атомная оптика -- лазерное охлаждение -- локализация атомов -- нанолитография -- оптика материальных частиц
Аннотация: Атомная оптика оформилась в самостоятельную физическую дисциплину лишь в середине 1990-х годов. Предпосылкой тому послужили результаты исследований по воздействию сил светового давления лазерного излучения на поступательное движение атомов. Перспективам развития нового типа оптики материальных частиц было посвящено одно из заседаний Президиума РАН. Публикуемая ниже статья написана на основе научного сообщения, заслушанного на этом заседании.


Доп.точки доступа:
Российская академия наук \президиум ран\; РАН; Заседание Президиума РАН

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Новые полифенолы флуоренового ряда и позитивные фоторезисты на их основе для 22-нанометровой литографии [Текст] / А. Я. Вайнер [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 442, № 2. - С. 195-199. - Библиогр.: с. 199 . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 24.552
Рубрики: Химия
   Фотохимия

Кл.слова (ненормированные):
экстремальная ультрафиолетовая нанолитография -- полифенолы -- пленкообразующие свойства соединений
Аннотация: Предложена новая стратегия синтеза полифенольных производных флуорена в качестве основы позитивных резистов для нанометровой литографии.


Доп.точки доступа:
Вайнер, А. Я.; Дюмаев, К. М.; Коваленко, А. М.; Давидович, М. З.; Зеликсон, К. И.; Пинчук, Е. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Лазерно-плазменный источник ЭУФ-излучения для проекционной нанолитографии [Текст] / С. Ю. Зуев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С. 9-13 : рис. - Библиогр.: с. 13 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
виньетирование -- коэффициент конверсии энергии -- лазерная плазма -- лазерно-плазменный источник ЭУФ-излучения -- молибденовые мишени -- проекционная нанолитография -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Сообщается о лабораторном источнике экстремального ультрафиолетового излучения на основе лазерной плазмы, оптимизированном для применения в исследовательском стенде нанолитографии на длине волны 13. 5 нм. Приводятся основные технические характеристики источника. При работе с молибденовой мишенью измеренный коэффициент конверсии энергии лазерного излучения в излучение с центральной длиной волны 13. 5 нм в полупространство и в 2%-ной спектральной полосе составил 0. 03%.


Доп.точки доступа:
Зуев, С. Ю.; Пестов, А. Е.; Салащенко, Н. Н.; Суслов, Л. А.; Торопов, М. Н.; Чхало, Н. И.; Щербаков, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Витковский, В. О.
    Расщепление атомных пучков светом для создания пространственных структур высокого разрешения в оптической нанолитографии [Текст] / В. О. Витковский, С. В. Пранц // Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 114, № 1. - С. 57-64 : граф., схема. - Библиогр.: с. 64 (20 назв.) . - ISSN 0030-4034
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомные пучки -- дифракция волновых пакетов -- лазерные волны -- нанолитография -- оптическая нанолитография -- пространственные структуры -- расщепление атомных пучков -- световое расщепление -- структуры высокого разрешения
Аннотация: Теоретически и численно исследуется дифракция атомных волновых пакетов на лазерной стоячей волне с гауссовым профилем с целью создания пространственных структур высокого разрешения в оптической нанолитографии.


Доп.точки доступа:
Пранц, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Нанолитография металлических структур с применение фуллеренов [Текст] / С. А. Гусев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 60-66 : рис. - Библиогр.: c. 66 (26 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 30.3
Рубрики: Техника
   Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
металлические наноструктуры -- полиметилметакрилат -- ферромагнитные материалы -- фуллерены -- электронно-лучевая литография
Аннотация: Развита методика применения фуллеренов C[60] в качестве высокоразрешающих резистов для электронной литографии. Определены основные литографические характеристики фуллеренов при облучении их электронами с энергией от 1 до 100 кэВ. Экспериментально продемонстрирована возможность формирования металлических наноструктур с разрешающей способностью порядка 10 нм.


Доп.точки доступа:
Гусев, С. А.; Вдовичев, С. Н.; Дроздов, М. Н.; Климов, А. Ю.; Рогов, В. В.; Скороходов, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography [Text] / S. N. Rodin, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2333 . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные):
GaN -- доклады -- ионно-лучевая нанолитография -- конференции -- нитрид галлия -- селективная эпитаксия -- субмикронные окна
Аннотация: Показано существенное различие в механизме роста пространственно замкнутых структур нитрида галлия при селективном росте в субмикронных окнах с проникновением и без проникновения в подслой GaN.


Доп.точки доступа:
Rodin, S. N.; Lundin, W. V.; Tsatsulnikov, A. F.; Sakharov, A. V.; Usov, S. O.; Levitskii, I. V.; Evtikhiev, V. P.; Kaliteevski, M. A.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)