Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях-модель аморфного полупроводника [Текст] / М. И. Даунов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 20-24. . - Библиогр.: c. 24 (22 назв. )
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- всестороннее давление -- квазибесщелевые полупроводники -- модель аморфного полупроводника -- электронный транспорт -- энергетический спектр Аннотация: Обобщены данные об энергетическом спектре и электронном транспорте при всестороннем давлении в сильно легированных компенсированных полупроводниках с глубокой примесной зоной, расположенной на хвосте плотности состояний собственной зоны. Показана целесообразность использования подобных объектов, подвергнутых воздействию высокого давления, для моделирования аморфного полупроводника. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Магомедов, А. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
ФМР, магнитные и резистивные свойства мультислойных наноструктур (CoFeZr) [x] (Al[2]O[3]) [1-x]/Si [Текст] / С. А. Вызулин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1441-1443. . - Библиогр.: c. 1443 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Классическая электродинамика. Теория относительности Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- динамическая намагниченность -- ионно-лучевое распыление -- магнитные свойства -- мультислойные наноструктуры -- резистивные свойства -- резонансные свойства -- ферромагнитный резонанс Аннотация: Проведены сравнительные исследования магнитных статических и резонансных, а также резистивных свойств мультислойных наноструктур, состоящих из композитных магнитных слоев CoFeZr-Al[2]O[3] и прослоек аморфного полупроводника a-Si с тощинами слоев и прослоек менее 5 нм. Доп.точки доступа: Вызулин, С. А.; Горобинский, А. В.; Калинин, Ю. Е.; Лебедева, Е. В.; Ситников, А. В.; Сырьев, Н. Е.; Трофименко, И. Т.; Чекрыгина, Ю. И.; Шипкова, И. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Распределение плотности электронных состояний в разрешенных зонах и межзонные поглощения в аморфных полупроводниках [Текст] / С. Зайнобидинов [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2011. - Т. 110, N 5. - С. 813-818. . - Библиогр.: с. 818 (10 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- разрешенные зоны -- межзонные поглощения -- аморфные полупроводники -- поглощенные фотоны -- щели подвижности -- фотоны -- коэффициенты поглощения -- подвижность -- поглощение Аннотация: Исследованы типы электронных переходов и соответствующие им спектральные характеристики коэффициента поглощения аморфных полупроводников, когда энергия поглощенных фотонов больше, чем ширина щели подвижности. Доп.точки доступа: Зайнобидинов, С.; Икрамов, Р. Г.; Жалалов, Р. М.; Нуритдинова, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |