Рост и спектроскопические исследования кристаллов NaLa (MoO[4]) [2] : Tm\{3+\} - нового перспективного лазерного материала [Текст] / Ю. К. Воронько [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 4. - С. 592-601.
Рубрики: Физика Физическая оптика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- NaLa (MoO[4]) [2] -- лазерные материалы -- спектрально-люминесцентные исследования -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Методом Чохральского выращены монокристаллы шеелитоподобного разупорядоченного двойного молибдата NaLa (MoO[4]) [2], легированного ионами тулия с концентрациями легирующей примеси 3. 0 х 10\{19\} и 1. 2 х 10\{20\] см\{–3\}. Проведен комплекс спектрально-люминесцентных исследований кристаллов в диапазонах длин волн 800 нм (переходы \{3\}H[6] - \[3\}H[4]) и 2 мкм (переходы \{3\}H[6] - \{3\}F[4]), включая поляризованные спектры поглощения и люминесценции, а также кинетику распада возбужденных состояний. Предложена модель, удовлетворительно описывающая кинетику затухания люминесценции с уровня \{3\}H[4] с учетом процессов кроссрелаксационного взаимодействия. Обсуждаются перспективы применения изученного кристалла в качестве активной среды твердотельных лазеров двухмикронного диапазона. Доп.точки доступа: Воронько, Ю. К.; Жариков, Е. В.; Лис, Д. А.; Попов, А. В.; Смирнов, В. А.; Субботин, К. А.; Хромов, М. Н.; Воронов, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Шалдин, Ю. В. Особенности пироэлектрических свойств несобственного сегнетоэлектрика-сегнетоэластика GD[2] (MoO[4]) в области низких температур [Текст] / Ю. В. Шалдин, С. Матыясик // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 4, апрель. - С. 477-480. : 4 рис. - Библиогр.: с. 480 (14 назв. )
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрик -- сегнетоэлластик -- пироэлектрические свойства -- монокристаллы -- парофазы -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Переход от парафазы к сегнетофазе характеризуется несколькими инвариантами. Объектом исследования послужили монокристаллы, выращенные методом Чохральского на ориентированную затравку. Доп.точки доступа: Матыясик, С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Определение зарядового состояния хрома в монокристаллах Cr: Bi[12]GeO[20] спектрально-люминесцентными методами [Текст] / И. В. Степанова [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2009. - Т. 107, N 3. - С. 359-362. . - Библиогр.: с. 362 (18 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): хром -- монокристаллы -- метод Чохральского -- спектрально-люминесцентные исследования -- ионы хрома -- ультрафиолетовые облучения -- Чохральского метод Аннотация: В ходе спектрально-люминесцентных исследований определены валентное состояние и структурная локализация ионов Cr в монокристаллах Cr: Bi[12]GeO[20], выращенных методом Чохральского. Доп.точки доступа: Степанова, И. В.; Горащенко, Н. Г.; Субботин, К. А.; Смирнов, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Новый метод управления тепломассопереносом в расплаве при выращивании кристаллов по Чохральскому [Текст] / И. Х. Аветисов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 177-179. : 3 рис. - Библиогр.: с. 179 (8 назв. )
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- тепломассопереносы -- рост кристаллов -- аксиальные вибрации Аннотация: Разработана новая схема ввода аксиальных низкочастотных вибраций в конфигурации метода Чохральского, согласно которой вынужденные потоки в расплаве генерируются путем аксиальных осцилляций диска, погруженного в кристалл. Доп.точки доступа: Аветисов, И. Х.; Жариков, Е. В.; Зиновьев, А. Ю.; Садовский, А. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Мамедов, В. М. Нестационарная модель процесса выращивания оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского [Текст] / В. М. Мамедов, В. С. Юферев // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1486-1490. - Библиогр.: c. 1490 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): весовые датчики -- кристаллы галлий-гадолиниевого граната -- кристаллы германата висмута -- метод Чохральского -- оксидные кристаллы -- рост кристаллов из расплава -- численное моделирование -- Чохральского метод Аннотация: Разработана численная нестационарная модель роста оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского под управлением весового датчика. Доп.точки доступа: Юферев, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оптимизация тепловыделения в многосекционном нагревателе при выращивании кристаллов германата висмута низкоградиентным методом Чохральского [Текст] / М. Г. Васильев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 10. - С. 1491-1495. - Библиогр.: c. 1495 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): весовые датчики -- кристаллизационные установки -- кристаллы германата висмута -- метод Чохральского -- многосекционные нагреватели -- рост кристаллов из расплава -- тепловыделение -- теплообмен -- численное моделирование -- Чохральского метод Аннотация: Выполнено численное моделирование глобального теплообмена при выращивании базисноограненных лент сапфира шириной 50 мм в круговой тепловой зоне при различных конструкциях тепловых экранов. Доп.точки доступа: Васильев, М. Г.; Мамедов, В. М.; Руколайне, С. А.; Юферев, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование характеристик матриц фотоприемников на основе Si Pt: Si с помощью метода наведенного потенциала [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1061-1064. : Рис. - Библиогр.: c. 1064 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): матрицы фотоприемников ИК-излучения -- метод наведенного потенциала -- метод Чохральского -- неразрушающий контроль -- полупроводниковые ИК-матрицы -- растровая электронная микроскопия -- рекомбинационно-активные дефекты -- тепловизоры -- Чохральского метод Аннотация: Для исследования характеристик отдельных пикселей в матрицах на основе структур Si Pt: Si использован метод электронно-индуцированного наведенного потенциала. Показаны возможности использования этого метода для неразрушающего контроля наличия крупномасштабных (с размерами порядка нескольких мкм) рекомбинационно-активных дефектов в рабочих областях элементов матрицы. Доп.точки доступа: Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование структурного совершенства кристаллов лангасита и лангатата [Текст] / Е. А. Тюнина [и др. ] // Материаловедение. - 2010. - N 12. - С. 45-49.
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): пьезоэлектрики -- семейства лангаситов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- дифракционное отражение -- рентгеновская топография -- кривые дифракционного отражения -- лангататы -- кристаллы лангаситов -- лангаситы -- двухкристальная рентгеновская дифрактометрия -- структурное совершенство Аннотация: Методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и рентгеновской топографии изучены кристаллы лангасита и лангатата, выращенные методом Чохральского. Доп.точки доступа: Тюнина, Е. А.; Каурова, И. А.; Кузьмичева, Г. М.; Доморошина, Е. Н.; Дубовский, А. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Примесные Cu{+}-центры в монокристаллическом LiF [Текст] / А. И. Непомнящих [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2011. - Т. 111, N 3. - С. 442-445. . - Библиогр.: с. 445 (10 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): примесные центры -- монокристаллы LiF -- медь -- кристаллы фторида лития -- фторид лития -- фториды -- литий -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- термолюминофоры -- термолюминесценция -- монокристаллические детекторы Аннотация: Выращены и исследованы монокристаллы LiF с примесью меди. Кристаллы фторида лития выращены методом Чохральского. Доп.точки доступа: Непомнящих, А. И.; Шалаев, А. А.; Субанаков, А. К.; Паклин, А. С.; Бобина, Н. С.; Мясникова, А. С.; Шендрик, Р. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Бессонов, О. А. Нестационарные неосесимметричные течения в гидродинамической модели метода Чохральского при больших числах Прандтля [Текст] / О. А. Бессонов, В. И. Полежаев // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2011. - N 5. - С. 16-32. . - Библиогр.: с. 31-32 (13 назв. )
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): конвекция -- гравитационная конвекция -- термокапиллярная конвекция -- гидродинамическая устойчивость -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- биологические жидкости -- числа Прандтля -- Прандтля числа Аннотация: Основу статьи составляет исследование с помощью совершенствованного численного метода новой конфигурации модели, близкой к технологическим экспериментам с расплавами оксидных кристаллов при большом числе Прандтля с учетом термокапиллярной конвекции на свободной поверхности и вращения кристалла, приводящих в некоторых режимах к колебаниям температур расплава и характерным спиралевидным формам. Доп.точки доступа: Полежаев, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Бессонов, О. А. Неустойчивости тепловой гравитационной конвекции и теплообмен в модели метода Чохральского при различных числах Прандтля [Текст] / О. А. Бессонов, В. И. Полежаев // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2013. - № 1. - С. 26-40. - Библиогр.: с. 40 (23 назв.) . - ISSN 0568-5281
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): гравитационная конвекция -- теплообмен -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- числа Прандтля -- Прандтля числа -- численное моделирование -- конвективная устойчивость -- теплообмен -- стабилизация колебаний -- термики -- числа Грасгофа -- Грасгофа числа Аннотация: Представлены результаты расчета критических чисел Грасгофа, при которых возникают колебания полей течения и температуры, в осесимметричной и трехмерной моделях метода выращивания кристаллов вытягиванием из расплава. Доп.точки доступа: Полежаев, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Бессонов, О. А. Карта режимов и пространственные эффекты конвективных взаимодействий в гидродинамической модели метода Чохральского [Текст] / О. А. Бессонов, В. И. Полежаев // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2014. - № 2. - С. 16-28. - Библиогр.: с. 27-28 (19 назв.) . - ISSN 0568-5281
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): Грасгофа числа -- Прандтля числа -- Чохральского метод -- гравитационная конвекция -- конвективная устойчивость -- конвекция гравитационная -- метод Чохральского -- термики -- числа Грасгофа -- числа Прандтля Аннотация: Представлена обобщенная диаграмма критических чисел Грасгофа в зависимости от числа Прандтля, показывающая зоны возникновения колебания полей течения и температуры в осесимметричной и трехмерной постановках модели метода выращивания кристаллов вытягиванием из расплава. Обсуждаются структура термиков при высоких числах Прандтля, особенности трехмерной структуры конвекции в зонах стабилизации и смены опасных мод при разных числах Прандтля. Приведены оценки влияния вращения кристалла на структуру полей течения и температуры. Доп.точки доступа: Полежаев, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Выращивание стехиометричных кристаллов двойного молибдата NaBi(MoO [4])[2] [Текст] / Б. Н. Цыдыпова [и др.] // Доклады Академии наук. - 2014. - Т. 456, № 3, май. - С. 299-301 : 4 рис., 1 табл. - Библиогр. : с. 304 (6 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): Чохральского метод -- кристаллы -- кристаллы вольфраматов -- кристаллы молибдатов -- метод Чохральского -- однородные кристаллы Аннотация: О технологии получения однородных монокристаллов. Доп.точки доступа: Цыдыпова, Б. Н.; Павлюк, А. А.; Полякова, Е. В.; Сапрыкин, А. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оптические и люминесцентные свойства монокристаллов LiF:Cu и LiF:Mg,Cu [Текст] / А. А. Шалаев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 2. - С. 287-290. - Библиогр.: c. 290 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Чохральского метод -- ионизирующее излучение -- люминесцентные свойства монокристаллов -- метод Чохральского -- оптические свойства монокристаллов -- фторид лития Аннотация: Представлены результаты спектральных исследований оптических и люминесцентных свойств монокристаллов фторида лития, выращенных методом Чохральского, активированных ионами меди и магния. Обсуждены влияние режимов термообработки и зависимость концентрации примеси магния на чувствительность полученных кристаллов LiF: Mg, Cu к ионизирующему излучению. Доп.точки доступа: Шалаев, А. А.; Бобина, Н. С.; Паклин, А. С.; Шендрик, Р. Ю.; Непомнящих, А. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Дисперсия диэлектрической проницаемости монокристаллов парателлурита [Текст] / О. В. Малышкина [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 11. - С. 1557-1559. - Библиогр.: c. 1559 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Чохральского метод -- диэлектрическая проницаемость -- кристаллы парателлурита -- метод Чохральского Аннотация: Представлены результаты сравнительных исследований, проведенных в температурном интервале от 23 до 360°C, диэлектрических свойств пластин кристалла парателлурита, вырезанных перпендикулярно кристаллографическим направлениям [010], [1 0] и [001]. Показано, что величина диэлектрической проницаемости и ее дисперсия зависят от направления в кристалле. Предложена модель, объясняющая механизм дисперсии. Доп.точки доступа: Малышкина, О. В.; Гавалян, М. Ю.; Колесников, А. И.; Барабанова, Е. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Энергетический спектр дырок твердого раствора Sb[2]Te[2.9]Se[0.1] по данным явлений переноса [Текст] / С. А. Немов [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2208-2211. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Холла коэффициент -- Чохральского метод -- диапазон температур 77-450 K -- коэффициент Холла -- метод Чохральского -- монокристаллы -- твердые растворы -- энергетический спектр Аннотация: На монокристалле твердого раствора p-Sb[2]Te[2. 9]Se[0. 1], выращенном методом Чохральского, исследована температурная зависимость коэффициента Холла в диапазоне температур 77-450 K. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Благих, Н. М.; Аллаххах, А. А.; Иванова, Л. Д.; Джафаров, М. Б.; Демченко, А. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние неконтролируемых примесей на спектр поглощения лазерного кристалла NaGd(WO[4])[2] [Текст] / М. П. Зыкова, К. А. Субботин, С. К. Павлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2400-2404 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г. Кл.слова (ненормированные): Чохральского метод -- вольфрамат цинка -- доклады -- конференции -- кристаллография в целом -- лазерные кристаллы -- метод Чохральского -- оптическое поглощение -- примесная чистота Аннотация: Методом Чохральского выращены три монокристалла NaGd (WO[4]) [2] с использованием шихты с различной химической чистотой. Доп.точки доступа: Зыкова, М. П.; Субботин, К. А.; Павлов, С. К.; Лис, Д. А.; Чернова, Е.; Жариков, Е. В.; Аветисов, И. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия beta-Ga[2]O[3] [Текст] / Е. В. Иванова, П. А. Дементьев, М. В. Заморянская [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С. 421-426 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Чохральского метод -- ловушки носителей заряда -- люминесценция -- метод Чохральского -- носители зарядов -- объемный оксид галлия -- оксид галлия Аннотация: Исследованы объемные образцы beta-Ga[2]O[3], выращенные методом Чохральского. Доп.точки доступа: Иванова, Е. В.; Дементьев, П. А.; Заморянская, М. В.; Закгейм, Д. А.; Панов, Д. Ю.; Спиридонов, В. А.; Кремлева, А. В.; Одноблюдов, М. А.; Бауман, Д. А.; Романов, А. Е.; Бугров, В. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |