Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Дроздов, Ю. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-22

Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. )

УДК

^a535.376

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты
Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа.

Доп.точки доступа:
Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Светлов, С. П.
Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа [Текст] / С. П. Светлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 118-120. - Библиогр.: с. 120 (5 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры
Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои Si/Si[1-x]Ge[x]: Er были выращены на подложках Si (100) при относительно низкой температуре 500 градусов Цельсия методом сублимации кремния в среде GeH[4].

Доп.точки доступа:
Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Шабанов, В. Н.; Денисов, С. А.; Красильник, З. Ф.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Дроздов, Ю. Н.
Диагностика покрывающих слоев в многослойных структурах с квантовыми точками InAs (N) на GaAs (001), выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 107-110. - Библиогр.: с. 110 (6 назв. ). - d, 2007, , 0

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Кл.слова (ненормированные):
многослойные структуры
Аннотация: Исследованы структуры с квантовыми точками InAs (N), выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках на GaAs (001.

Доп.точки доступа:
Данильцев, В. М.; Дроздов, М. Н.; Мурель, А. В.; Хлыкин, О. И.; Востоков, Н. В.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )

УДК

^a535.376

^a537.871.53

ББК 22.345 + 32.840/841
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Радиоэлектроника
   Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32. . - Библиогр.: c. 32 (4 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- трехслойные структуры -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное осаждение -- магнитотранспортные свойства -- полупроводники -- ферромагнетики -- магнитнооптический эффект Керра -- Керра магнитнооптический эффект
Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs).

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фазовые превращения и эффекты упорядочения в нанокристаллических углеродсодержащих пленках кремния [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1034-1037. : Рис. - Библиогр.: c. 1037 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592:539.216:548.4

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллическая структура -- нанокристаллические пленки -- пленки кремния -- просвечивающая электронная микроскопия -- рентгеноструктурный анализ -- углеродсодержащие слои кремния -- фазовые превращения -- химическая конверсия -- эпитаксильные поверхности -- эффекты упорядочения
Аннотация: Обсуждены фазовый состав, морфология поверхности и кристаллическая структура углеродсодержащих слоев кремния, получаемых на поверхности кремния методом химической конверсии.

Доп.точки доступа:
Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Тарасова, Ю. И.; Смыслова, Т. Н.; Алябина, Н. А.; Питиримова, Е. А.; Вдовин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование слоев полуметаллов MnAs и MnP для структур спинтроники [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 23-25. - Библиогр.: c. 25 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
MnAs -- MnP -- арсин -- лазерное распыление -- магнитные свойства -- полуметаллические соединения -- спиновая электроника -- ферромагнитные соединения -- Холла эффект -- электрические свойства -- эффект Холла
Аннотация: Методом лазерного распыления металлической мишени марганца в потоке водорода и арсина (фосфина) на подложках GaAs были получены полуметаллические слои MnAs и MnP.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Левчук, С. А.; Питиримова, Е. А.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов {28, 29, 30}Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5 [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 84-86 : Рис. - Библиогр.: c. 86 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a543.51:546.28

ББК 24.4
Рубрики: Химия
Аналитическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
вторично-ионная масс-спектрометрия -- изотопы {28, 29, 30}Si -- количественный безэталонный анализ -- концентрация изотопов -- кремний -- метод ВИМС -- плазмохимическое осаждение -- установка TOF. SIMS-5
Аннотация: Показана возможность количественного безэталонного определения содержания изотопов {28-30}Si в образцах кремния методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5.

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Пряхин, Д. А.; Шашкин, В. И.; Сенников, П. Г.; Поль, П. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Формирование слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1494-1496. . - Библиогр.: c. 1496 (12 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
Керра меридиональный магнитооптический эффект -- Кюри температура -- лазерное распыление -- меридиональный магнитооптический эффект Керра -- металлический марганец -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полуметаллические соединения -- рентгеновская дифракция -- температура Кюри -- феррамагнетики -- Холла эффект -- эффект Холла
Аннотация: Показано, что методика импульсного лазерного распыления металлического марганца в потоке гидридов (арсина или фосфина) позволяет формировать слои полуметаллических соединений типа MnB{5} на подложках GaAs (100).

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Прямое сравнение периодов сверхрешеток, измеренных методом рентгеновской дифрактометрии и оптической интерферометрии [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 45-48. . - Библиогр.: с. 48 (4 назв. )

УДК

^a548.73

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
вторичные ионы -- кривые дифракционного отражения -- масс-спектрометр вторичных ионов -- многослойные гетероструктуры -- оптическая интерферометрия кратера травления -- оптический профилометр -- послойный анализ -- рентгеновская дифрактометрия -- сателлитные отражения
Аннотация: Многослойные гетероэпитаксильные структуры исследованы независимыми методами: рентгеновской дифрактометрии (РД) и оптической интерферометрии кратера травления, получающегося при послойном анализе структуры на масс-спектрометре вторичных ионов.

Доп.точки доступа:
Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Новиков, А. В.; Юнин, П. А.; Юрасов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Эволюция распределения элементов в свободно висящих структурах Zr/ZrSi[2] с защитными слоями MoSi[2] и ZrSu[2] при отжиге [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 80-83. . - Библиогр.: с. 83 (3 назв. )

УДК

^a621.793.182

ББК 34.64
Рубрики: Машиностроение
Соединения деталей машин
Кл.слова (ненормированные):
вторично-ионная масс-спектрометрия -- магнетронное напыление -- многослойные структуры -- проекционная ЭУФ-литография -- свободно висящие структуры -- фильтры -- экстремальное ультрафиолетовое излучение
Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) проведен анализ распределения элементов по глубине в отожженных образцах многослойных ЭУФ-фильтров Zr/ZrSi[2] с защитными слоями MoSi[2] и ZrSu[2].

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Клюенков, Е. Б.; Лопатин, А. Я.; Лучин, В. И.; Салащенко, Н. Н.; Цыбин, Н. Н.; Шмаенок, Л. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Послойный анализ многослойных металлических структур Pd/B[4]C, Ni/C, Cr/Sc методом ВИМС с использованием кластерных вторичных ионов: проблема повышения разрешения по глубине [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 106-110. . - Библиогр.: с. 110 (8 назв. )

УДК

^a539.216.2:543.51

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вторично-ионная масс-спектрометрия -- интерференционные микроскопы -- матричные эффекты -- металлические пленки -- многослойные структуры -- электронная оже-спектроскопия -- элементный состав
Аннотация: Исследуется возможность минимизации матричных эффектов при послойном анализе многослойных металлических структур методом ВИМС, основанная на использовании кластерных вторичных ионов, включающих комбинацию анализируемого элемента и распыляющих ионов цезия либо кислорода.

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Барышева, М. М.; Полковников, В. Н.; Чхало, Н. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1291-1296. . - Библиогр.: c. 1296 (9 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
диоксид гафния -- диоксид циркония -- монокристаллы -- сверхрешетки GaSb/InAs -- фианит -- электроника
Аннотация: Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксида циркония (ZrO[2]) или гафния (HfO[2]) со стабилизирующими окислами иттрия, скандия и лантанидов - обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в электронике. В статье рассматриваются новые применения фианита в качестве монолитной подложки для получения эпитаксиальных пленок Ge, GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешеток GaSb/InAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Шенгуров, В. Г.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Магнитный полупроводник (Ga, Mn) Sb как перспективный материал для приборов спинтроники [Текст] / Ю. А. Данилов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 199-201. - Библиогр.: c. 201 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.315.592

^a537.622.4

ББК 31.233 + 22.334
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
аномальный эффект Холла -- Керра магнитнооптический эффект -- комбинационное рассеяние света -- магнитнооптический эффект Керра -- магнитные полупроводники -- метод лазерного нанесения в кварцевом реакторе -- разбавленные магнитные полупроводники -- рентгеновская дифракция -- Холла аномальный эффект
Аннотация: Представлены результаты исследования структуры, оптических и гальваномагнитных свойств слоев (Ga, Mn) Sb, выращенных методом лазерного распыления твердотельных мишеней в потоке Н[2]. Показано, что при температуре выращивания 400°С слои (Ga, Mn) Sb являются монокристаллическими вплоть до высоких концентраций Mn. Магнитополевая зависимость холловского сопротивления при температурах измерений 10-300 К содержит петлю гистерезиса, т. е. слои являются ферромагнитными полупроводниками.

Доп.точки доступа:
Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В.; Планкина, С. М.; Дунаев, В. С.; Нежданов, А. В.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V-профилирования [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23:541.51

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
C-V-профилирование -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электронные каналы -- дельта-легированные гетероструктуры -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- элементный состав
Аннотация: Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур. Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур Al[X]Ga[1-X]N/GaN с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si. с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si.

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Востоков, Н. В.; Данильцев, В. М.; Демидов, Е. В.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Ge [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1153-1157. - Библиогр.: c. 1157 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
вторичная ионная масс-спектрометрия -- квантовые ямы -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод МОГФЭ -- монокристаллические пленки -- низкоразмерные структуры -- фотолюминесценция -- химическое газовое осаждение
Аннотация: Найдены условия получения методом химического газового осаждения с горячей проволокой (HW-CVD) при низкой температуре (350 град. С) зеркально гладких, однородных по площади буферных слоев Ge на подложках Si (100) и (111). Методом МОГФЭ при пониженном давлении на новых буферных слоях получены монокристаллические однородные гладкие пленки GaN и GaAs, а также низкоразмерные структуры GaAs/QW InGaAs/GaAs/QWInGaAs/GaAs/Ge/Si. Установлено, что квантовые ямы имеют интенсивную фотолюминесценцию, сравнимую по интенсивности с полученными на подложках GaAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Звонков, Б. Н.; Бузынин, А. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Свойства гетероструктур MnSb/GaAs [Текст] / О. В. Вихрова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С. 79-81. - Библиогр.: c. 81 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.793

^a537.6

ББК 34.64 + 22.334
Рубрики: Машиностроение
   Соединения деталей машин
   Физика
   Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
Керра экваториальный эффект -- гетероструктуры -- лазерная абляция -- магнитная плоскостная анизотропия -- молекулярно-лазерная эпитаксия -- Холла эффект -- экваториальный эффект Керра -- эффект Холла
Аннотация: Слои MnSb наносились на GaAs (100) методом лазерной абляции мишеней Mn и Sb. На магнитополевых зависимостях экваториального эффекта Керра выявлены магнитная плоскостная анизотропия, а также скачкообразные изменения намагниченности. Измерения эффекта Холла показали наличие петли гистерезиса вплоть до 300 К.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Здоровейщев, А. В.; Кудрин, А. В.; Калентьева, И. Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 12.09.2024
Число запросов	28782
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)