Болховитянов, Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков> // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Назаров, Е. Производители РЭА голосуют за технологию внутреннего монтажа [Текст] / Е. Назаров> // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 3. - С. 58-64. . - Библиогр.: с. 64 (3 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): печатные платы -- монтаж кристаллов -- вакуумное напыление -- кремниевые подложки -- СВЧ-кристаллы -- ионно-плазменное травление Аннотация: Радикальной мерой по спасению радиоэлектронной отрасли является внедрение технологии внутреннего монтажа функциональных узлов и переработка реальных схемотехнических решений во внутрисмонтированное исполнение. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) Свободны: эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) |
Ориентированные наностержни ZnO и их ИК-спектры отражения [Текст] / В. Е. Кайдашев [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 11. - С. 1628-1631 : Рис. - Библиогр.: c. 1631 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): выращивание нанокристаллов -- ИК-спектроскопия -- импульсное лазерное распыление -- катализаторы роста -- кремниевые подложки -- кристаллическая структура -- монокристаллы ZnO -- наностержни ZnO -- сапфировые подложки -- электропроводность Аннотация: Импульсным лазерным напылением изготовлены наностержни ZnO, образующие ориентированные структуры на подложках из сапфира и кремния. Доп.точки доступа: Кайдашев, В. Е.; Кайдашев, Е. М.; Мисочко, О. В.; Максимук, М. Ю.; Фурсова, Т. Н.; Баженов, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Структура тонких пленок Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3], нанесенных на кремниевые подложки методом импульсного лазерного напыления [Текст] / В. Л. Романюк [ и др. ]> // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 5. - С. 37-40 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновский дифракционный анализ -- электронография -- атомносиловая микроскопия -- кремниевые подложки -- метод импульсного лазерного напыления Аннотация: Методом импульсного лазерного испарения с использованием Nd: YAG лазера, работающего в режиме свободной генерации, получены сегнетоэлектрические тонкие пленки Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3] на кремниевых подложках при температурах 200 и 450 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Романюк, В. Л.; Гременок, В. Ф.; Меркулов, В. С.; Соболь, В. Р.; Ташлыков, И. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Крылов, П. Н. Нанокристаллические пленки ZnS и ZnSe: синтез, структура [Текст] / П. Н. Крылов, Э. А. Романов, И. В. Федотова> // Материаловедение. - 2011. - N 7. - С. 45-49.
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- низкие температуры конденсации -- рост пленок -- кристаллиты -- кристаллиты кубической модификации -- адсорбция -- кремниевые подложки -- кварцевые подложки -- топология поверхности -- кубические фазы -- гексагональные фазы -- конденсация Аннотация: Выявлена нелинейная зависимость скорости роста пленок ZnS и ZnSe от температуры конденсации. Пленки на кремниевых и кварцевых подложках содержат в основном кристаллиты кубической модификации. В пленках на сколах NaCl наблюдается гексагональная фаза в сочетании с кубической. На топологию поверхности влияют механизм адсорбции, скорость роста и структура растущей пленки. Доп.точки доступа: Романов, Э. А.; Федотова, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах [Текст] / В. Г. Голубев [и др.]> // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 12. - С. 2382-2386 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (42 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алмазные частицы -- газофазное осаждение -- кремниевые подложки -- кристаллография в целом -- люминесценция -- наноалмазы -- химическое газофазное осаждение Аннотация: Исследованы спектральные характеристики обнаруженных линий фотолюминесценции наноалмазов, полученных методом реактивного ионного травления в кислородной плазме алмазных частиц, осажденных методом химического газофазного осаждения на кремниевую подложку. Доп.точки доступа: Голубев, В. Г.; Грудинкин, С. А.; Давыдов, В. Ю.; Смирнов, А. Н.; Феоктистов, Н. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Механизмы поглощения терагерцового и инфракрасного излучения в пленках PZT [Текст] / Г. А. Командин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 6. - С. 1214-1222 : 11 рис. - Библиогр. в конце ст. (55 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Дагестан--Махачкала, 2017 г. Кл.слова (ненормированные): PZT -- алюминий -- инфракрасное излучение -- конференции -- кремниевые подложки -- международные конференции -- монокристаллические оксиды -- оксиды магния -- пленках PZT -- поглощение излучения -- терагерцовое излучение Аннотация: Измерены и проанализированы THz-IR-спектры диэлектрического отклика плотных и пористых пленок Pb (Zr, Ti) O[3], осажденных на подложки из монокристаллических оксидов магния и алюминия, а также на кремниевые подложки с платиновым контактным слоем. Доп.точки доступа: Командин, Г. А.; Породинков, О. Е.; Спектор, И. Е.; Волков, А. А.; Воротилов, К. А.; Серегин, Д. С.; Сигов, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оптические и магнитооптические свойства многослойных наноразмерных пленок [Co/TiO[2]][n] [Текст] / В. В. Павлов [и др.]> // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 11. - С. 2203-2212 : 10 рис. - Библиогр. в конце ст. (50 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Нижний Новгород, 2018 г. Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое осаждение -- кремниевые подложки -- магнитооптические свойства -- металл-диэлектрические структуры -- многослойные наноразмерные пленки -- наноразмерные пленки -- оптические свойства -- симпозиумы Аннотация: Отмечено, что искусственные ферромагнитные металл-диэлектрические структуры Co/TiO[2]]n/Si проявляют свойства анизотропных сред с сильной одноосной оптической и магнитной анизотропией, что является важным как для фундаментальных исследований, так и для практических приложений. Доп.точки доступа: Павлов, В. В.; Усачев, П. А.; Нефедов, С. Г.; Стогний, А. И.; Новицкий, Н. Н.; Писарев, Р. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi[4]Ti[3]O[12]/(Ba,Sr)TiO[3], осажденных на кремниевую подложку методом высокочастотного распыления при повышенных давлениях кислорода [Текст] / А. С. Анохин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 2. - С. 278-283 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (25 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): высокочастотное распыление -- давление кислорода -- двухслойные тонкие пленки -- кислород -- кремниевые подложки -- структурные характеристики -- тонкие пленки -- электрические характеристики Аннотация: Приведены результаты исследования тонких пленок Bi[4]Ti[3]O[12] толщиной 400-450 nm с различной ориентацией кристаллитов относительно нормали к плоскости подложки (100) Si. Доп.точки доступа: Анохин, А. С.; Бирюков, С. В.; Головко, Ю. И.; Мухортов, В. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |