Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях-модель аморфного полупроводника [Текст] / М. И. Даунов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 20-24. . - Библиогр.: c. 24 (22 назв. )
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- всестороннее давление -- квазибесщелевые полупроводники -- модель аморфного полупроводника -- электронный транспорт -- энергетический спектр Аннотация: Обобщены данные об энергетическом спектре и электронном транспорте при всестороннем давлении в сильно легированных компенсированных полупроводниках с глубокой примесной зоной, расположенной на хвосте плотности состояний собственной зоны. Показана целесообразность использования подобных объектов, подвергнутых воздействию высокого давления, для моделирования аморфного полупроводника. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Магомедов, А. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Гаджиалиев, М. М. Зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления [Текст] / М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, А. М. Мусаев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 148, вып. 2. - С. 304-307. - Библиогр.: с. 307 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): всестороннее давление -- диэлектрическая проницаемость -- полупроводники -- прямозонные полупроводники Аннотация: Определена барическая зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Мусаев, А. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |