Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Хабибуллаев, П. К.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Атамуратов, А. Э.
Детектирование заряда встроенного в оксидном слое МОП-транзистора, боковым С-V-измерением [Текст] / А. Э. Атамуратов, Д. У. Матрасулов, П. К. Хабибуллаев // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 6. - С. 761-764. - Библиогр.: с. 764 (9 назв. )

УДК

^a621.03

ББК 30.13
Рубрики: Техника--Техническая физика
Кл.слова (ненормированные):
нитрид кремния -- детектирование -- локализованные заряды -- область пространственного заряда -- полупроводники
Аннотация: Изучается возможность детектирования локального заряда в SiO[2]-слое МОП-транзистора простым C-V-измерением перехода исток-подложка.

Доп.точки доступа:
Матрасулов, Д. У.; Хабибуллаев, П. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Хабибуллаев, П. К.
Электролюминисценция p-i-n-структур на основе ZnO, изготовленных методом ультразвукового распыления [Текст] / П. К. Хабибуллаев [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 4. - С. 469-471. - Библиогр.: с. 471 (14 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника
Аннотация: Проведены исследования механизма акцепторного легирования и влияния удельного сопротивления кремниевых подложек на электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnO, полученных методом ультразвукового распыления.

Доп.точки доступа:
Юлдашев, Ш. У.; Нусретов, Р. А.; Хван, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Люминесценция нанокомпозита на основе синтетического опала, наполненного оксидом цинка [Текст] / С. С. Курбанов [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 816-821.

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
нанокомпозиты -- опал -- оксид цинка -- фотонная запрещенная зона -- экситонная люминесценция
Аннотация: Приведены результаты исследований нанокомпозита опал–оксид цинка, созданного методом химического осаждения из раствора. Нанокристаллы оксида цинка, осажденные на подложку, имеют форму усеченного конуса, характерного для монокристаллов оксида цинка, и проявляют хорошие эмиссионные свойства, но в составе нанокомпозита экситонная люминесценция оказывается подавленной, одновременно наблюдается усиленное свечение опаловой матрицы. Обсуждены возможные механизмы наблюдаемого эффекта.

Доп.точки доступа:
Курбанов, С. С.; Шаймарданов, З. Ш.; Касымджанов, М. А.; Захидов, Э. А.; Хабибуллаев, П. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Термодинамические свойства клатратных гидратов тетрагидрофурана [Текст] / Ш. И. Маматкулов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 430, N 1, январь. - С. 65-69 : 3 рис., 1табл. - Библиогр.: с. 65-69 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a62:57

ББК 30
Рубрики: Техника
Техническая биология
Кл.слова (ненормированные):
тетрагидрофуран -- энергия Гиббса -- Гиббса энергия -- клатратные гидраты -- энергия гидротации
Аннотация: Впервые расчитано изменение свободной энергии Гиббса молекул тетрагидрофуранов и водорода в системе вода-тетрогидрофураны в широких пределах температуры и давления методами тетродинамического интегрирования и молекулярной динамики.

Доп.точки доступа:
Маматкулов, Ш. И.; Исмаилова, О. Б.; Саидов, А. А.; Хабибуллаев, П. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Атамуратов, А. Э.
Влияние поля встроенного в оксиде заряда нам боковую C-V-зависимость МОП-транзистора [Текст] / А. Э Атамуратов, Д. У. Матрасулов, П. К. Хабибуллаев // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 430, N 4, февраль. - С. 484-486 : 3 рис. - Библиогр.: с. 486 (9 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a621.315.592

ББК 22.1
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- поля заряда -- полупроводники -- область пространственного заряда -- оксидный слой -- потенциал встроенного заряда -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Проведенные исследования показали, что потенциал встроенного заряда приводит к увеличению емкости бокового перехода МОП-транзистора во всем интервале прилагаемого смещения, но величина изменения емкости в определенном смещении зависит от формы распределения потенциала.

Доп.точки доступа:
Матрасулов, Д. У.; Хабибуллаев, П. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 05.08.2024
Число запросов	44380
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)