Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Рау, Э. И.$<.>)

Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-21

Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий [Текст] / Е. Н. Евстафьева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1460-1463. - Библиогр.: c. 1463 (8 назв. )

УДК

^a539.227

^a621.385.833

ББК 22.37 + 32.85
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела
   Радиоэлектроника
   Электроника
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- зарядовые характеристики -- измерения -- кристаллы -- облучение -- поверхностные потенциалы -- природные алмазы -- экспериментальные исследования -- электронная эмиссия -- электронно-эмиссионные свойства -- электроны -- эффекты зарядки
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований процесса зарядки кристалла природного алмаза под воздействием электронного пучка с энергией первичных электронов в диапазоне 1-30 кэВ. Изучена кинетика зарядки в зависимости от дозы облучения и электронно-эмиссионных свойств кристалла. Определены такие фундаментальные характеристики, как значение второй кроссоверной равновесной энергии облучающих электронов, величины высоковольтных поверхностных потенциалов и аккумулированных зарядов.

Доп.точки доступа:
Евстафьева, Е. Н.; Дицман, С. А.; Рау, Э. И.; Чукичев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Характеризация полупроводниковых детекторов монокинетических и отраженных электронов с энергией 1-30 кэВ [Текст] / А. В. Гостев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1539-1544. . - Библиогр.: c. 1544 (12 назв. )

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые детекторы -- функции отклика -- энергетические спектры -- расчетные данные -- экспериментальные данные -- отраженные электроны -- монокинетические электроны
Аннотация: Рассмотрены основные характеристики полупроводниковых детекторов, рассчитаны их функции отклика, определены пороговые энергии отсечки как для монокинетического пучка электронов, так и при детектировании полного энергетического спектра отраженных электронов.

Доп.точки доступа:
Гостев, А. В.; Дицман, С. А.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Суханов, В. Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Евстафьева, Е. Н.
Некоторые аспекты кинетики зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками с энергией 1-50 кэВ [Текст] / Е. Н. Евстафьева, Э. И. Рау, Р. А. Сеннов // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1577-1582. : рис. - Библиогр.: c. 1582 (13 назв. )

УДК

^a539.227

^a621.385.833

ББК 22.37 + 32.851
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- электронно-эмиссионные характеристики -- диэлектрические мишени -- электронное облучение -- кинетическая модель зарядки -- вторичные электроны -- отраженные электроны
Аннотация: Экспериментально исследованы электронно-эмиссионные характеристики диэлектриков в процессе их облучения электронными пучками средних энергий с плотностью тока порядка 10{-5} A x см{-2}.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Лукьянов, Ф. А.
Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях [Текст] / Ф. А. Лукьянов, Э. И. Рау, Р. А. Сеннов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 463-472. . - Библиогр.: c. 471-472 (30 назв. )

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
твердотельные среды -- глубина пробега -- пробег электронов -- обратно рассеянные электроны -- электронно-зондовые исследования -- микротомография -- первичные электроны -- отраженные электроны
Аннотация: Проведен сравнительный анализ пробегов электронов в твердотельных средах в зависимости от начальных энергий электронов ( в диапазоне 1-50 кэВ) и характеристических параметров вещества.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Роль двойной пены в образовании наноструктурированных элементов субмикроструктуры пенобетона [Текст] / С. А. Зубехин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 429, N 5, декабрь. - С. 636-639 : 1 рис. - Библиогр.: с. 639 (11 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a66

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
пенобетон -- двойная пена -- субмикроструктура пенобетона -- неавтоклавный пенобетон -- наноструктурированные элементы
Аннотация: Изложены результаты впервые осуществленного сравнения субмикроструктуры двух принципиально различных видов неавтоклавного пенобетона-обыкновенного на базе одинарной пены и нового - на базе двойной пены.

Доп.точки доступа:
Зубехин, С. А.; Климов, С. Б.; Раховский, В. И.; Рау, Э. И.; Юдович, Б. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Роль двойной пены в образовании наноструктурированных элементов субмикроструктуры пенобетона [Текст] / С. А. Зубехин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 429, N 5, декабрь. - С. 636-639 : 1 рис. - Библиогр.: с. 639 (11 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a66

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
пенобетон -- двойная пена -- субмикроструктура пенобетона -- неавтоклавный пенобетон -- наноструктурированные элементы
Аннотация: Изложены результаты впервые осуществленного сравнения субмикроструктуры двух принципиально различных видов неавтоклавного пенобетона-обыкновенного на базе одинарной пены и нового - на базе двойной пены.

Доп.точки доступа:
Зубехин, С. А.; Климов, С. Б.; Раховский, В. И.; Рау, Э. И.; Юдович, Б. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Определение средней энергии отраженных электронов в зависимости от угла их выхода [Текст] / А. В. Гостев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1010-1019. . - Библиогр.: c. 1019 (29 назв. )

УДК

^a621.385.833:548.316

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
отраженные электроны -- полупроводниковые детекторы -- растровые электронные микроскопы -- средняя энергия отраженных электронов -- углы детектирования ОЭ -- Фарадея цилиндр -- цилиндр Фарадея -- энергетические спектры ОЭ
Аннотация: Для измерений средней энергии отраженных электронов как функции угла их вылета из поверхности применен полупроводниковый детектор. Обнаружены новые закономерности отражения электронов, в частности, выявлен немонотонный характер изменения средней энергии эмитированных электронов как функции от угла вылета и начальной энергии первичных электронов для материалов с различным атомным номером.

Доп.точки доступа:
Гостев, А. В.; Дицман, С. А.; Дюков, В. Г.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Методические аспекты электронно-зондовых исследований процессов зарядки диэлектрических мишеней [Текст] / Е. Н. Евстафьева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1020-1028. . - Библиогр.: c. 1028 (25 назв. )

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
вторичные электроны -- диэлектрические мишени -- зарядка диэлектриков -- отраженные электроны -- поляризованные окситоны -- тормозное рентгеновское излучение -- электронно-зондовые исследования -- электронные пучки
Аннотация: На примере типичного диэлектрика Al[2]O[3] исследованы основные характеристики процесса зарядки диэлектрических мишеней электронными пучками средних энергий. На основе расчетных модельных представлений и экспериментальных данных предложен новый гипотетический сценарий процесса зарядки диэлектриков, основанный на уменьшении тока вторичной эмиссии электронов вследствие эффекта образования поляризованных экситонов в положительном слое заряжающейся мишени.

Доп.точки доступа:
Евстафьева, Е. Н.; Плиес, Э.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Татаринцев, А. А.; Фрейнкман, Б. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Исследование характеристик матриц фотоприемников на основе Si Pt: Si с помощью метода наведенного потенциала [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1061-1064. : Рис. - Библиогр.: c. 1064 (7 назв. )

УДК

^a535.34:539.19

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
матрицы фотоприемников ИК-излучения -- метод наведенного потенциала -- метод Чохральского -- неразрушающий контроль -- полупроводниковые ИК-матрицы -- растровая электронная микроскопия -- рекомбинационно-активные дефекты -- тепловизоры -- Чохральского метод
Аннотация: Для исследования характеристик отдельных пикселей в матрицах на основе структур Si Pt: Si использован метод электронно-индуцированного наведенного потенциала. Показаны возможности использования этого метода для неразрушающего контроля наличия крупномасштабных (с размерами порядка нескольких мкм) рекомбинационно-активных дефектов в рабочих областях элементов матрицы.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Повышение пространственного разрешения в режиме отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии [Текст] / Н. А. Кошев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1248-1251. . - Библиогр.: c. 1251 (12 назв. )

УДК

^a543.4

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
отраженные электроны -- пространственное разрешение -- режим отраженных электронов -- сканирующая электронная микроскопия -- твердотельные мишени -- фурье-преобразование -- электронные зонды
Аннотация: Предложен метод повышения пространственного разрешения при детектировании отраженных электронов и наведенного тока в РЭМ на основе регуляризированного фурье-преобразования для обращения свертки. При построении алгоритма учитывается реальный размер электронного зонда и его размытие в твердотельной мишени-образце. Эксперименты демонстрируют улучшение разрешения на обработанных изображениях примерно в два раза.

Доп.точки доступа:
Кошев, Н. А.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Ягола, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Орликовский, Н. А.
Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии и микротомографии [Текст] / Н. А. Орликовский, Э. И. Рау // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1305-1311. . - Библиогр.: c. 1311 (20 назв. )

УДК

^a544.3

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
контраст изображений -- микротомография -- отраженные электроны -- пленочные структуры -- полупроводниковые детекторы -- растровые электронные микроскопы -- сканирующая электронная микроскопия
Аннотация: Рассмотрены основные закономерности формирования контраста изображений в режиме отраженных электронов для массивных и пленочных структур в растровом электронном микроскопе. Показано существенное влияние параметров полупроводниковых детекторов на характер контраста изображения. Приведен расчет величины контраста в зависимости от состава участков мишени, от энергии первичных электронов, от способа детектирования сигнала.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

СВЧ-РЭМ-метод наведенного тока [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1312-1314. . - Библиогр.: c. 1314 (10 назв. )

УДК

^a544.2

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
облучение -- полупроводниковые структуры -- пульсирующие зонды -- растровая электронная микроскопия -- СВЧ-РЭМ-метод -- СВЧ-сигналы -- электронные зонды
Аннотация: Рассмотрены особенности исследования полупроводниковых структур в РЭМ с приставкой для регистрации вариаций СВЧ-сигнала при облучении пульсирующим электронным зондом образца, находящегося в поле СВЧ.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Восстановление энергетических спектров отраженных электронов с учетом аппаратной функции спектрометра [Текст] / Н. А. Кошев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1070-1076. - Библиогр.: c. 1076 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
отраженные электроны -- пленка на подложке -- растровые электронные микроскопы -- слоистые мишени -- упруго отраженные электроны -- энергетические спектры
Аннотация: Решена обратная задача восстановления реального спектра обратно рассеянных электронов от массивных и слоистых мишеней с учетом аппаратной функции тороидального секторного энергоанализатора и функции отклика электронного детектора спектрометра. Приведены результаты исследований энергетических спектров ряда однородных образцов и систем “пленка на подложке”, полученных при различных энергиях пучка облучающих электронов, нормальном падении последних на поверхность и при угле детектирования отраженных электронов 45 град.

Доп.точки доступа:
Кошев, Н. А.; Орликовский, Н. А.; Рау, Э. И.; Ягола, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Исследование характеристик фоточувствительных элементов матриц фотоприемников на основе Si Pt:Si с помощью метода наведенного потенциала и просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / А. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1158-1162 : рис. - Библиогр.: c. 1162 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
дефектные пиксели -- метод наведенного потенциала -- поверхностный электронно-индуцированный потенциал -- просвечивающая электронная микроскопия -- фотоприемники ИК-излучения -- фоточувствительные элементы -- холодные столики
Аннотация: Рассматриваются возможности совместного использования сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии для исследования дефектов в элементах матриц фотоприемников ИК-излучения. Показано, что сочетание этих методов позволяет в полной мере реализовать возможности высоковольтной просвечивающей микроскопии для выявления дефектов, ухудшающих параметры матриц.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Уваров, О. В.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А.; Золотарев, В. И.; Лыткин, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Рау, Э. И.
Контраст изображений примесных областей в полупроводниковых кристаллах в растровом электронном микроскопе [Текст] / Э. И. Рау, А. М. Тагаченков // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 8. - С. 1041-1046 : рис. - Библиогр.: c. 1046 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833:519.633

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
контраст изображений -- микроканальные пластины -- микроструктура -- полупроводниковые кристаллы -- примесные области -- растровые электронные микроскопы
Аннотация: Представлен критический обзор современного состояния проблемы визуализации локальных примесных областей в полупроводниковых кристаллах в РЭМ. Предложено новое физико-техническое решение мониторинга распределения примесей в легированных областях, позволяющее в разы увеличить контраст изображения примесных участков в широком диапазоне концентраций.

Доп.точки доступа:
Тагаченков, А. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Анализ формул для расчета основных характеристик отраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами [Текст] / Э. И. Рау [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 8. - С. 1050-1058. - Библиогр.: c. 1057-1058 (28 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.25:620.187

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аналитические формулы -- коэффициенты отраженных электронов -- отраженные электроны -- растровые электронные микроскопы -- энергетические спектры
Аннотация: Выведены полуэмпирические соотношения для основных параметров отраженных электронов в растровом электронном микроскопе: коэффициента отражения, средней и наиболее вероятной энергии, энергетических спектров, зависимости энергии отраженных электронов от угла выхода. Показано, что характеристика энергетической зависимости имеет максимум в области углов отраженных электронов тета = 65°-75°.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Зайцев, С. В.; Лермонтов, Н. В.; Лукьянов, А. Е.; Купреенко, С. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Рау, Э. И. (кандидат экономических наук).
Страхование ответственности за неисполнение обязательств по выплате заработной платы работникам в случае банкротства организации [Текст] / Э. И. Рау // Финансы и кредит. - 2014. - № 3. - С. 51-55 : табл. - Библиогр.: с. 55 (2 назв. ) . - ISSN 2071-4688

УДК

^a368

ББК 65.271
Рубрики: Экономика
Страхование
Кл.слова (ненормированные):
банкротство работодателей -- выходные пособия -- договор о реализации турпродукта -- заработная плата -- невыплаченная зарплата -- ненадлежащее исполнение обязательств -- ответственность работодателя по зарплате -- ответственность туроператоров -- расчет страхового тарифа -- реализация туристического продукта -- страхование ответственности по зарплате -- страхование рисков -- страховые компании -- туристический продукт -- формирование страхового фонда
Аннотация: Исследуется возможность предоставления услуг страхования рисков страховыми компаниями для покрытия ущерба работникам по невыплаченной заработной плате и выходным пособиям в случае банкротства работодателя и предлагается методика расчета соответствующего страхового тарифа. В качестве базовой модели для расчета тарифа формирования страхового фонда предлагается взять модель расчета базовых страховых тарифов по страхованию гражданской ответственности туроператоров за неисполнение или ненадлежащее исполнение обязательств по договорам о реализации туристического продукта.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

19.

Электронно-лучевая зарядка диэлектриков, предварительно облученных ионами и электронами средних энергий [Текст] / Э. И. Рау [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 8. - С. 1504-1513 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (35 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- зарядка диэлектриков -- ионы -- средние энергии -- электронно-лучевая зарядка -- электроны средних энергий
Аннотация: Изучены эффекты зарядки диэлектрических мишеней при облучении электронами средних энергий в сканирующем электронном микроскопе.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Татаринцев, А. А.; Зыкова, Е. Ю.; Иваненко, И. П.; Купреенко, С. Ю.; Миннебаев, К. Ф.; Хайдаров, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Миннебаев, К. Ф.
Зарядка диэлектриков при бомбардировке ионами Ar{+} средних энергий [Текст] / К. Ф. Миннебаев, Э. И. Рау, А. А. Татаринцев // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 6. - С. 1090-1093 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
бомбардировка ионами -- диэлектрики -- зарядка диэлектриков -- ионы средних энергий -- средняя энергия
Аннотация: Измерения ионно-эмиссионных характеристик, аккумулируемых зарядов и поверхностного потенциала показали эффективную зарядку до высоких положительных потенциалов, близких по значению к потенциалу ионной пушки.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Татаринцев, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-21

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	48779
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)