Эмиров, С. Н. Температурная и барическая зависимости теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия [Текст] / С. Н. Эмиров, Н. М. Булаева, Э. Н. Рамазанова // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 60-63 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): антимонид галлия -- сжатие -- теплопроводность -- рассеяние фононов -- барические зависимости Аннотация: В результате экспериментальных исследований теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия GaSd в условиях гидростатического сжатия при давлении до 350 МПа в интервале температур 273-523 К показано, что сжатие приводит к дополнительному рассеянию фононов в поликристаллах. Доп.точки доступа: Булаева, Н. М.; Рамазанова, Э. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние высокого давления на электрические свойства аморфных халькогенидов системы Ag-Ge-As-S [Текст] / Э. Ф. Шакиров [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 400-403. - Библиогр.: c. 403 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика высоких и низких давлений Кл.слова (ненормированные): аморфные халькогениды -- барические зависимости -- высокие давления -- годографы импеданса -- импедансная спектроскопия -- халькогениды серебра -- электрические свойства Аннотация: Cинтезированы и аттестованы новые халькогениды серебра AgGe[1+x]As[1-x]S[3] (x = 0. 1, 0. 4-0. 9), исследованы их электрические свойства при давлениях до 45 ГПа методом импедансной спектроскопии. В результате анализа годографов импеданса, барических зависимостей сопротивления и тангенса угла диэлектрических потерь установлены области существенных изменений электрических свойств образцов. Доп.точки доступа: Шакиров, Э. Ф.; Хейфец, О. Л.; Мельникова, Н. В.; Бабушкин, А. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электрические свойства ионных проводников системы Cu-Ag-Ge-As-Se при высоких давлениях [Текст] / О. Л. Хейфец [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 437-440. - Библиогр.: c. 440 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика высоких и низких давлений Кл.слова (ненормированные): барические зависимости -- высокие давления -- годографы импеданса -- импедансная спектроскопия -- ионные проводники -- стеклообразные материалы -- электрические свойства Аннотация: Исследовано влияние статического давления на электрические свойства стеклообразных материалов Cu[1-x]Ag[x]GeAsSe[3], x = 0. 95, 0. 9, 0. 85. Проанализированы барические зависимости импеданса и тангенса угла диэлектрических потерь при давлениях 15-45 ГПа. Определены области существенных изменений электрических свойств образцов. Доп.точки доступа: Хейфец, О. Л.; Филиппов, А. Л.; Мельникова, Н. В.; Бабушкин, А. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Термоэлектрические свойства ферромагнитного полупроводника на основе дираковского полуметалла Cd[3]As[2] при высоком давлении [Текст] / Н. В. Мельникова [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 490-494 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): барические зависимости -- дираковские полуметаллы -- полуметаллы -- полупроводники -- термоэлектрические свойства -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Исследованы барические зависимости термоэдс, как одного из наиболее чувствительных к фазовым превращениям параметров. Доп.точки доступа: Мельникова, Н. В.; Тебеньков, А. В.; Суханова, Г. В.; Бабушкин, А. Н.; Сайпулаева, Л. А.; Захвалинский, В. С.; Габибов, С. Ф.; Алибеков, А. Г.; Моллаев, А. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Расчет ab initio примесно-вакансионных комплексов в алмазе при высоком давлении [Текст] / Е. А. Екимов, С. Г. Ляпин, А. А. Разгулов, М. В. Кондрин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 156, вып. 5. - С. 925-933. - Библиогр.: с. 932-933 (55 назв.) . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): алмаз -- барические зависимости -- оптические центры -- примесно-вакансионные комплексы -- расчеты ab initio -- эмиссия фотонов в алмазе Аннотация: Результаты расчетов ab initio примесно-вакансионных комплексов в алмазе при высоком давлении. Доп.точки доступа: Екимов, Е. А.; Ляпин, С. Г.; Разгулов, А. А.; Кондрин, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |