Фазовые переходы в неравновесных электронно-дырочных системах наногетероструктур Si/SiGe/Si [Текст] / Т. М. Бурбаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 76-78. . - Библиогр.: c. 78 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры Si/SiGe/Si -- фотолюминесценция -- конденсация -- свободные экситоны -- электронно-дырочные системы -- твердые растворы -- электронно-дырочная жидкость -- переход Мотта -- Мотта переход Аннотация: Методом спектроскопии низкотемпературной фотолюминесценции исследована конденсация экситонов в слое твердого раствора Si[1-x]Ge[x] гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]/Si с образованием электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ). Доп.точки доступа: Бурбаев, Т. М.; Зайцев, В. В.; Кубатов, В. А.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Рзаев, М. М.; Сибельдин, Н. Н.; Цветков, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |