Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксильные пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

Иванов, А. А.
Исследование влияния содержания кислорода на электронную структуру Nd[1. 85]Ce[0. 15]CuO[4] методом фотоэлектронной спектромикроскопии [Текст] / А. А. Иванов, А. А. Захаров [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 272-277. - Библиогр.: с. 277

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
кислород -- содержание кислорода -- влияние содержания кислорода -- электронные структуры -- эпитаксильные пленки -- поверхости пленок -- спектромикроскопия -- фотоэлектронная спектромикроскопия
Аннотация: Методом фотоэлектронной спектромикроскопии исследованы изменения электронной структуры поверхности эпитаксиальных пленок Nd[1. 85]Ce[0. 15]CuO[4], связанные с изменением содержания кислорода и модификацией кристаллической структуры при травлении ионами Ar{+}.

Доп.точки доступа:
Захаров, А.А.; Менушенков, А.П.; Цеплин, М.Б.; Михеева, М.Н.; Линдау, И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Барышев, С. В.
Нелинейные СВЧ-свойства блочных эпитаксиальных пленок YBa[2]Cu[3]O[7-x] вблизи температуры сверхпроводящего перехода [Текст] / С. В. Барышев, А. В. Бобыль [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 278-282. - Библиогр.: с. 282

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- эпитаксильные пленки -- блочные эпитаксильные пленки -- нелинейные СВЧ-свойства -- электрофизические параметры -- температура сверхпроводящего перехода -- сверхпроводящий переход
Аннотация: Исследования влияния микроструктуры пленок YBa[2]Cu[3]O[7-x] на их нелинейные СВЧ-свойства и электрофизические параметры.

Доп.точки доступа:
Бобыль, А.В.; Курин, В.В.; Ноздрин, Ю.Н.; Пестов, Е.Е.; Сурис, Р.А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Холин, Д. И.
Межслойное магнитное взаимодействие в многослойных магнитных системах Fe/Cr/Fe [Текст] / Д. И. Холин, Н. М. Крейнес // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1585-1587. - Библиогр.: c. 1587 (5 назв. )

УДК

^a538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
железо -- керровская магнитометрия -- магнитное взаимодействие -- мандельштам-бриллюэновское рассеяние света -- многослойные системы -- спиновая плотность -- хромовая прослойка -- эпитаксильные пленки
Аннотация: В трехслойных эпитаксильных пленках Fe/Cr/Fe методами керровской магнитометрии и мандельштам-бриллюэновского рассеяния света изучено межслойное магнитное взаимодействие слоев железа как функция толщины хромовой прослойки и температуры.

Доп.точки доступа:
Крейнес, Н. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Переключаемый нелинейный двухмерный сегнетоэлектрический фотонный кристалл [Текст] / Е. Д. Мишина [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1424-1427. - Библиогр.: c. 1427 (13 назв. )

УДК

^a535.326

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- металло-диэлектрическая дифракционная решетка -- световые волны -- сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрические пленки -- спектральные характеристики -- фотонно-кристаллическая структура -- фотонные зоны -- фотонные кристаллы -- эпитаксильные пленки
Аннотация: На основе эпитаксиальной сегнетоэлектрической пленки BaSrTiO[3] получен двухмерный фотонный кристалл (ФК) с системой электродов, обеспечивающей взаимодействие падающей и прошедшей световых волн. Исследования спектральных характеристик выявили наличие запрещенной фотонной зоны вблизи 1. 5 эВ. Показана возможность пространственно-частотной перестройки световой волны второй гармоники, генерируемой ФК. Эффективность ФК переключения достигает 6000%.

Доп.точки доступа:
Мишина, Е. Д.; Шерстюк, Н. Е.; Зайцев, А. А.; Мухортов, В. М.; Сигов, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Мамалуй, Ю. А.
Устойчивые спиральные домены в пленках ферритов-гранатов [Текст] / Ю. А. Мамалуй, Ю. А. Сирюк // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 8. - С. 1091-1093. : Рис. - Библиогр.: c. 1093 (17 назв. )

УДК

^a537.611.3

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
ферриты-гранаты -- спиральные домены -- эпитаксильные пленки -- экспериментальные данные -- цилиндрические магнитные домены -- магнитостатическое давление -- фазовые переходы -- магнитное поле
Аннотация: В эпитаксильных пленках ферритов-гранатов экспериментально изучены устойчивые спиральные доменные структуры: спиральные домены (СпД), стабилизированные решеткой ЦМД, и решетки спиральных доменов.

Доп.точки доступа:
Сирюк, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Эпитаксильный рост тонких пленок молекул фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) [Текст] / А. И. Орешкин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 937-939. : Рис. - Библиогр.: c. 939 (3 назв. )

УДК

^a539.231

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
двойные ступеньки -- доменные границы -- низкоэнергетическая электронная микроскопия -- поверхности -- сканирующая туннельная микроскопия -- тонкие пленки -- туннельная спектроскопия -- фуллерены -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, а также низкоэнергетической электронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследована морфология и атомная структура пленок фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) -7x7 при разных степенях покрытия.

Доп.точки доступа:
Орешкин, А. И.; Бахтизин, Р. З.; Sadowski, J. T.; Sakurai, T.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структура и свойства наноструктур Si, на поверхности высокоориентированного пиролитического графита [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 18-22. : рис. - Библиогр.: с. 22 (11 назв. )

УДК

^a543

^a621.315.592

ББК 24.46/48 + 31.233
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- высокоориентированный пиролитический графит -- кремниевые наноструктуры -- молекулярно-пучковое осаждение -- пиролитический графит -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии in situ, а также спектроскопии комбинационного рассеяния света ex situ исследованы морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), полученных методом молекулярно-пучкового осаждения.

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О; Антонов, Д. А.; Зубков, С. Ю.; Нежданов, А. В.; Машин, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рентгенодифракционный анализ искажений эпитаксильной пленки на отклоненных подложках (001) [Текст] / А. В. Колесников [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 652-655. . - Библиогр.: c. 655 (8 назв. )

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- кривые дифракционного отражения -- кристаллическая решетка -- модель Нагаи -- Нагаи модель -- пластическая релаксация -- рентгеновская дифрактометрия -- триклинные искажения -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Развита методика определения структурных параметров эпитаксиальных слоев по данным рентгеновской дифрактометрии, позволяющая анализировать триклинные искажения, которые возникают в гетеросистемах с несингулярными ориентациями. Зарегистрированы углы взаимного разворота кристаллических решеток дислокационной пленки Ge[x]Si[1-x] и подложки Si.

Доп.точки доступа:
Колесников, А. В.; Ильин, А. С.; Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Дерябин, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Рентгеновские деформации эпитаксильной пленки в случае произвольной ориентации границы раздела [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1249-1252. - Библиогр.: c. 1252 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.261

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
атомные плоскости -- границы раздела -- дифракционное отражение -- кривые дифракционного отражения -- методика определения рентгеновских деформаций -- ориентация границы раздела -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Для эпитаксиальной пленки, находящейся в однородном плосконапряженном состоянии и имеющей произвольную ориентацию границы раздела, развита методика определения рентгеновских деформаций эпсилон и эпсилон[||]. Их измерение выполнено на основе кривых дифракционного отражения, которые могут быть записаны как от одной, так и от двух различных наклонных атомных плоскостей. Исследована опытная структура GeSi/Si (111).

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В.; Лошкарев, И. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Гареева, З. В.
Спиральная магнитная структура в эпитаксильных пленках типа феррита висмута [Текст] / З. В. Гареева, А. К. Звездин // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1380-1382. - Библиогр.: c. 1382 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.622.5

^a537.226.4

ББК 22.334 + 22.331
Рубрики: Физика
Магнетизм
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
магнитная анизотропия -- мультиферроики -- поверхностная анизотропия -- спиновые структуры -- спиновые циклоиды -- феррит висмута -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Исследованы несоразмерные спиновые структуры в пленках мультиферроиков типа феррита висмута. Показано, что наличие дополнительной поверхностной магнитной анизотропии в пленках влияет на свойства и условия существования модулированных структур. В пленках реализуются спиновые циклоиды с выделенным направлением вектора распространения. Исследован переход из модулированной структуры в однородное состояние под действием магнитного поля, приложенного вдоль главной оси кристалла.

Доп.точки доступа:
Звездин, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Магнитно-силовая и поляризационная магнитооптическая микроскопия доменных структур в эпитаксильных пленках феррит-гранатов [Текст] / В. В. Гаврилюк [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1511-1512 : рис. - Библиогр.: c. 1512 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.622

^a621.385.833.2

ББК 22.334 + 32.851
Рубрики: Физика
   Магнетизм
   Радиоэлектроника
   Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
доменные структуры -- магнитно-силовая микроскопия -- поляризационная магнитооптическая микроскопия -- феррит-гранаты -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Приведены результаты исследования доменных структур в эпитаксиальных пленках ферритов-гранатов методами поляризационной оптической микроскопии и магнитно-силовой микроскопии. Проанализированы преимущества и недостатки использованных методов и показано, что их комбинированное использование позволяет исключать артефакты, возникающие при изучении несквозных и внутриобъемных доменных структур.

Доп.точки доступа:
Гаврилюк, В. В.; Лисовский, Ф. В.; Мансветова, Е. Г.; Саунин, С. А.; Темирязева, М. П.; Темирязев, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Переключаемые фотонные кристаллы для применения в устройствах: роль пространственного распределения поляризации [Текст] / К. А. Брехов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1539-1540 : рис. - Библиогр.: c. 1540 (2 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.9

^a535

ББК 22.33 + 22.34
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
микроскопия второй оптической гармоники -- поляризация -- фокусированное ионное травление -- фотонные кристаллы -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Двумерные фотонные кристаллы на основе эптиксиальных пленок BaSrTiO[3] на подложке MgO были изготовлены методом фокусированного ионного травления. Методом микроскопии второй оптической гармоники исследовано пространственное распределение поляризации и показано ее увеличение в области перфорации за счет непереключаемой части.

Доп.точки доступа:
Брехов, К. А.; Лавров, С. Д.; Ильин, Н. А.; Шерстюк, Н. Э.; Сигов, А. С.; Мухортов, В. М.; Мишина, Е. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Оптимальная и неоптимальная релаксация напряжений несоответствия в полупроводниковой гетеросистеме [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 4. - С. 472-475. - Библиогр.: c. 475 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дальнодействующие напряжения -- дислокации несоответствия -- полупроводниковые гетеросистемы -- релаксационные процессы -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Процессы релаксации напряжений несоответствия полупроводниковой гетеросистемы расклассифицированы на оптимальные и неоптимальные. В зависимости от типа процесса и степени его завершенности установлены и экспериментально зарегистрированы четыре варианта однородного поля напряжений в приповерхностном слое эпитаксиальной пленки. Рассмотрено взаимодействие пронизывающих дислокаций, способствующее переходу неоптимального релаксационного процесса в оптимальный.

Доп.точки доступа:
Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Колесников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Рамановская и фотолюминесцентная спектроскопия эпитаксиальных гетероструктур на основе высоколегированных кремнием и магнием твердых растворов Al[x]Ga[1-x]As[1-y]P[y] [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 2. - С. 241-245. - Библиогр.: c. 245 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.311:538.971

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- рамановская спектроскопия -- твердые растворы -- фотолюминесцентная спектроскопия -- энергетические свойства -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии нами изучены оптические и энергетические свойства МОС-гидридных твердых растворов Al[x]Ga[1-x]As[1-y]P[y], легированных высокими концентрациями кремния и магния. Показано, что выращенные эпитаксиальные пленки представляют собой многокомпонентные твердые растворы, образованные по сложному механизму.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Леньшин, А. С.; Глотов, А. В.; Арсентьев, И. Н.; Тарасов, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Роль дальнодействующих сдвиговых напряжений при пластической релаксации эпитаксиальных пленок [Текст] / А. С. Ильин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 6. - С. 840-844. - Библиогр.: c. 844 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дальнодействующие нормальные напряжения -- дальнодействующие сдвиговые напряжения -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- сдвиговые напряжения -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Для приповерхностных слоев эпитаксиальной пленки In[0. 1]Ga[0. 9]As на GaAs (001), толщина которой превышает расстояние между соседними дислокациями несоответствия, проанализирована зависимость упругой энергии от параметров релаксации ро[x] и ро[y], изменяющихся в пределах от 0 до 1. Рассмотрены вероятные варианты протекания релаксационного процесса, обусловленные присутствием дальнодействующих сдвиговых напряжений.

Доп.точки доступа:
Ильин, А. С.; Колесников, А. В.; Труханов, Е. М.; Лошкарев, И. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	150604
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)