Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Лаврентьева, Л. Г.$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Лаврентьева, Л. Г.
Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )

УДК

^a621.3.08

^a621.315.592:548.552.22

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия
Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге.

Доп.точки доступа:
Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 11.07.2024
Число запросов	158945
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)