Квантовые биения состояний тонкой структуры в квантовых точках InP [Текст] / И. Я. Герловин [и др. ]> // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 4. - С. 640-652
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- квантовые биения -- полупроводниковые наноструктуры -- наноструктуры -- люминесценция -- InP -- оптические переходы Аннотация: В кинетике люминесценции полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками InP, характеризуемыми большим неоднородным уширением оптических переходов, экспериментально наблюдены квантовые биения различного типа. Для выделения биений определенного типа варьировались внешние условия: величина и ориентация магнитного поля, электрическое напряжение, прикладываемое к образцу, а также частоты возбуждающего и регистрируемого излучения. По результатам экспериментов определены параметры тонкой структуры электронов и дырок в исследуемой системе и характерные времена релаксации спиновой когерентности. Доп.точки доступа: Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Югова, И. А.; Masumoto, Y. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Козлов, В. А. Квантовые биения и терагерцевая отрицательная проводимость на пролетных частотах в нанометровых полупроводниковых гетероструктурах [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус, А. В. Николаев> // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 87-90. . - Библиогр.: c. 90 (15 назв. )
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые биения -- терагерцевая отрицательная проводимость -- пролетные частоты -- нанометровые полупроводниковые гетероструктуры -- баллистический транспорт -- горячие носители -- источники излучения Аннотация: Проведено квантовое рассмотрение механизма терагерцевой отрицательной проводимости в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах при баллистическом транспорте горячих носителей. Доп.точки доступа: Вербус, В. А.; Николаев, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Далидчик, Ф. И. Обменное взаимодействие наноструктур с участием фононных переходов [Текст] / Ф. И. Далидчик, С. И. Кубарев, О. А. Пономарева> // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 426, N 2, май. - С. 198-201. . - Библиогр.: с. 201
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые биения -- электронно-фононные взаимодействия -- взаимодействие наноструктур -- фононные переходы -- поверхностные комплексы Аннотация: Показано, что определяющую роль в квантовых биениях играют электронно-фононные взаимодействия. Доп.точки доступа: Кубарев, С. И.; Пономарева, О. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |