Строение и электронная структура a-SiN[x] : H [Текст] / В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, И. П. Просвирин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 156, вып. 5. - С. 1003-1015. - Библиогр.: с. 1014-1015 (30 назв.) . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфный нитрид кремния -- атомарная структура -- диэлектрики -- плазмохимическое осаждение -- пленки -- стехиометрический состав -- электронные спектры Аннотация: Исследованы атомарная структура и электронные спектры пленок a-SiN[x] : H, выращенных с применением плазмохимического осаждения с варьированием потоков аммиака и моносилана. Доп.точки доступа: Гриценко, В. А.; Кручинин, В. Н.; Просвирин, И. П.; Новиков, Ю. Н.; Чин, А.; Володин, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |