Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика. Доп.точки доступа: Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 5. - С. 653-658 : рис. - Библиогр.: c. 658 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): аморфный диоксид кремния -- быстрые ионы -- модель термического пика -- нанопористые материалы -- параметры трекообразования -- просвечивающая электронная микроскопия -- фтористоводородная кислота -- химическое травление Аннотация: Исследованы процессы создания нанопористых слоев SiO[2] на Si путем облучения термически оксидированных подложек кремния быстрыми ионами с последующей химической обработкой в растворах или парах фтористоводородной кислоты. Показано, что плотность, форму, диаметр и соотношение длина/диаметр вытравленных в диоксиде кремния каналов можно контролировать, изменяя режимы облучения быстрыми ионами или химической обработки структур SiO[2]/Si. Проведено сравнение параметров трекообразования, рассчитанных в рамках модели термического пика, с данными химического травления. Доп.точки доступа: Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Тухлиев, З. К. (Объединенный институт ядерных исследований, лаборатория информационных технологий, Россия). Моделирование фазовых переходов в материалах при облучении тяжелыми ионами высоких энергий [Текст] / З. К. Тухлиев> // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 12. - С. 60-64 : 4 рис. - Библиогр.: с. 64 (9 назв. ) . - ISSN 0234-0879
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): термический пик -- модель термического пика -- фазовый переход -- энтальпия Аннотация: В работе проведено исследование тепловых процессов в никеле при облучении его тяжелыми ионами урана в рамках модели термического пика с учетом фазовых переходов. Моделирование динамики фазовых переходов осуществляется на основе задачи стефана в рамках энтальпийного подхода. Численным моделированием получены размеры областей, где происходит процесс плавления, и проведен сравнительный анализ с моделью, где не учитываются фазовые переходы. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |