Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксильный рост<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Бембель, А. Г.
Молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов конденсационного роста островковых пленок [Текст] / А. Г. Бембель, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1182-1184 : Рис. - Библиогр.: c. 1184 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a532.6:546.22

ББК 22.253
Рубрики: Механика
Гидромеханика и аэромеханика
Кл.слова (ненормированные):
конденсационный рост -- континуальные подложки -- Леннард-Джонса потенциал -- механизм Фольмера-Вебера -- молекулярно-динамическое моделирование -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островковые пленки -- потенциал Леннард-Джонса -- Фольмера-Вебера механизм -- эпитаксильный рост
Аннотация: На основе метода молекулярной динамики исследованы закономерности и механизмы эпитаксильного роста субмикронных островковых пленок, т. е. пленок диаметром порядка 0. 01 мкм.

Доп.точки доступа:
Самсонов, В. М.; Пушкарь, М. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фазовые сверхструктурные переходы на начальной стадии эпитаксильного роста Ge на Si (111) [Текст] / С. А. Тийс [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1116-1119. . - Библиогр.: c. 1119 (7 назв. )

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
напряжения несоответствия -- пластическая релаксация -- сверхструктурные переходы -- сканирующая туннельная микроскопия -- фазовые переходы -- эпитаксильный рост
Аннотация: С помощью сканирующей туннельной микроскопии на поверхности островков Ge на Si (111) экспериментально обнаружены поверхностные фазовые переходы 7 х 7 - 5 х 5 у двумерных, а также с2 х 8 - 7 х 7 и 7 х 7 - с2 х 8 у трехмерных островков. Первые два перехода обусловлены увеличением уровня напряжений несоответствия, а последний - их уменьшением при пластической релаксации.

Доп.точки доступа:
Тийс, С. А.; Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 11.07.2024
Число запросов	159456
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)