Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.


    Карпович, И. А.
    Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs [Текст] / И. А. Карпович, О. Е. Хапугин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122. . - Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
фотомагнитные эффекты -- ФМЭ -- гетеронаноструктуры -- ГНС -- эпитаксиальные слои -- квантово-размерные слои -- гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.


Доп.точки доступа:
Хапугин, О. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

2.


   
    Распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 6. - С. 1154-1169. - Библиогр.: с. 1168-1169 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Теоретическая физика
   Физика

Кл.слова (ненормированные):
толщина слоев -- пленки -- кремний -- гелий -- германий -- подложки -- эпитаксиальные слои -- слои -- выращивание -- распределение германия
Аннотация: Исследовано распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x<0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины.


Доп.точки доступа:
Новиков, А. В.; Багаев, В. С.; Кривобок, В. С.; Мартовицкий, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

3.


    Кютт, Р. Н.
    О роли вторичной экстинкции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев [Текст] / Р. Н. Кютт // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 6. - С. 1058-1064 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
вторичная экстинкция -- нарушенные эпитаксиальные слои -- рентгенодифракционные пики -- экстинкция -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Измерены интегральные интенсивности рентгенодифракционных отражений для серии эпитаксиальных слоев AIII-нитридов (GaN, AlN, AlGaN), выращенных на разных подложках и имеющих разную степень структурного совершенства.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

4.


   
    Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной [Текст] / А. В. Кудрин [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (8 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Нижний Новгород, 2017 г.

Кл.слова (ненормированные):
InFeSb -- Кюри температура -- кристаллография в целом -- температура Кюри -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Исследования показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы.


Доп.точки доступа:
Кудрин, А. В.; Данилов, Ю. А.; Лесников, В. П.; Вихрова, О. В.; Павлов, Д. А.; Усов, Ю. В.; Питиримова, Е. А.; Антонов, И. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

5.


    Кютт, Р. Н.
    Распределение интенсивности трехволновой дифракции от дислокационных эпитаксиальных слоев в обратном пространстве [Текст] / Р. Н. Кютт // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С. 691-695 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
GaN -- ZnO -- дислокационные эпитаксиальные слои -- дифракция -- трехволновая дифракция -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Экспериментально исследована трехволновая дифракция рентгеновских лучей в сильнонарушенных эпитаксиальных слоях GaN и ZnO.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

6.


    Давыдов, С. Ю.
    О природе красного сдвига G-пика раман-спектра в эпитаксиальном двумерном слое [Текст] / С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 4. - С. 550-553 : рис. - Библиогр. в конце ст. (22 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
G-пик -- давление -- красный сдвиг -- кристаллография в целом -- раман-спектр -- силовые константы -- температура -- фононы -- эпитаксиальные слои
Аннотация: В модели, исключающей наличие деформации на контакте монослоя и подложки, рассмотрена роль межплоскостного упругого взаимодействия.


Доп.точки доступа:
Посредник, О. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 25.06.2024
Число запросов 18122
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)