Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=AlN<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

Механические свойства структур AlN/Si в условиях низкоинтенсивного бета-облучения [Текст] / А. А. Дмитриевский [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 229-232 : Рис. - Библиогр.: c. 232 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.12.043:539.211

ББК 22.382
Рубрики: Физика
Элементарные частицы
Кл.слова (ненормированные):
алмазный зонд Берковича -- Берковича алмазный зонд -- бета-излучение -- индентирование -- индентирующие элементы -- микротвердость -- нанотвердость -- низкоинтенсивное бета-излучение -- отслоение -- сканирующая электронная микроскопия -- тонкие пленки -- трещины
Аннотация: Методом динамического микро- и наноиндентирования исследованы механические свойства структур AlN/Si, подверженных бета-облучению с флюенсом F = 3. 6 х 10{10} см{-2}. Обнаружено бета-индуцированное увеличение радиальных трещин в окрестности отпечатков индентора.

Доп.точки доступа:
Дмитриевский, А. А.; Ефремова, Н. Ю.; Вихляева, Е. М.; Коренков, В. В.; Шуклинов, А. В.; Бадылевич, М. В.; Федоренко, Ю. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Nonlinear magnetoelectric effect in multiferroic nanostructure TbCo/FeCo-AlN in high frequency electromagnetic field [Text] = Нелинейный магнетоэлектрический эффект в наноструктурах мультиферроиков TbCo/FeCo-AlN в высокочастотном электромагнитном поле / Yu. Ignatov [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - Т. 3, № 3. - С. 28-35 : рис. - Библиогр.: c. 35 (26 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a669.017

ББК 22.37 + 34.2
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Технология металлов
   Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокие частоты -- высокочастотные электромагнитные поля -- магнетоэлектрические эффекты -- магнитная анизотропия -- мультиферроики -- наноструктуры мультиферроиков -- резонансные частоты
Аннотация: Нелинейный резонансный магнетоэлектрический эффект, индуцированный высокочастотным электромагнитным полем в тонкопленочной композитной структуре мультиферроика, изучен экспериментально и описан теоретически. Эффект изучали в условиях спин-реориентированного перехода в магнетострикционной наноструктуре. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными по зависимости низкочастотного магнетоэлектрического напряжения от магнитного поля и поглощения высокочастотной мощности. Показано, что в магнетострикционной наноструктуре вклад проводимости в ширину FMR линии является относительно слабым. Необычное исчезновение FMR линии в фазе насыщения, где намагниченность коллинеарна намагничивающему полю, объясняется специфической геометрией эксперимента и сильным высокочастотным поглощением.

Доп.точки доступа:
Ignatov, Yu.; Klimov, A. A.; Tiercelin, N.; Talbi, A.; Nikitov, S.; Pernod, P.; Preobrazhensky, V.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Диффузия и деформации в гетеросистемах со сверхрешетками GaN/AlN по данным EXAFS спектроскопии [Текст] / С. Б. Эренбург [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1312-1316. - Библиогр.: c. 1316 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a544.171.6

^a537.61

ББК 24.51 + 22.37
Рубрики: Химия
   Химическая связь и строение молекул
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
EXAFS-спектроскопия -- GaN/AlN-сверхрешетки -- аммиачная МЛЭ -- квантовые ямы -- малоугловое рассеяние -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- электронная микроскопия высокого разрешения
Аннотация: Методом аммиачной МЛЭ синтезированы многослойные образцы с предельно узкими квантовыми ямами GaN в матрице AlN. С использованием метода EXAFS-спектроскопии, электронной микроскопии высокого разрешения, малоуглового рассеяния определены параметры микроструктуры, установлена их связь с морфологией GaN/AlN-сверхрешеток. Обнаружено влияние условий роста и толщины сверхрешеток на перемешивание в приграничных слоях и оптические свойства.

Доп.точки доступа:
Эренбург, С. Б.; Трубина, С. В.; Журавлев, К. С.; Малин, Т. В.; Печ, Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Amirabbasi, M.
The role of AlGaN buffers and channel thickness in the electronic transport properties of Al[x]In[1-x]N/AlN/GaN heterostructures [Text] / M. Amirabbasi // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 149, вып. 1. - С. 181-186. - Библиогр.: с. 186 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- транспортные свойства

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- SiC/Si -- выращенные пленки -- пироэлектрический отклик -- пленки AlN -- подложка SiC/Si -- пьезоэлектрический отклик -- тонкие пленки -- эпитаксиальное выращивание
Аннотация: Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитаксии на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si.

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Сергеева, О. Н.; Киселев, Д. А.; Богомолов, А. А.; Солнышкин, А. В.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Процессы рекристаллизации и образования сфероидных частиц золота в аморфноподобном AlN-TiB[2]-TiSi[2] в результате отжига и последующей имплантации [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 7. - С. 1403-1407 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
золото -- имплантация -- кристаллография в целом -- отжиг -- рекристаллизация -- сфероидные частицы -- частицы золота
Аннотация: Использовался пучок отрицательных ионов Au{-} и проводился высокотемпературный отжиг для рекристаллизации структуры рентгеноаморфного AlN-TiB[2]-TiSi[2], имеющего характерные размеры областей ближнего упорядочения 0. 8-1 nm.

Доп.точки доступа:
Погребняк, А. Д.; Демьяненко, А. А.; Береснев, В. М.; Соболь, О. В.; Ивасишин, О. М.; Oyoshi K.; Takeda Y.; Amekura H.; Купчишин, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Полетаев, Н. К.
Спектры оптического поглощения и схема уровней энергии ионов Er{3+} в объемных кристаллах нитрида алюминия [Текст] / Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 12. - С. 2387-2391 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- алюминий -- кристаллография в целом -- нитрид алюминия -- оптическое поглощение -- спектры -- уровни энергии ионов
Аннотация: Исследованы спектры поглощения ионов Er{3+}, внедренных в матрицу AlN.

Доп.точки доступа:
Скворцов, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Микроструктура и механические свойства многослойных alpha-AlN/alpha-BCN-покрытий в зависимости от плотности тока при распылении мишени B[4]C [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 10. - С. 1986-1989 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (12 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
микроструктура -- мишень (физика) -- многослойные покрытия -- наноразмерные покрытия -- плотность тока -- распыление мишени
Аннотация: Проведенные теоретические исследования показали, что в многослойных В4-AlN/BN-покрытиях слой из B4-BN является динамически нестабильным, следовательно, слой будет не эпитаксиальным, а аморфным.

Доп.точки доступа:
Погребняк, А. Д.; Иващенко, В. И.; Ердыбаева, Н. К.; Купчишин, А. И.; Лисовенко, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si [Текст] / А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- GaN -- SiC/Si -- гетероструктура AlN -- гетероструктура GaN -- гибридные подложки SiC/Si -- доклады -- конференции -- кремний -- метод замещения атомов -- полярность слоев -- хлорид-гидридная эпитаксия -- эпитаксиальный синтез
Аннотация: Разработан новый метод формирования свободных от трещин Ga-полярных гетероструктур GaN/AlN на гибридных подложках SiC/Si (111).

Доп.точки доступа:
Мизеров, А. М.; Кукушкин, С. А.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Осипов, А. В.; Тимошнев, С. Н.; Шубина, К. Ю.; Березовская, Т. Н.; Мохова, Д. В.; Буравлев, А. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Мохов, Е. Н.
Выращивание объемных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом [Текст] / Е. Н. Мохов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2298-2302 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (9 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- GaN -- доклады -- конференции -- кристалл AlN -- кристалл GaN -- объемные кристаллы -- сандвич-метод -- сублимационный рост
Аннотация: Приведен обзор результатов роста объемных кристаллов нитридов Al и Ga на инородных затравках сублимационным сандвич-методом.

Доп.точки доступа:
Вольфсон, А. А.; Казарова, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3C-SiC [Текст] / Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2317-2321 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
3C-SiC -- GaN -- газофазная эпитаксия -- дислокационные реакции -- доклады -- конференции -- нитрид галлия -- полуполярный нитрид галлия -- просвечивающая электронная микроскопия -- хлорид-гидридная газофазная эпитаксия -- электронная микроскопия
Аннотация: Представлены результаты ПЭМ исследования взаимодействия между дислокациями в полуполярном слое GaN, выращенном методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на темплейте 3C-SiC/Si (001).

Доп.точки доступа:
Сорокин, Л. М.; Гуткин, М. Ю.; Мясоедов, А. В.; Калмыков, А. Е.; Бессолов, В. Н.; Кукушкин, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3] [Текст] / Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
GaN -- g-AlN -- аммиак -- графеноподобные слои -- доклады -- конференции -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокристаллы GaN
Аннотация: Изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si[3]N[3]) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака.

Доп.точки доступа:
Милахин, Д. С.; Малин, Т. В.; Мансуров, В. Г.; Галицын, Ю. Г.; Кожухов, А. С.; Александров, И. А.; Ржеуцкий, Н. В.; Лебедок, Е. В.; Разумец, Е. А.; Журавлев, К. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Кукушкин, С. А.
Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г.
Кл.слова (ненормированные):
AlGaN -- AlN -- GaN -- гибридные подложки -- доклады -- карбид кремния на кремнии -- конференции -- нитрид алюминия -- нитрид галлия -- тонкие пленки -- широкозонные полупроводники -- эпитаксия
Аннотация: Представлены основные положения нового метода выращивания объемных монокристаллических пленок AlN, AlGaN и GaN на кремниевых подложках с буферным слоем карбида кремния с последующим их отделением от подложки Si.

Доп.точки доступа:
Шарофидинов, Ш. Ш.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Заводинский, В. Г.
Особенности формирования электронной структуры при синтезе соединений Ti[2]AlC, Ti[2]AlN, Ti[2]SiC и Ti[2]SiN [Текст] / В. Г. Заводинский, О. А. Горкуша // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2488-2492 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (33 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
плотность -- синтез соединений -- теория функционала плотности -- тройные соединения -- электронные структуры
Аннотация: Методами теории функционала плотности и псевдопотенциалов исследована электронная структура и полная энергия соединений Ti[2]AlC, Ti[2]AlN, Ti[2]SiC и Ti[2]SiN.

Доп.точки доступа:
Горкуша, О. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Давыдов, С. Ю.
Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 6. - С. 955-959 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (25 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- GaN -- кристаллография в целом -- наноленты -- наноструктуры -- электронный спектр -- эффективная масса электрона
Аннотация: Получены аналитические выражения для ширин запрещенных зон, характерных скоростей и эффективных масс носителей заряда.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	50064
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)