Библиотека Амурского Государственного Университета

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводниковые материалы и изделия<.>)

Общее количество найденных документов : 72
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-72

1.

Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы
Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.

Металлическая проводимость в асимметричных квантовых ямах p-In[x]Ga[1-x]As [Текст] / А. В. Германенко [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 236-239. - Библиогр.: c. 239 (16 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
температурная зависимость -- двумерный дырочный газ -- проводимость -- металлическая температурная зависимость -- асимметричное легирование -- эффект Бычкова-Рашбы -- квантовые ямы -- Бычкова-Рашбы эффект -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследована температурная зависимость двумерного дырочного газа в асимметричной квантовой яме GaAs/Ga[1-x]As/GaAs. Показано, что быстрая спиновая релаксация приводит к металлическому ходу температурной зависимости проводимости.

Доп.точки доступа:
Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шерстобитов, А. А.; Звонков, Б. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.

Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 265-267. - Библиогр.: c. 267 (7 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические переходы -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- туннельно-связанные квантовые ямы GaAs/AlGaAs -- внутризонное поглощение -- квантовые ямы -- спектры излучения -- температурная зависимость -- электролюминесценция
Аннотация: Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Ganichev, S. D.; Danilov, S. N.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Жуков, А. Е.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.

Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста
Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.

Моисеев, А. Г.
Исследование кинетических явлений в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. 76-88. - Библиогр.: c. 87-88 (23 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическия явления -- поликристаллы кремния -- поперечное магнетосопротивление -- термоЭДС -- холловский фактор -- эластопроводимость
Аннотация: Получена формула для расчета времени релаксации носителей заряда при их рассеянии как на неупорядоченной сетке атомов поликристалла кремния, так и на системе неупорядоченных потенциальных барьеров, возникающих на поверхностях кристаллитов изотропного поликристалла кремния. Дается анализ времени релаксации дырок, проводится расчет температурной зависимости подвижности дырок в поликристаллическом кремнии р-типа. Приведен расчет холловского фактора, дифференциальной термоЭДС, поперечного магнетосопротивления и коэффициентов эластопроводимости.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

7.

Марьянчук, П. Д.
Гигантское магнитосопротивление в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Te [Текст] / П. Д. Марьянчук, Э. В. Майструк // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 28-33. - Библиогр.: c. 33 (15 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные кластеры -- гигантское магнитосопротивление -- кристаллы Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те -- магнитосопротивление -- полупроводники -- ферромагнитные кластеры
Аннотация: Гигантское магнитосопротивление обусловлено наличием в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те кластеров с ''антиферромагнитным'' и ''ферромагнитным'' упорядочением. Эффект гигантского магнитосопротивления связан с тем, что носители заряда, которые принимают участие в электрическом токе, взаимодействуют с намагниченной до насыщения ''ферромагнитной'' кластерной подсистемой и становятся спин-поляризованными. Именно такие носители заряда сильно рассеиваются на ''антиферромагнитных'' кластерах, поскольку магнитные моменты внутри кластеров и результирующие магнитные моменты этих кластеров имеют хаотическую ориентацию. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов до и после термообработки показали отсутствие существенной связи между гигантским магнитосопротивлением и концентрацией носителей заряда, их подвижностью и зонными параметрами, полученными до и после термообработки кристаллов.

Доп.точки доступа:
Майструк, Э. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

8.

Камилов, И. К.
Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры
Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

9.

Сазонов, И. Ю.
Тепловое сопротивление высоковольтных полупроводниковых приборов в схемах СТК и СТАТКОМ [Текст] / Сазонов И. Ю. // Электрические станции. - 2008. - N 2. - С. 67-68 : 4 рис.

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
IGBT -- IGCT -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- оксиды металлов -- полупроводники -- полупроводниковые приборы высоковольтные -- сопротивление тепловое -- СТАТКОМ -- СТК -- тепловое сопротивление
Аннотация: В статье рассматривается, каким образом классифицируют приборы в корпусах таблеточного (IGCT) и модульного (IGBT) исполнений с мощными кристаллами по тепловому сопротивлению полупроводников на основе оксидов металлов.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

10.

Мета, Н.
Компенсационный эффект при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах Se[80-x]Ge[20]In[x] и Se[78-x]Ge[22]Bi[x] [Текст] / Н. Мета, С. К. Аграхари, А. Кумар // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 50-51 (36 назв. )

УДК

ББК 31.233 + 22.361
Рубрики: Физика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
закон компенсации -- изотермическая кристаллизация -- компенсационный эффект при изотермической кристаллизации -- Мейера-Нелдела правило -- правило Мейера-Нелдела -- стеклообразные сплавы
Аннотация: Многие активационные процессы подчиняются закону компенсации или правилу Мейера-Нелдела. В настоящей работе приводятся результаты исследования компенсационного эффекта при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах. Обнаружено, что для этих соединений соотношение между предэкспоненциальным множителем К[0] и энергией активации кристаллизации Е[c] подчиняется правилу Мейера-Нелдела.

Доп.точки доступа:
Аграхари, С. К.; Кумар, А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Кортов, В. С.
Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, С. В. Звонарев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов
Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Марьянчук, П. Д.
Магнитные свойства кристаллов H[g1-x]Mn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. )

УДК

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Энергетика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- интервал температур -- атомы -- полупроводники
Аннотация: Магнитные восприимчивость ( ) кристаллов H[g1-x]Mn[x]S исследована в интервале температур = 77-300 К при Н = 4кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах компонент. Установлено, что особенности обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах компонент приводит к изменению размеров существующих в кристалле кластеров и даже к "рассасыванию" включений второй фазы.

Доп.точки доступа:
Андрущак, Г. О.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Ивакин, В. Н.
Устройства продольной компенсации на полностью управляемых силовых полупроводниковых приборах [Текст] / В. Н. Ивакин, А. А. Магницкий // Электротехника. - 2008. - N 10. - С. 47-57.

УДК

ББК 31.233 + 31.279
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Линии электропередачи и электрические сети
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- силовые полупроводниковые приборы -- управляемая продольная компенсация -- электроэнергетические системы -- управляемая электропередача переменного тока -- тиристорно-управляемые устройства -- безреакторные устройства продольной компенсации -- линии электропередачи
Аннотация: Рассмотрены характеристики безреакторного устройства продольной компенсации (БУПК) на полностью управляемых силовых полупроводниковых приборах для создания гибких (управляемых) линий электропередачи переменного тока.

Доп.точки доступа:
Магницкий, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

14.

Борблик, В. Л.
Проявление эффектов разупорядочения в избыточном туннельном токе сильно легированных кремниевых диодов [Текст] / В. Л. Борблик, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1108-1110. . - Библиогр.: c. 1110 (11 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры случайные -- диоды -- кремниевые диоды -- легированные диоды -- низкие температуры -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- термотуннелирование -- туннельный ток -- эффекты неупорядоченности
Аннотация: Измерена температурная зависимость прямого тока в сильно легированных кремниевых p-n-диодах при низких температурах, когда проводимость осуществляется туннелированием. В области самых низких температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, а в области более высоких температур - "сверхэкспоненциальная" зависимость диодного тока от температуры, которую можно объяснить термотуннелированием сквозь некие случайные потенциальные барьеры.

Доп.точки доступа:
Шварц, Ю. М.; Шварц, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Каримов, М. А.
Косонапыленные пленки CdTe : In с аномальными фотовольтаическими свойствами [Текст] / М. А. Каримов, Н. Х. Юлдашев // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1186-1188. . - Библиогр.: c. 1188 (5 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аномальный фотовольтаический эффект -- вольт-амперные характеристики -- короткое замыкание -- легирование -- легированные пленки -- поликристаллические пленки -- термическая обработка
Аннотация: Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим свойством, позволяющая увеличить на порядок фотонапряжение, а ток короткого замыкания - более чем на два порядка.

Доп.точки доступа:
Юлдашев, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Влияние давления на температурную зависимость теплопроводности антимонида индия [Текст] / Я. Б. Магомедов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 10. - С. 1526-1528. . - Библиогр.: c. 1528 (17 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
теплопроводность -- антимонид индия -- температурная зависимость -- экспериментальные данные -- гидростатическое давление
Аннотация: Исследована зависимость теплопроводности InSb от температуры (300-450 K) и давления (до 0. 4 ГПа).

Доп.точки доступа:
Магомедов, Я. Б.; Эмиров, С. Н.; Краминина, Н. Л.; Рамазанова, А. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Вейс, А. Н.
Оптическое поглощение в Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3] в области края фундаментальной полосы [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 50-52. . - Библиогр.: c. 52 (14 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптическое поглощение -- пленки Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3] -- спектральные зависимости коэффициента оптического поглощения -- твердые растворы -- термоэлектрические устройства
Аннотация: При Т=145 и 300 К исследованы спектральные зависимости коэффициента оптического поглощения в пленках Bi[0, 5]Sb[1, 5]Te[3], выращенных на подложках из слюды и КВr.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Войцеховский, А. В.
Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. . - Библиогр.: c. 18 (23 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия
Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.

Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Двуреченский, А. В.
Физические явления и технологии в основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками для ИК-диапазона [Текст] / А. В. Двуреченский, А. И. Якимов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 71-75. : Рис. - Библиогр.: c. 75 (9 назв. )

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые наноструктуры -- квантовые точки -- ИК-фотоприемники -- электронные свойства -- наносистемы -- однородность -- плотность
Аннотация: Проведен анализ проблем и подходов в их решении для полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками применительно к фотоприемникам ИК-диапазона.

Доп.точки доступа:
Якимов, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Королев, А. Н.
Особенности кинетики электролитического анодирования наноструктур Ta-GaAs и Nb-GaAs [Текст] / А. Н. Королев, В. Н. Котов, Л. П. Милешко // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 42-44 . - ISSN 0015-3214

УДК

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- электролитическое анодирование -- комбинированные оксидные пленки -- полупроводники -- оксидные пленки металлов -- вентильные металлы -- имплантирование -- диэлектрические покрытия -- легированные диэлектрические покрытия -- двухслойные диэлектрические покрытия
Аннотация: Методом анодного окисления пленок Ta и Nb на GaAsp-типа получены комбинированные оксидные пленки металлов и полупроводника.

Доп.точки доступа:
Котов, В. Н.; Милешко, Л. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-72

Стандартный

Расширенный

Профессиональный

Распределенный

По словарю

ГРНТИ-навигатор

УДК-навигатор

ББК-навигатор

Тематический навигатор

Статистика за 27.09.2024
Число запросов	49489
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)