Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кособуцкий, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастотных расчетов в рамках GW-приближения [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 6. - С. 1183-1189 : табл. - Библиогр.: с. 1188-1189 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- GW-приближение -- электронная структура -- уровень локальной электронейтральности -- политипы SiC -- SiC -- квазичастотные расчеты
Аннотация: С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и nH-SiC (n=2-8).

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние радиационных дефектов на эффективность функционализации углеродных нанотрубок: расчеты из первых принципов [Текст] / А. В. Кособуцкий [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - № 4. - С. 3-7 : табл., рис. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a536.22/.23

ББК 22.37 + 22.365
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
группы химических соединений -- радиационные дефекты -- тонкие пленки -- углеродные нанотрубки -- физические расчеты -- функционализация углеродных нанотрубок -- электронные свойства -- энергия связи молекул
Аннотация: Теоретически исследованы структуры зигзагообразных углеродных нанотрубок (УНТ) с вакансионными дефектами и рассчитаны энергии связи дефектных УНТ с внешними функциональными группами OH, COOH, NH; показано, что энергия связи молекул примесей с дефектными УНТ в несколько раз выше энергии взаимодействия примесей с идеальными нанотрубками.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Шандаков, С. Д.; Севостьянов, О. Г.; Звиденцова, Н. С.; Рыбаков, М. С.; Владимиров, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Аннотации статей, депонированных в ВИНИТИ [Текст] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 114 . - ISSN 0021-3411

УДК

^a548/549

^a544.22

ББК 26.303 + 24.52
Рубрики: Геология
   Минералогия
   Химия твердого тела
   Химия
Кл.слова (ненормированные):
Wyckoff-подрешетки -- гетероструктуры -- колебательные спектры -- кристаллы -- расчеты колебательных спектров -- расчеты электронных спектров -- тетрагональная пространственная группа -- тетрагональная сингония -- электронных спектры
Аннотация: Представлена информация о статьях, депонированных в ВИНИТИ.

Доп.точки доступа:
Поплавной, А. С.; Филиппов, Р. И.; Басалаев, Ю. М.; Кособуцкий, А. В.; Малышева, Е. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гордиенко, А. Б.
Анализ электронной структуры кристаллов методом развертки энергетических зон [Текст] / А. Б. Гордиенко, А. В. Кособуцкий // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 3. - С. 451-457 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
зонные структуры -- кристаллы -- развертка зонных структур -- структура кристаллов -- электронные структуры -- энергетические зоны
Аннотация: В рамках формализма теории функционала плотности рассматривается альтернативный вариант реализации метода "развертки" зонной структуры, объединяющий преимущества базисов локализованных функций и плоских волн.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кособуцкий, А. В.
Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия [Текст] / А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 9. - С. 1645-1649 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гексагональный теллурид галлия -- полупроводники -- слоистые полупроводники -- теллурид галлия -- электронные структуры
Аннотация: С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации.

Доп.точки доступа:
Саркисов, С. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 05.08.2024
Число запросов	48396
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)