Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=эффект гигантского магнетосопротивления<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Исследование фазового перехода в модели магнитной сверхрешетки Fe/V [Текст] / К. Ш. Хизриев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1507-1509. . - Библиогр.: c. 1509 (11 назв. )
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитные сверхрешетки -- межслойное взаимодействие -- многослойные структуры -- модель сверхрешетки -- намагниченность -- температурная зависимость -- фазовые переходы -- эффект гигантского магнетосопротивления
Аннотация: Для исследования фазового перехода в мультислоях нами предложена модель железованадиевой магнитной сверхрешетки. Впервые обнаружено несколько основных типов температурной зависимости самопроизвольной (результирующей) намагниченности в модели магнитной сверхрешетки при различных значениях межслойного обменного взаимодействия.


Доп.точки доступа:
Хизриев, К. Ш.; Муртазаев, А. К.; Уздин, В. М.; Джамалутдинова, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
2.


   
    Нysteretic magnetoresistance in stress controlled magnetic memory device [Text] = Гистерезисное магнетоcопротивление в устройстве магнитной памяти, управляемой давлением / Y. Dusch [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - Т. 3, № 2. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 . - ISSN 2225-0999
УДК
^a621.3
^a621.3.002.3
ББК 31.2 + 31.23
Рубрики: Энергетика
   Электротехника в целом
   Электротехнические материалы и изделия в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнетосопротивление -- магнитная память -- мультиферроики -- считывание информации -- эффект гигантского магнетосопротивления
Аннотация: Представлена концепция записи данных в устройствах памяти, основанных на спин-реориентационных переходах в магнето-резистивных пленках или мультиферроиках, управляемых давлением. Неразрушающее считывание информации осуществляется на основе эффекта гигантского магнетосопротивления. Принцип считывания продемонстрирован экспериментально на управляемой давлением слоистой наноструктуре.


Доп.точки доступа:
Dusch, Y.; Rudenko, V.; Tiercelin, N.; Giordano, S.; Preobrazhensky, V.; Pernod, P.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 11.07.2024
Число запросов 165747
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)