Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Моисеев, К. Д.$<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.


   
    Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с delta-легированием марганцем [Текст] / А. М. Луговых [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2160-2163 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
delta-легирование -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- легирование -- марганец -- полупроводниковые гетероструктуры -- ферромагнитный порядок
Аннотация: Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga[0. 84]In[0. 16]As/GaAs и с delta-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками.


Доп.точки доступа:
Луговых, А. М.; Чарикова, Т. Б.; Окулов, В. И.; Моисеев, К. Д.; Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


    Моисеев, К. Д.
    Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (6 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- подложка InAs -- эпитаксиальные слои InAsSbP
Аннотация: Послойный анализ вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания.


Доп.точки доступа:
Романов, В. В.; Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Романов, В. В.
    Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP [Текст] / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 585-590 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
n-InAs/n-InAsSbP -- n-InAsSbP -- гетероструктуры II типа -- кристаллография в целом -- спектры электролюминесценции -- электролюминесценция
Аннотация: Получены одиночные гетеросруктуры II типа n{+}-InAs/n{0}-InAs[0. 59]Sb[0. 16]P[0. 25] на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости.


Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца [Текст] / К. Д. Моисеев [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 12. - С. 2325-2330 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- гетероструктуры -- магнитное упорядочение -- марганец -- полупроводниковые гетероструктуры -- примеси марганца -- проводимость
Аннотация: Проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga[0. 84]In[0. 16]As/GaAs и delta-слоями марганца различной толщины.


Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Кудрявцев, Ю. А.; Чарикова, Т. Б.; Луговых, А. М.; Говоркова, Т. Е.; Окулов, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Романов, В. В.
    Узкозонные гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP (y=0.09-0.16) для спектрального диапазона 4-6 um, полученные методом МОГФЭ [Текст] / В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 10. - С. 1746-1753 : 6 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
МОГФЭ -- антимониды -- гетеропереходы -- люминесценция -- метод МОГФЭ -- спектральный диапазон
Аннотация: Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb.


Доп.точки доступа:
Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


    Моисеев, К. Д.
    Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs[1-y]Sb[y]/InAsSbP в интервале составов y меньше 0.2 [Текст] / К. Д. Моисеев, В. В. Романов // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С. 475-482 : 6 рис., 2 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
InAs -- антимониды -- гетеропереходы -- зонные диаграммы -- туннельная проводимость -- электролюминесценция
Аннотация: Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs[1-y]Sb[y]/p-InAsSbP в диапазоне составов (y меньше 0. 2) узкозонной активной области.


Доп.точки доступа:
Романов, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 37098
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)