Механизмы переноса заряда и магнетосопротивления в CuInSe[2] [Текст] / А. Х. Матиев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 9. - С. 1382-1383. . - Библиогр.: c. 1383 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- монокристаллы CuInSe[2] -- примесная проводимость -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- температурное расширение -- электрическое сопротивление -- электропроводность Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электропроводности и магнетосопротивления монокристаллов CuInSe[2] n- и р-типов проводимости в области температур 4. 2-300 К и магнитных полей до 6 Тл. Установлено, что механизм прыжковой проводимости доминирует в интервале температур 4. 2-100 К. В окрестностях Т~60 К наблюдается особенность в поведении проводимости, которой соответствует изменение знака магнетосопротивления. Доп.точки доступа: Матиев, А. Х.; Георгобиани, А. Н.; Кодин, В. В.; Матиев, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |