Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Караваев, Г. Ф.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Караваев, Г. Ф.
Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика)
Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Караваев, Г. Ф.
Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AIAs (001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 45-54. . - Библиогр.: c. 53-54 (19 назв. )

УДК

^a535.33

^a539.2

ББК 22.344 + 22.37
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- псевдопотенциал -- сверхрешетки -- спектр сверхрешеток -- электронные спектры
Аннотация: В рамках упрощенных моделей резкой и "плавной" гетерограниц рассмотрены связанные с г- и Хz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AIAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs) [m] (AIAs) [n] (001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели <плавной> границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон.

Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гриняев, С. Н.
Туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с плавным потенциалом на гетерограницах [Текст] / С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 7-13. . - Библиогр.: с. 13 (6 назв. )

УДК

^a539.19

^a593.293.011

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
гексагональная сверхрешетка -- метод псевдопотенциала -- плавный интерфейсный потенциал -- туннелирование электронов -- фано-резонансы
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала изучено влияние плавного интерфейсного потенциала на туннелирование электронов в структурах GaAs/ AlAs (111) с тонкими слоями. Переходная область между компонентами структуры представлена половиной перехода гексагональной сверхрешетки (GaAs) [3] (AlAs) [3] (111). Показано, что по сравнению с моделью резкой границы учет плавного потенциала приводит к уменьшению Г-L-смешивания, сужению фано-резонансов, исчезновению интерфейсных состояний на границе GaAs/ AlAs (111). Возникающие сдвиги нижних Г- и L-резонансов в структурах с толщиной слоев <2 нм достигают значений ~0, 1 эВ и согласуются с поведением уровней в квантовых ямах. Результаты многозонного расчета коэффициента прохождения электронов с энергиями 0-0, 5 эВ от дна зоны проводимости GaAs близки к расчету, в котором учитывались только нижние состояния зоны проводимости сверхрешетки Г[1]{ (1) }, Г[1]{ (2) } и бинарных кристаллов Г[1], L[1], что указывает на возможность развития <двухдолинной> сверхрешеточной модели <плавной> границы GaAs/ AlAs (111).

Доп.точки доступа:
Караваев, Г. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Караваев, Г. Ф.
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 7. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.

Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Караваев, Г. Ф.
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 10. - С. 92-99 : рис., табл. - Библиогр.: c. 99 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовая яма -- моделирование дырочных состояний -- моделирование электронных состояний -- псевдопотенциалы -- уровень энергии -- условная сшивания
Аннотация: Проведены псевдопотенциальные расчеты электронных и дырочных состояний для различных наноструктур на основе GaN/InGaN (0001) в приближении разрывного на гетерограницах потенциала. На основе данных расчетов предложена модель для упрощенного описания этих состояний, которая включает в себя 14-зонную систему уравнений kр-теории и приближенные условия сшивания на гетерограницах. Сравнение результатов, полученных с помощью псевдопотенциальных расчетов и на основе упрощенной модели, свидетельствует о хорошей точности предложенной модели.

Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	143530
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)