Наноструктуры систем Si/SiO[2]/металл с треками быстрых тяжелых ионов [Текст] / С. Е. Демьянов [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1262-1264. : рис. - Библиогр.: c. 1264 (5 назв. )
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): система Si/SiO[2]/металл -- наноструктуры -- быстрые тяжелые ионы -- химическое травление -- ионные треки -- электрохимическое осаждение -- диоксид кремния -- селективность Аннотация: С помощью технологии быстрых тяжелых ионов, включающей облучение ионами {197}Au{26+}, химическое травление ионных треков и подпотенциальное электрохимическое осаждение, подготовлены и изучены структуры на основе систем SiO[2]/n-Si и SiO[2]/p-Si, с нанопорами в слоях диоксида кремния, заполненными наночастицами Cu и Ni. Доп.точки доступа: Демьянов, С. Е.; Канюков, Е. Ю.; Петров, А. В.; Белоногов, Е. К. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика. Доп.точки доступа: Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |