Россоленко, С. Н. Анализ профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова [Текст]. Ч. 2 / С. Н. Россоленко, В. Н. Курлов, А. А. Асрян // Материаловедение. - 2008. - N 10. - С. 2-8. . - Начало: N 9
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание кристаллов -- способ Степанова -- Степанова способ -- малые мениски расплавов -- кристаллические ленты -- выращивание сапфиров Аннотация: Исследованы профильные кривые малых менисков расплава, характерные для процессов выращивания кристаллических капилляров и волокон по способу Степанова. Доп.точки доступа: Курлов, В. Н.; Асрян, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Россоленко, С. Н. Исследование профильных кривых менисков для процесса выращивания кристаллов по способу Степанова [Текст] / С. Н. Россоленко, В. Н. Курлов, А. А. Асрян // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1398-1402 : Рис. - Библиогр.: c. 1402 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): внешние круговые мениски -- внутренние круговые мениски -- кристаллические трубы -- кристаллы сапфира -- Лапласа уравнение -- мениски -- рост кристаллов из расплава -- сапфировые трубы -- способ Степанова -- Степанова способ -- уравнение Лапласа Аннотация: Исследовано поведение профильных кривых менисков расплава для случая выращивания способом Степанова сапфировых труб различных диаметров. Доп.точки доступа: Курлов, В. Н.; Асрян, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Анализ характеристик профильных кривых менисков при росте базисноограненных сапфировых лент [Текст] / А. А. Асрин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1412-1416. - Библиогр.: c. 1416 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): анизотропия поверхностной энергии -- базисноограненные ленты -- капиллярное формообразование -- мениски -- поверхности -- сапфировые ленты -- способ Степанова -- Степанова способ Аннотация: Измерена зависимость параметров ступенек на поверхности базисноограненных лент сапфира от угла отклонения кристаллографической ориентации. Доп.точки доступа: Асрин, А. А.; Россоленко, С. Н.; Курлов, В. Н.; Крымов, В. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ивлева, Л. И. Физико-химические и технологические особенности получения многокомпонентных оксидных кристаллов из расплава модифицированным способом Степанова [Текст] / Л. И. Ивлева // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1417-1419. - Библиогр.: c. 1419 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): кристаллизация из расплава -- мениски -- модифицированный способ Степанова -- объемно-профилированные монокристаллы -- рост кристаллов из расплава -- сложные оксидные кристаллы -- Степанова модифицированный способ -- формообразующие устройства -- эффект вынужденного комбинационного рассеяния Аннотация: Рассмотрены особенности модифицированного способа Степанова. Установлены преимущества способа для получения сложных оксидных кристаллов из расплавов различного состава. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Россоленко, С. Н. Исследование капиллярных и волоконных менисков [Текст] / С. Н. Россоленко, Д. О. Стрюков // Материаловедение. - 2012. - № 9. - С. 32-36 . - ISSN 1684-579Х
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): способ Степанова -- Степанова способ -- кристаллы -- профилированные кристаллы -- профильные кривые менисков -- рост кристаллов -- волокна -- капилляры -- малые мениски расплавов -- выращивание кристаллических капилляров -- уравнения Лапласа -- Лапласа уравнения Аннотация: На основе численного решения уравнения Лапласа исследованы профильные кривые малых менисков расплава, характерные для процессов выращивания кристаллических капилляров и волокон по способу Степанова. Построены поверхности зависимостей высоты мениска от внешнего статического давления и радиуса формообразователя для «больших» и волоконных менисков. Объяснены трудности выращивания кристаллических капилляров и волокон. Доп.точки доступа: Стрюков, Д. О. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кешишев, К. О. Исследование поверхности кристаллов {4}He [Текст] / К. О. Кешишев, В. И. Марченко, Д. Б. Шемятихин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 4. - С. 674-680. - Библиогр.: с. 680 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гелий -- кристаллы гелия -- мениски кристаллов гелия -- поведение краевого угла -- конденсированные фазы гелия -- поверхность кристаллов гелия -- исследование поверхности Аннотация: Продолжено изучение поведения краевого угла, возникающего при выходе границы двух конденсированных фаз {4}He (кристалл - сверхтекучая жидкость) на твердую стенку. Доп.точки доступа: Марченко, В. И.; Шемятихин, Д. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |