Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мохов, Е. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC [Текст] / М. В. Музафарова [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 12. - С. 2319-2335 : 6 рис., 3 табл. - Библиогр. в конце ст. (63 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
SiC -- азот -- доноры азота -- карбид кремния -- кремний -- кристаллические решетки -- плотность доноров азота -- спиновая плотность
Аннотация: Исследование пространственного распределения спиновой плотности доноров азота в двух основных политипах карбида кремния 4H-SiC и 6H-SiC, с целью использования этой информации для минимизации взаимодействия доноров азота со спиновыми центрами в карбиде кремния.


Доп.точки доступа:
Музафарова, М. В.; Ильин, И. В.; Анисимов, А. Н.; Мохов, Е. Н.; Солтамов, В. А.; Баранов, П. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР [Текст] / И. В. Ильин [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С. 641-659 : 12 рис. - Библиогр. в конце ст. (46 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
ДЭЯР -- ЭПР -- акцепторы III группы -- акцепторы с глубокими уровнями -- акцепторы с мелкими уровнями -- двойной электронно-ядерный резонанс -- карбид кремния -- кремний -- электронный парамагнитный резонанс
Аннотация: Приведены результаты исследований акцепторов III группы в кристаллах карбида кремния с использованием наиболее информативных методов электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса и рассмотрены структурные модели акцепторов с мелкими уровнями и с глубокими уровнями.


Доп.точки доступа:
Ильин, И. В.; Успенская, Ю. А.; Крамущенко, Д. Д.; Музафарова, М. В.; Солтамов, В. А.; Мохов, Е. Н.; Баранов, П. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Мохов, Е. Н.
    Выращивание объемных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом [Текст] / Е. Н. Мохов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2298-2302 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.

Кл.слова (ненормированные):
AlN -- GaN -- доклады -- конференции -- кристалл AlN -- кристалл GaN -- объемные кристаллы -- сандвич-метод -- сублимационный рост
Аннотация: Приведен обзор результатов роста объемных кристаллов нитридов Al и Ga на инородных затравках сублимационным сандвич-методом.


Доп.точки доступа:
Вольфсон, А. А.; Казарова, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 50842
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)