Константинова, Е. А.
    Исследование процесса генерации синглетного кислорода в ансамблях фотовозбужденных нанокристаллов кремния методом электронного парамагнитного резонанса [Текст] / Е. А. Константинова, В. А. Демин, В. Ю. Тимошенко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 3. - С. 557-566. . - Библиогр.: с. 566
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
генерация синглетного кислорода -- кислород -- синглетный кислород -- кремний -- электронный парамагнитный резонанс -- метод электронного парамагнитного резонанса -- нанокристаллы кремния -- фотовозбужденные нанокристаллы кремния
Аннотация: Методом электронного парамагнитного резонанса изучен процесс генерации синглетного кислорода в ансамблях фотовозбужденных нанокристаллов кремния.


Доп.точки доступа:
Демин, В. А.; Тимошенко, В. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Демин, В. А.
    Люминесцентные и фотосенсибилизационные свойства ансамблей нанокристаллов кремния в рамках модели экситонной миграции [Текст] / В. А. Демин, Е. А. Константинова, П. К. Кашкаров // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып. 5. - С. 939-954. . - Библиогр.: с. 953-954
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
ансамбли нанокристаллов кремния -- нанокристаллы кремния -- кремний -- люминесцентные свойства -- фотосенсибилизационные свойства -- экситонная миграция -- миграции -- модели релаксационных процессов -- количественные модели -- релаксационные процессы -- синглетный кислород -- кислород
Аннотация: Разработана количественная модель релаксационных процессов в ансамблях кремниевых нанокристаллов с учетом экситонной миграции. В рамках предложенной модели выполнено теоретическое описание процесса фотосесибилизации синглетного кислорода на поверхности кремниевых нанокристаллов при различных внешних условиях.


Доп.точки доступа:
Константинова, Е. А.; Кашкаров, П. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Особенности формирования нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO[2], имплантированных ионами Si [Текст] / Н. Н. Овсюк [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 644-647. . - Библиогр.: c. 647 (22 назв. )
УДК
ББК 22.32 + 22.345
Рубрики: Физика
   Акустика в целом

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
акустические колебания -- акустические фононы -- зародышеообразование в минералах -- ионно-лучевой синтез -- комбинационное рассеяние света -- кристаллические зародыши -- нанокристаллы кремния -- низкочастотное комбинационное рассеяние -- отжиг -- электронная микроскопия
Аннотация: Исследовано влияние отжига на ионно-лучевой синтез нанокристаллов кремния в слоях SiO[2] с помощью низкочастотного комбинационного рассеяния (КР). Низкочастотное КР использовали потому, что возникновение в матрице стекла кристаллических зародышей приводит к дополнительному вкладу в плотность низкочастотных акустических колебательных состояний, обусловленному поверхностными модами колебаний этих зародышей. Электронная микроскопия, вопреки ожиданиям, выявила снижение, а не увеличение размеров зародышей при отжиге. Низкочастотное КР показало, что в образце присутствует не плавное распределение, а два выделенных размера наночастиц 3 и 6 нм.


Доп.точки доступа:
Овсюк, Н. Н.; Venu Mankad; Sanjeev K. Gupta; Prafulla K. Jha; Качурин, Г. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы [Текст] / В. А. Беляков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1130-1132. . - Библиогр.: c. 1132 (11 назв. )
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
дефекты кристаллов -- излучательная рекомбинация -- кремний -- легирование -- межзонные переходы -- нанокристаллы кремния
Аннотация: Показано, что темп излучательной рекомбинации в нанокристаллах кремния возрастает при легировании их донорами. При этом рост оказывается более существенным, если на поверхности нанокристалла есть большое количество дефектов, способных захватывать электроны, эмитированные с доноров.


Доп.точки доступа:
Беляков, В. А.; Конаков, А. А.; Курова, Н. В.; Сидоренко, К. В.; Бурдов, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния [Текст] / А. Н. Михайлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 243-246. - Библиогр.: c. 246 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3 + 22.37
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
вакуумное осаждение нанопериодических структур -- ионная имплантация -- люминесцентные свойства -- многослойные массивы НКК -- нанокристаллы кремния -- наночастицы золота -- однослойные массивы НКК -- светоизлучающие нанокристаллы
Аннотация: Путем анализа спектров оптического пропускания установлена возможность ионно-лучевого формирования и оценены параметры наночастиц золота в матрицах SiO[2] и Al[2]O[3] с предварительно синтезированными однослойными и многослойными массивами нанокристаллов кремния. Показано, что люминесцентные свойства нанокристаллов Si сохраняются при облучении ионами золота.


Доп.точки доступа:
Михайлов, А. Н.; Костюк, А. Б.; Королев, Д. С.; Жаворонков, И. Ю.; Чугров, И. А.; Белов, А. И.; Бурдов, В. А.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Володин, В. А.
    Улучшенная модель локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния [Текст] / В. А. Володин, В. А. Сачков // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 1. - С. 100-108. - Библиогр.: с. 107-108 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
модель локализации -- локализация оптических фононов -- оптические фононы -- нанокристаллы кремния -- кремний -- спектры комбинационного рассеяния -- свет -- комбинационное рассеяние -- рассеяние света -- фононы
Аннотация: Развита модель расчета спектров комбинационного рассеяния света на фононах, локализованных в нанокристаллах кремния.


Доп.точки доступа:
Сачков, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Овсюк, Н. Н.
    Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние нанопорошков кремния [Текст] / Н. Н. Овсюк, В. А. Володин, Prafulla K. Jha // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1204-1207. - Библиогр.: c. 1207 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.32 + 22.345
Рубрики: Физика
   Акустика в целом

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
диоксид кремния -- дисперсия фотонов -- комбинационное рассеяние света -- нанокристаллы кремния -- нанопорошки -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- фотолюминесценция -- электронная микроскопия
Аннотация: Исследованы нанопорошки, полученные испарением массивного образца кремния мощным пучком электронов с энергией 1. 4 МэВ. Нанопорошки были исследованы методами фотолюминесценции (ФЛ) и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР). При моделировании спектров ФЛ оказалось, что зависимости энергии рекомбинации для нанокристаллов в вакууме и в оболочке диоксида кремния получились близкими, что позволило определить средний радиус частиц, который совпал с оценками, полученными из анализа спектров КР с использованием улучшенной модели локализации фононов при учете дисперсии фононов не только по величине квазиимпульса, но и по направлению.


Доп.точки доступа:
Володин, В. А.; Prafulla K. Jha

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Effect of surface Si-Si dimers on photoluminescence of silicon nanocrystals in the silicon dioxide matrix [Text] / O. B. Gusev [et al.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 145, вып. 5. - С. 830-837 : 7 рис. - Библиогр.: с. 837 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
димеры -- кремниевые нанокристаллы -- кремний -- матрица диоксида кремния -- нанокристаллы кремния -- поверхностные Si-Si димеры -- фотолюминесценция


Доп.точки доступа:
Gusev, O. B.; Ershov, A. V.; Grachev, D. A.; Andreev, B. A.; Yablonskiy, A. N.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Магомедов, М. Н.
    Изменение термодинамических свойств при изохорическом и изобарическом уменьшении размера нанокристалла кремния [Текст] / М. Н. Магомедов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 4. - С. 757-764 : 3 табл. - Библиогр. в конце ст. (35 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
изобарическое уменьшение размера -- изохорическое уменьшение размера -- кремний -- кристаллография в целом -- нанокристаллы кремния -- размеры нанокристаллов -- термодинамические свойства
Аннотация: Рассчитано уравнение состояния и барические зависимости как решеточных, так и поверхностных свойств для макро- и для нанокристаллов кремния.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Дербенева, Н. В.
    Влияние галогеновой пассивации поверхности на излучательные и безызлучательные переходы в кремниевых нанокристаллах [Текст] / Н. В. Дербенева, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 156, вып. 2. - С. 283-290. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые нанокристаллы -- межзонная излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- оже-рекомбинация -- теория функционала плотности -- электронная структура
Аннотация: Исследовано воздействие поверхностного галогенирования нанокристаллов кремния на межзонную излучательную рекомбинацию и оже-рекомбинацию.


Доп.точки доступа:
Конаков, А. А.; Бурдов, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)