Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Лукьянов, Ф. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12

Демографическая модернизация России в ХХ веке [Текст] / Е. Г. Ясин и [др. ] // Общественные науки и современность. - 2007. - N 3. - С. . 128-140

УДК

^a314.15

ББК 60.74
Рубрики: Демография--Демографическая политика, 1900-2000
Россия
Кл.слова (ненормированные):
демографическая ситуация -- демографическая модернизация -- численность населения -- депопуляция -- миграция -- смертность -- заседания
Аннотация: Представлен материал заседания Фонда "Либеральная миссия", где обсуждался широкий круг проблем, как непосредственно затронутых в монографии "Демографическая модернизация России, 1900-2000", так и вытекающих из анализа ее содержания.

Доп.точки доступа:
Ясин, Е. Г. (руководитель Фонда "Либеральная миссия") \.\; Вишневский, А. Г. \.\; Захаров, С. В. \.\; Арбатов, А. Г. (член-корреспондент РАН) \.\; Дондурей, Д. Б. \.\; Зимин, Д. Б. \.\; Капелюшников, Р. И. \.\; Левада, Ю. А. \.\; Лукьянов, Ф. А. \.\; Переведенцев, В. И. \.\; Рощин, С. Ю. \.\; Урнов, М. Ю. \.\; Энтов, Р. М. (академик РАН) \.\; Плискевич, Н. М. \.\

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Характеризация полупроводниковых детекторов монокинетических и отраженных электронов с энергией 1-30 кэВ [Текст] / А. В. Гостев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1539-1544. . - Библиогр.: c. 1544 (12 назв. )

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые детекторы -- функции отклика -- энергетические спектры -- расчетные данные -- экспериментальные данные -- отраженные электроны -- монокинетические электроны
Аннотация: Рассмотрены основные характеристики полупроводниковых детекторов, рассчитаны их функции отклика, определены пороговые энергии отсечки как для монокинетического пучка электронов, так и при детектировании полного энергетического спектра отраженных электронов.

Доп.точки доступа:
Гостев, А. В.; Дицман, С. А.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Суханов, В. Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. . - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN
Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Лукьянов, Ф. А.
Глубина пробега первичных электронов, размытие электронного пучка и пространственное разрешение в электронно-зондовых исследованиях [Текст] / Ф. А. Лукьянов, Э. И. Рау, Р. А. Сеннов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 463-472. . - Библиогр.: c. 471-472 (30 назв. )

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
твердотельные среды -- глубина пробега -- пробег электронов -- обратно рассеянные электроны -- электронно-зондовые исследования -- микротомография -- первичные электроны -- отраженные электроны
Аннотация: Проведен сравнительный анализ пробегов электронов в твердотельных средах в зависимости от начальных энергий электронов ( в диапазоне 1-50 кэВ) и характеристических параметров вещества.

Доп.точки доступа:
Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гетероэпитаксиальные пленки соединений A{III}B{V} на подложках и буферных слоях фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 511-516. . - Библиогр.: c. 516 (10 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксильные пленки -- многослойные структуры -- фотолюминесценция -- вторично-ионная миасс-спектроскопия -- метод МОГФЭ -- буферные слои -- пленки GaN -- фианит -- растровая электронная микроскопия
Аннотация: На фианитовых подложках методом МОГФЭ получены эпитаксильные пленки GaAs, GaSb, AlGaAs и InGaAs, а также многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для PHEMT-полевых транзисторов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Парафин, А. Е.; Мурель, А. В.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Определение средней энергии отраженных электронов в зависимости от угла их выхода [Текст] / А. В. Гостев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1010-1019. . - Библиогр.: c. 1019 (29 назв. )

УДК

^a621.385.833:548.316

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
отраженные электроны -- полупроводниковые детекторы -- растровые электронные микроскопы -- средняя энергия отраженных электронов -- углы детектирования ОЭ -- Фарадея цилиндр -- цилиндр Фарадея -- энергетические спектры ОЭ
Аннотация: Для измерений средней энергии отраженных электронов как функции угла их вылета из поверхности применен полупроводниковый детектор. Обнаружены новые закономерности отражения электронов, в частности, выявлен немонотонный характер изменения средней энергии эмитированных электронов как функции от угла вылета и начальной энергии первичных электронов для материалов с различным атомным номером.

Доп.точки доступа:
Гостев, А. В.; Дицман, С. А.; Дюков, В. Г.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование характеристик матриц фотоприемников на основе Si Pt: Si с помощью метода наведенного потенциала [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1061-1064. : Рис. - Библиогр.: c. 1064 (7 назв. )

УДК

^a535.34:539.19

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
матрицы фотоприемников ИК-излучения -- метод наведенного потенциала -- метод Чохральского -- неразрушающий контроль -- полупроводниковые ИК-матрицы -- растровая электронная микроскопия -- рекомбинационно-активные дефекты -- тепловизоры -- Чохральского метод
Аннотация: Для исследования характеристик отдельных пикселей в матрицах на основе структур Si Pt: Si использован метод электронно-индуцированного наведенного потенциала. Показаны возможности использования этого метода для неразрушающего контроля наличия крупномасштабных (с размерами порядка нескольких мкм) рекомбинационно-активных дефектов в рабочих областях элементов матрицы.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Повышение пространственного разрешения в режиме отраженных электронов в сканирующей электронной микроскопии [Текст] / Н. А. Кошев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1248-1251. . - Библиогр.: c. 1251 (12 назв. )

УДК

^a543.4

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
отраженные электроны -- пространственное разрешение -- режим отраженных электронов -- сканирующая электронная микроскопия -- твердотельные мишени -- фурье-преобразование -- электронные зонды
Аннотация: Предложен метод повышения пространственного разрешения при детектировании отраженных электронов и наведенного тока в РЭМ на основе регуляризированного фурье-преобразования для обращения свертки. При построении алгоритма учитывается реальный размер электронного зонда и его размытие в твердотельной мишени-образце. Эксперименты демонстрируют улучшение разрешения на обработанных изображениях примерно в два раза.

Доп.точки доступа:
Кошев, Н. А.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Ягола, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1291-1296. . - Библиогр.: c. 1296 (9 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
диоксид гафния -- диоксид циркония -- монокристаллы -- сверхрешетки GaSb/InAs -- фианит -- электроника
Аннотация: Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксида циркония (ZrO[2]) или гафния (HfO[2]) со стабилизирующими окислами иттрия, скандия и лантанидов - обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в электронике. В статье рассматриваются новые применения фианита в качестве монолитной подложки для получения эпитаксиальных пленок Ge, GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешеток GaSb/InAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Шенгуров, В. Г.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

СВЧ-РЭМ-метод наведенного тока [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1312-1314. . - Библиогр.: c. 1314 (10 назв. )

УДК

^a544.2

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
облучение -- полупроводниковые структуры -- пульсирующие зонды -- растровая электронная микроскопия -- СВЧ-РЭМ-метод -- СВЧ-сигналы -- электронные зонды
Аннотация: Рассмотрены особенности исследования полупроводниковых структур в РЭМ с приставкой для регистрации вариаций СВЧ-сигнала при облучении пульсирующим электронным зондом образца, находящегося в поле СВЧ.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Исследование характеристик фоточувствительных элементов матриц фотоприемников на основе Si Pt:Si с помощью метода наведенного потенциала и просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / А. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1158-1162 : рис. - Библиогр.: c. 1162 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.385.833

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
дефектные пиксели -- метод наведенного потенциала -- поверхностный электронно-индуцированный потенциал -- просвечивающая электронная микроскопия -- фотоприемники ИК-излучения -- фоточувствительные элементы -- холодные столики
Аннотация: Рассматриваются возможности совместного использования сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии для исследования дефектов в элементах матриц фотоприемников ИК-излучения. Показано, что сочетание этих методов позволяет в полной мере реализовать возможности высоковольтной просвечивающей микроскопии для выявления дефектов, ухудшающих параметры матриц.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Уваров, О. В.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А.; Золотарев, В. И.; Лыткин, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 19.07.2024
Число запросов	21093
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)