Магниторезистивные свойства прессованного порошка диоксида хрома, синтезированного гидротермальным методом [Текст] / Б. И. Белевцев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1192-1195. - Библиогр.: c. 1195 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гидротермальный метод -- диоксид хрома -- Кюри температура -- магнитное туннелирование -- магнитные свойства -- магниторезистивные свойства -- магнитосопротивление -- намагниченность -- резистивные свойства -- температура Кюри -- температурная зависимость -- удельное сопротивление Аннотация: Исследованы резистивные, магниторезистивные и магнитные свойства прессованного порошка CrO[2], который был синтезирован гидротермальным методом из хромового ангидрида. Доп.точки доступа: Белевцев, Б. И.; Далакова, Н. В.; Осмоловский, М. Г.; Беляев, Е. Ю.; Селютин, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Структурная и магнитная неоднородности, фазовые переходы, магниторезистивные и магниторезонансные свойства композиционной керамики La[0.7]Pb[0.3-x]Sn[x]MnO[3] [Текст] / В. П. Пащенко и [др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 3. - С. 572-581 : рис., табл. - Библиогр.: с. 580-581 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): композиционная керамика -- структурная неоднородность -- магнитная неоднородность -- фазовые переходы -- магниторезистивные свойства -- магниторезонансные свойства -- свойства -- керамика Аннотация: Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, электронно-микроскопическим, магниторезистивным и ЯМР ({55}Mn, {139}La) -методами исследована композиционная керамика La[0. 7]Pb[0. 3-x]Sn[x]MnO[3]. Доп.точки доступа: Пащенко, В. П.; Пащенко, А. В.; Прокопенко, В. К.; Ревенко, Ю. Ф.; Бурховецкий, В. В.; Шемяков, А. А.; Сильчева, А. Г.; Левченко, Г. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Стеклокерамические композиты на основе манганита с эффектом "памяти" электрического сопротивления [Текст] / А. В. Васильев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 447, № 3, ноябрь. - С. 284-287 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. : с. 291 (10 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): магниторезистивные элементы памяти -- стеклокерамические методы -- электропроводные свойства -- магнитные свойства -- магниторезистивные свойства -- отжиги Аннотация: Изучено, что магниторезистивные материалы на основе манганитов с избытком оксида марганца могут быть использованы в различных устройствах, где необходим элемент с "памятью" сопротивления. Доп.точки доступа: Васильев, А. В.; Елисеев, А. А.; Казин, П. Е.; Третьяков, Ю. Д.; Янзен, М.; Jansen, M. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стеклокерамические композиты на основе манганита с эффектом "памяти" электрического сопротивления [Текст] / А. В. Васильев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 447, № 3, ноябрь. - С. 284-287 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. : с. 291 (10 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): магниторезистивные элементы памяти -- стеклокерамические методы -- электропроводные свойства -- магнитные свойства -- магниторезистивные свойства -- отжиги Аннотация: Изучено, что магниторезистивные материалы на основе манганитов с избытком оксида марганца могут быть использованы в различных устройствах, где необходим элемент с "памятью" сопротивления. Доп.точки доступа: Васильев, А. В.; Елисеев, А. А.; Казин, П. Е.; Третьяков, Ю. Д.; Янзен, М.; Jansen, M. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Магнитные и магниторезистивные свойства наногетероструктур Al[2]O[3]-Sr[2]FeMoO[6-delta]-Al[2]O[3] [Текст] / Н. А. Каланда [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 2. - С. 341-349 : 9 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): алюминий -- магнитные свойства -- магниторезистивные свойства -- наногетероструктуры -- оксид алюминия -- свойства наногетероструктур Аннотация: Разработана методика создания нанопористых матриц на основе анодного оксида алюминия для осаждения в них ферримагнитных наночастиц. Доп.точки доступа: Каланда, Н. А.; Горох, Г. Г.; Ярмолич, М. В.; Лозовенко, А. А.; Канюков, Е. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Положительное магнитосопротивление композитов La[0.7]Sr[0.3]MnO[3]/C при комнатной температуре [Текст] / Ю. В. Кабиров [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 7. - С. 1263-1265 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): двухфазные композиты -- диапазон магнитных полей 0-15 kOe -- композиты -- магнитные поля -- магниторезистивные свойства -- магнитосопротивление композитов Аннотация: Изучены магниторезистивные свойства двухфазных композитов La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3]/C в магнитных полях от 0 до 15 kOe. Доп.точки доступа: Кабиров, Ю. В.; Гавриляченко, В. Г.; Богатин, А. С.; Лянгузов, Н. В.; Гавриляченко, Т. В.; Кленушкин, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Анизотропия магниторезистивных свойств гранулярных высокотемпературных сверхпроводников как результат сжатия магнитного потока в межгранульной среде [Текст] / С. В. Семенов [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1267-1273 : 9 рис. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): анизотропия -- высокотемпературные сверхпроводники -- гранулярные сверхпроводники -- магнитный поток -- магниторезистивные свойства -- межгранульная среда -- сверхпроводники -- сжатие магнитного потока Аннотация: Исследование причины анизотропии магниторезистивных свойств гранулярных высокотемпературных сверхпроводников. Доп.точки доступа: Семенов, С. В.; Балаев, Д. А.; Почекутов, М. А.; Великанов, Д. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |