Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (59)

Труды АМГУ (12)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)

Общее количество найденных документов : 419
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

22.379
К 72

Костюков, Н. С.
Локальное поле в диэлектриках [Текст] / Н.С. Костюков, С.М. Соколова // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 35 : Естественные и экономические науки. - С. 13-17

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
релаксационная поляризация, упругая составляющая -- релаксационные частоты -- локальное поле

Доп.точки доступа:
Соколова, С.М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)
Свободны: ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)

Найти похожие

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Сравнительный анализ спектральных функций для вынужденных резонансных и заторможенных колебаний линейного осциллятора [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - N 35. - С. 17-22

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
спектральная функция, сравнительный анализ -- линейный осциллятор -- заторможенные колебания, вынужденные резонансные колебания

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)
Свободны: ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1), аб. (2)

Найти похожие

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Экспоненциальная функция насыщения поляризации [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33 : Естественные и экономические науки. - С. 32-34

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики, равновесное состояние, переход -- внешнее электрическое поле -- функция релаксации -- поляризация диэлектрика -- экспоненциальная функция насыщения -- функция Ланжевена -- петля гитерезиса

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)
Свободны: аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)

Найти похожие

22.379
Л 84

Лукичев, А. А.
Моделирование гистерезисных зависимостей для диэлектриков [Текст] / А.А. Лукичев, В.В. Ильина, Г.Б. Щекина // Вестник Амурского государственного университета. - 2006. - Вып. 33 : Естественные и экономические науки. - С. 34-37

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
линейный гитерезис -- гитерезисные явления -- гитерезисная петля, математическая модель -- функция насыщения, изменение -- поляризация диэлектрика

Доп.точки доступа:
Ильина, В.В.; Щекина, Г.Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)
Свободны: аб. (2), ч.з. (1), эн.ф. (1), н.з. (1)

Найти похожие

Лукичев, А. А.
Основные признаки релаксационной поляризации [Текст] / Лукичев А. А., Ильина В. В. // Электричество. - 2007. - N 12. - С. 47-50 : 2 рис. - Библиогр.: с. 50 (13 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- поляризация релаксационная -- признаки существенные -- релаксационная поляризация -- существенные признаки
Аннотация: Проанализированы отмеченные на сегодня в литературе признаки и определения релаксационной поляризации. Выделены четыре наиболее существенных признака и сформулировано определение релаксационной поляризации.

Доп.точки доступа:
Ильина, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

Соболев, В. Вал.
Электронная структура и оптические свойства кристаллов группы III-VI [Текст] / В. Вал. Соболев, В. В. Соболев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 524-531. - Библиогр.: c. 530-531 (15 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
электронная структура -- оптические свойства -- кристаллы -- теоретические расчеты -- параметры переходов -- энергия собственного поглощения -- поляризованные спектры
Аннотация: Определены поляризованные спектры полных комплексов оптических функций кристаллов GaS, GaSe, InSe, GaTe, InS, TlSe в широкой области энергии собственного поглощения.

Доп.точки доступа:
Соболев, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)

Найти похожие

Москаль, Д. С.
Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
Физика
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.

Доп.точки доступа:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рябинкина, Л. И.
Сульфидные соединения Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co) : технология, транспортные свойства и магнитное упорядочение [Текст] / Л. И. Рябинкина, О. Б. Романова, С. С. Аплеснин // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 8. - С. 1115-1117. . - Библиогр.: c. 1117 (9 назв. )

УДК

^a537.311.3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
сульфидные соединения -- электронные переходы -- магнитные переходы -- транспортные свойства -- магнитное упорядочение -- колоссальное магнитосопротивление -- проводимость -- рентгеноструктурный анализ -- Me[x]Mn[1-x]S -- кристаллическая структура
Аннотация: В катионзамещенных сульфидах марганца Me[x]Mn[1-x]S (Me=Cr, Fe, V, Co), синтезированных на основе альфа-MnS, установлены электронные переходы металл-диэлектрик и магнитные переходы антиферромагнитный проводник - ферромагнитный металл.

Доп.точки доступа:
Романова, О. Б.; Аплеснин, С. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Кортов, В. С.
Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 6. - С. 79-85. : 3 рис. - Библиогр.: с. 85 (17 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- электроны -- кристаллические диэлектрики -- диэлектрики
Аннотация: На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС).
Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик [Текст] / И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43 : Естеств. и экон. науки. - С. 19-22 : 3 рис.; 2 табл. - Библиогр.: с. 22 (6 назв.) . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

^A539.2

^A537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
керамика -- математические модели -- керамические диэлектрики -- корундовая керамика -- диэлектрические спектры керамики -- диэлектрическая проницаемость -- композиционные электрокерамики -- методики расчета
Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации.

Доп.точки доступа:
Жилиндина, Ольга Викторовна (ассистент каф. ИиУС)

Имеются экземпляры в отделах: всего 5 : аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)
Свободны: аб. (2), н.з. (1), эн.ф. (1), ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Орлов, М. Л.
Выходные характеристики короткоканального полевого транзистора In[053], Ga[0, 47], As/In[0, 52], Al[0, 48], As с двумерным электронным газом и особенности генерации им терагерцевого излучения [Текст] / М. Л. Орлов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 115-118. . - Библиогр.: c. 118 (9 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
короткоканальные полевые транзисторы -- двумерный электронный газ -- терагерцевое излучение -- выходные характеристики -- резонансная генерация -- дрейфовая скорость -- циклотронная частота электронов
Аннотация: Проведены измерения излучающих характеристик полевого транзистора.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Карпович, И. А.
Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs [Текст] / И. А. Карпович, О. Е. Хапугин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122. . - Библиогр.: c. 122 (6 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фотомагнитные эффекты -- ФМЭ -- гетеронаноструктуры -- ГНС -- эпитаксиальные слои -- квантово-размерные слои -- гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.

Доп.точки доступа:
Хапугин, О. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Прудаев, И. А.
Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41. . - Библиогр.: c. 41 (8 назв. )

УДК

^a621.78

^a537.311.33

ББК 34.65 + 22.379
Рубрики: Машиностроение
   Упрочнение металлов
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- диффузия железа -- коэффициент диффузии -- температурная зависимость
Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs.

Доп.точки доступа:
Хлудков, С. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Вайсбурд, Д. И.
Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока [Текст] / Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 10-16. . - Библиогр.: c. 15-16 (15 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- интенсивные электронные пучки -- ионизация донорного центра -- прыжковая проводимость -- термические флуктуации -- туннелирование -- эффект Пуля - Френкеля
Аннотация: Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 нс относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Евдокимов, К. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

16.

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

17.

Тимохин, В. М.
Исследование туннельного эффекта и диэлектрических параметров в кристаллах -LiIO[3] [Текст] / В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 39-42. . - Библиогр.: c. 42 (15 назв. )

УДК

^a539.2

^a537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- лазерные монокристаллы иодата лития -- протонная проводимость -- релаксатор -- туннельный эффект -- фактор диэлектрических потерь
Аннотация: Исследованы температурно-частотные спектры альфа-LiIO [3] лазерных монокристалловиодата лития в диапазоне температур 77-450 К и частот 5-10 {8] Гц. Анализ этих спектров и диаграмм Коула-Коула показал наличие туннелирования носителей заряда и существование нескольких видов релаксаторов. Определен диапазон температур существования туннельного эффекта.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Тимохин, В. М.
Механизм диэлектрической релаксации и протонная проводимость в наноструктуре альфа-LilО[3] [Текст] / В. М. Тимохин // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 46-50. . - Библиогр.: с. 50 (15 назв. )

УДК

^a537.2

^a539.2

^a537.311.33

ББК 22.331 + 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
   Электростатика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- наноструктуры -- протонная проводимость -- релаксатор -- туннельный эффект -- фактор диэлектрических потерь -- энергия активации
Аннотация: Исследовались термостимулированные токи деполяризации, в результате анализа которых разработан механизм диэлектрической релаксации в кристаллах альфа -LilО[3], имеющего расстояние между узлами решетки порядка 0, 55 нм. Этот механизм обусловлен образованием дефектов H[3]0{+} и 0H{-} в результате смещения протона вдоль валентной связи в молекулах воды и последующей его миграции посредством туннелирования как внутри ионов IO[3], так и между этими ионами в соседних слоях. Кроме того, поставщиками протонов являются протонодонорные примеси НlО[3] и Нl[3]О[8]. Дано объяснение появления отрицательного максимума термостимулированных токов деполяризации, обусловленного <ложными> петлями гистерезиса, связанными с отставанием проводимости.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Еремеев, С. В.
Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110) [Текст] / С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 393-399. . - Библиогр.: с. 399

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
спиновая поляризация -- атомы -- поляризация -- структуры -- свойства -- граница раздела -- электронная структура -- магнитные свойства границы раздела -- конфигурации контактных атомов -- контактные атомы
Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов.

Доп.точки доступа:
Бакулин, А. В.; Кулькова, С. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом [Текст] / М. А. Панков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355. . - Библиогр.: с. 354-355

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
двумерный дырочный газ -- дырочный газ -- газы -- марганец -- структуры -- свойства -- квантовая яма -- ферромагнитный переход -- транспортные свойства структур
Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Субботин, И. А.; Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Фарзетдинова, Р. М.; Рыльков, В. В.; Аронзон, Б. А.; Лайхо, Р.; Мейлихов, Е. З.; Давыдов, А. Б.; Лихачев, И. А.; Лашкул, А. В.; Панков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Тематический навигатор

Статистика за 25.06.2024
Число запросов	18205
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)