Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кортов, В. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Шифр: unup/2004/4
Журнал

Университетское управление: практика и анализ [Текст]. - Выходит раз в два месяца
2004г. N 4

Содержание:
Феклистов, И. Ф. Статистические проблемы качества ресурсного потенциала вузов России / И.Ф. Феклистов, П.М. Золин. - С.7-18
Рогожкин, С. А. Материально-техническое обеспечение учебного процесса - необходимое условие качества образования / С.А. Рогожкин. - С.19-26
Кл.слова: вузы, лицензирование, аккредитация, аттестация, машины, оборудование, инструментальная база, общий рейтинг, вузы МПС
Баташов, М. В. Определение путей снабжения издержек в вузе / М.В. Баташов. - С.27-32
Кл.слова: деятельность вуза, образовательный аспект, бюджетирование, Россия, демографическая пирамида, структура населения, изменения, Москва, вузы государственные, штат, число студентов
Краковский, Ю. М. Выбор цены образовательной услуги на основе имитационно-аналитической процедуры / Ю.М. Краковский, В.К. Карнаухова. - С.33-37
Кл.слова: образовательные услуги, абитуриенты, безубыточность, стоимостный анализ, имитационно-аналитическая процедура
Шульгин, Д. Б. Управление конфликтами интересов при коммерциализации университетских технологий / Д.Б. Шульгин, В.С. Кортов. - С.38-43
Кл.слова: конфликт интересов, причины, участники, коммерциализация технологий, участники процесса, изобретатель-университет-заказчик НИОКР, работник-работодатель, отношения
Волкова, Т. И. Институционные основы создания конкурентоспособных продуктов / Т.И. Волкова. - С.44-47
Кл.слова: творческая личность, модель, характеристики, отбор, система, управление, принципы, субъекты, функциональные связи
Кальб, Г. Австрийская университетская система / Г. Кальб, Г. Пильц, Л.Н. Шеврин. - С.48-52
Кл.слова: Австрия, университеты, занятия, программы обучения, студенты, исследования
Гибсон, М. Бизнес и высшее образование: опыт взаимодействия в Великобритании / М. Гибсон, А.Ю. Афонин. - С.53-66
Кл.слова: великобритания, высшее образование, передача знаний , человеческий фактор, миссия, цели, , вуз, руководство, управление
Крюков, В. В. Развитие информационной инфраструктуры вуза для решения задач управления / В.В. Крюков, К.И. Шахгельдин. - С.67-77
Кл.слова: вуз, информационная, корпоративная, среда , особенности, региональная сеть, структура, уровни КИС, типовые решения
Корнеева, Л. И. Современные интерактивные методы обучения в системе повышения квалификации руководящих кадров в Германии: зарубежный опыт / Л.И. Корнеева. - С.78-83
Кл.слова: Германия, руководящие кадры, повышение квалификации, методы обучения активные, тренинги, программированое обучение, компьютерное обучение, учебные дискуссии, case-study
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Кортов, В. С.
Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов
Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Кортов, В. С.
Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85. : 3 рис. - Библиогр.: с. 85 (17 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- электроны -- кристаллические диэлектрики -- диэлектрики
Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фотоэлектронная эмиссия имплантированных пленок SiO[2]: Se{+} [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 221-225. - Библиогр.: c. 225 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.971

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
активационное туннелирование -- диоксид кремния -- имплантированные пленки -- пленки SiO[2] -- поверхностные слои -- спектры колебательных состояний -- спектры электронных состояний -- Урбаха эмиссионное правило -- фототермическая ионизация -- численное моделирование -- эмиссионное правило Урбаха -- энергетические щели
Аннотация: Представлены результаты исследования пленок диоксида кремния, имплантированных ионами селена (330 кэВ; 5х10{16} см{-2}). Методом фотостимулированной электронной эмиссии (OSEE) изучены особенности разупорядочения структуры пленки. Спектральные зависимости OSEE описаны в рамках формализма эмиссионного правила Урбаха. Установлено, что возникающие при имплантации дискретно-континуальные нарушения вносят заметные искажения в спектр электронных и колебательных состояний матрицы SiO[2]. Результаты эксперимента и численного моделирования указывают на реализацию механизма активационного туннелирования электронов с фотовозбужденных поверхностных состояний SiO[2] в вакуум.

Доп.точки доступа:
Зацепин, А. Ф.; Бунтов, Е. А.; Кортов, В. С.; Фиттинг, Г. Д.; Поносов, Ю. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Бочко, Владимир Степанович (доктор экономических наук, профессор).
Теоретико-методологические аспекты изучения региональной экономики [Текст] / В. С. Бочко, Е. Н. Сидорова // Пространственная экономика. - 2011. - N 3. - С. 172-179.

УДК

^a332.1

ББК 65.04
Рубрики: Экономика
Экономическая география и региональная экономика
Кл.слова (ненормированные):
симпозиумы -- пленарные заседания -- доклады -- научные сообщения -- ученые -- институты -- круглые столы -- обзоры -- выступления -- юбилеи -- экономические исследования -- исследовательские центры -- проблемы региональной экономики -- экономика регионов -- региональная политика -- социально-экономические системы -- территориальные экономические системы -- саморазвивающиеся экономические системы -- территориальная конкуренция -- региональное инновационное развитие -- региональное развитие -- саморазвитие территорий
Аннотация: Освещается работа I Всероссийского симпозиума по региональной экономике, который проходил в Екатеринбурге 21-23 июня 2011 г. и был приурочен к двойному юбилею Института экономики Уральского отделения РАН (70 лет становления экономической академической науки на Урале и 40-летие со дня рождения).

Доп.точки доступа:
Сидорова, Елена Николаевна (кандидат экономических наук); Чарушин, В. Н. (академик РАН); Макаров, В. Л. (академик РАН); Кулешов, В. В. (академик РАН); Аносова, Л. А. (доктор экономических наук); Чичканов, В. П. (член-корреспондент РАН); Цветков, В. А. (член-корреспондент РАН); Порфирьев, Б. Н. (доктор экономических наук, профессор); Минакир, П. А. (академик РАН); Абишев, А. А. (доктор экономических наук); Валентей, С. Д. (доктор экономических наук); Кузнецов, С. В.; Татаркин, А. И. (академик РАН); Высокинский, А. Г. (кандидат экономических наук); Анимица, Е. Г. (доктор географических наук); Дорошенко, С. В. (доктор экономических наук); Важенина, И. С. (доктор экономических наук); Важенин, С. Г. (кандидат экономических наук); Лаврикова, Ю. Г. (доктор экономических наук); Акбердина, В. В. (доктор экономических наук); Зенкова, С. Б.; Кортов, В. С. (доктор физико-математических наук); Институт экономики УрО РАН; Институт экономики Уральского отделения Российской академии наук; I Всероссийский симпозиум по региональной экономике; Первый Всероссийский симпозиум по региональной экономике; 1 Всероссийский симпозиум по региональной экономике; Круглый стол "От идеи академика С. С. Шаталина о системных подходах к саморазвивающимся социально-экономическим системам"; От идеи академика С. С. Шаталина о системных подходах к саморазвивающимся социально-экономическим системам, круглый стол; Круглый стол "Презентация монографии "Территориальная конкуренция в экономическом пространстве" по итогам работы ведущей научной школы под руководством академика РАНа А. И. Татаркина"; Презентация монографии "Территориальная конкуренция в экономическом пространстве" по итогам работы ведущей научной школы под руководством академика РАНа А. И. Татаркина, круглый стол; Круглый стол "Экономические проблемы инновационного развития и становления наноиндустрии в регионах Российской Федерации"; Экономические проблемы инновационного развития и становления наноиндустрии в регионах Российской Федерации, круглый стол

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

Кортов, В. С.
Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев, Т. В. Спиридонова // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 25-31. . - Библиогр.: c. 31 (9 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
диоксид кремния -- заряжение диэлектриков -- заряжение поверхностей -- компьютерное моделирование -- электронная бомбардировка
Аннотация: Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженности электрического поля от глубины слоя материала при варьировании параметров электронного пучка, длительности облучения и потенциала на сетке вблизи поверхности образца.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.; Спиридонова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фотолюминесценция наноразмерного ксерогеля Zn[2]SiO[4] : Mn{2+} в порах анодного оксида алюминия [Текст] / К. А. Петровых [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1989-1994 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
алюминий -- анодный оксид алюминия -- кристаллография в целом -- ксерогели -- наноразмерные ксерогели -- оксид алюминия -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства композита, полученного внедрением наноразмерного люминофора Zn[2]SiO[4] : Mn{2+} в пористый анодный оксид алюминия.

Доп.точки доступа:
Петровых, К. А.; Кортов, В. С.; Гапоненко, Н. В.; Ремпель, А. А.; Руденко, М. В.; Хорошко, Л. С.; Вознесенский, С. С.; Сергеев, А. А.; Пустоваров, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Никифоров, С. В.
Роль дырочных ловушек в термолюминесценции дозиметрического пика в анион-дефектных монокристаллах alpha-Al[2]O[3] [Текст] / С. В. Никифоров, В. С. Кортов // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 9. - С. 1695-1702 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (36 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a5397.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
анион-дефектные монокристаллы -- дозиметрические пики -- дырочные ловушки -- монокристаллы -- термолюминесценция
Аннотация: Исследованы термолюминесцентные свойства анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия с различной полушириной основного (дозиметрического) пика при 400-500 K. Получены новые экспериментальные подтверждения дырочной природы ловушек, ответственных за высокотемпературную часть данного пика.

Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	155423
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)