Адмиттанская спектроскопия как метод исследования релаксационных процессов в квантово-размерных структурах [Текст] / В. И. Зубков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1491-1497. . - Библиогр.: c. 1497 (11 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): адмиттанская спектроскопия -- квантово-размерные структуры -- квантовые ямы -- методы исследования -- наногетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- релаксационные процессы -- светоизлучающие гетероструктуры Аннотация: На примере комплексных исследований полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN показаны широкие возможности методов спектроскопии адмиттанса как современного и эффективного метода исследования релаксационных процессов в квантово-размерных гетероструктурах. По характеру релаксации носителей заряда, выявленному из температурных спектров проводимости, определена природа эмитирующих центров в наногетероструктурах на основе InGaN/GaN. Доп.точки доступа: Зубков, В. И.; Яковлев, И. Н.; Кучерова, О. В.; Орлова, Т. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем [Текст] / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С. 346-355 : 8 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): GaAs-структура -- InGaAs-структура -- излучательные свойства -- импульсы эксимерного лазера -- квантово-размерные структуры -- ферромагнитные полупроводники -- эксимерный лазер Аннотация: Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn) As, расположенного на поверхности квантово-размерных InGaAs/GaAs-структур. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Калентьева, И. Л.; Кузнецов, Ю. М.; Нежданов, А. В.; Парафин, А. Е.; Хомицкий, Д. В.; Антонов, И. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |