Талипов, Н. Х. Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe [Текст] / Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 3-14 : рис., табл. - Библиогр.: c. 14 (33 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ИК-излучение -- гетероэпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дефектообразование -- ионная имплантация -- лазерное облучение -- облучение поверхностных слоев -- радиационные дефекты Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Войцеховский, А. В. Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe [Текст] / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 104-109. - Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- фотодиоды Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |