Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=солнечные элементы<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-29

Кац, Е. А.
Полупроводниковые материалы на основе фуллеренов для прямого преобразования солнечной энергии в электричество [Текст]. Ч. 4. Органические солнечные элементы на основе фуллеренов и полупроводниковых полимеров / Е. А. Кац // Материаловедение. - 2008. - N 7. - С. 48-56

УДК

^a678

ББК 35.71
Рубрики: Химическая технология
Высокомолекулярные соединения в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- фуллерены -- полупроводниковые полимеры -- солнечные элементы -- сопряженные полимеры
Аннотация: Рассматриваются структура, электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов на основе фуллеренов, а также перспективы их применения в солнечных элементах - устройствах для прямого преобразования солнечной энергии в электричество.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Лаптев, В. И.
Электрические свойства кластеров меди в пористом серебре кремниевых солнечных элементов [Текст] / В. И. Лаптев, Г. М. Хляп // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 4, февраль. - С. 502-504. : 3 рис. - Библиогр.: с. 504 (7 назв. )

УДК

^a543.4/.5

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
кластеры -- солнечные элементы -- кремниевые элементы -- кластеры меди -- свойства кластеров -- микрокластеры
Аннотация: Микрокластеры меди внедрены химическим способом в поры серебрянного контакта. Изменены электрические свойства контакта: обнаружен темновой ток, который неизвестен для металлов.

Доп.точки доступа:
Хляп, Г. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Наумов, В. В.
Методика определения коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической вольт-амперных характеристик солнечных элементов [Текст] / В. В. Наумов, В. Б. Залесский, О. А. Гребенщиков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2009. - N 7. - С. 38-40. : 2 рис. - Библиогр.: с. 40 (8 назв. )

ГРНТИ	50.01.81
УДК	^a681.5

ББК 32.81
Рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- вольтамперные характеристики -- автоматизированные измерения -- электрофизические характеристики
Аннотация: Предложена методика автоматизированного измерения и расчета коэффициентов соответствия экспериментальной и теоретической ВАХ солнечных энергий.

Доп.точки доступа:
Залесский, В. Б.; Гребенщиков, О. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Микроструктура и оптические свойства тонких пленок оксида цинка, полученных методом магнетронного распыления цинковой мишени [Текст] / О. В. Гончарова [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 20-25 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.107

^a539.21:535

ББК 22.381 + 22.374
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
мишени -- цинковые мишени -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- оксид цинка -- высокопрозрачные пленки -- атомно-силовая микроскопия -- рентгеновский дифракционный анализ -- полупроводниковые микрокристаллы -- тонкопленочные матрицы -- реактивное магнетронное распыление -- кристаллические структуры -- аморфные подложки -- высокоупорядоченные кристаллические структуры -- солнечные элементы -- текстурированные лицевые поверхности
Аннотация: С целью разработки методов изготовления высокопрозрачных пленок оксида цинка с контролируемой величиной удельного сопротивления изучены их микроструктурные и спектральные свойства.

Доп.точки доступа:
Гончарова, О. В.; Леонова, Т. Р.; Гременок, В. Ф.; Болодон, В. Н.; Дымонт, В. П.; Ташлыков, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Оптимизация антиотражающего слоя в солнечных батареях на основе первопринципных расчетов [Текст] / А. В. Дейнега [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 13-19. - Библиогр.: c. 19 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
антиотражающие покрытия -- кремниевые солнечные элементы -- Максвелла метод решения уравнений -- метод решения уравнений Максвелла -- новые источники энергии -- солнечные батареи -- солнечные элементы -- текстурированные покрытия
Аннотация: С помощью компьютерного моделирования исследованы оптические свойства текстурированной поверхности кремниевого солнечного элемента. Для расчетов использовался метод решения уравнений Максвелла в конечных разностях. Найдены оптимальные размеры и форма текстурированной поверхности, при которых достигается наибольшее падение коэффициента отражения. Проведено сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными.

Доп.точки доступа:
Дейнега, А. В.; Конистряпина, И. В.; Богданова, М. В.; Валуев, И. А.; Лозовик, Ю. Е.; Потапкин, Б. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Солнечные элементы, сенсибилизированные красителем: современное состояние и перспективы развития [Текст] / С. А. Кисленко [и др. ] // Теплоэнергетика. - 2010. - N 11. - С. 58-64.

УДК

^a621.4

^a621.383

ББК 31.3 + 32.854
Рубрики: Энергетика
   Теплоэнергетика. Теплотехника в целом
   Радиоэлектроника
   Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- красители -- солнечные элементы -- солнечная энергия -- сенсибилизированные красители -- полупроводниковые наноструктуры -- высокая электронная проводимость
Аннотация: Представлен обзор современных достижений и основных направлений исследования в области солнечных элементов, сенсибилизированных красителем.

Доп.точки доступа:
Кисленко, С. А.; Амиров, Р. Х.; Попель, О. С.; Самойлов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.

Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Антиотражающие покрытия фианита и ZrO[2] для солнечных элементов [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1282-1286. . - Библиогр.: c. 1286 (5 назв. )

УДК

^a621.385

ББК 32.851
Рубрики: Радиоэлектроника
Электровакуумные приборы
Кл.слова (ненормированные):
антиотражающие покрытия -- гетероэпитаксия -- диэлектрические подложки -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит
Аннотация: Благодаря уникальному сочетанию физико-химических свойств, фианит является перспективным многофункциональным материалом новых электронных технологий. Его можно использовать практически во всех основных технологических звеньях создания приборов микро-, опто- и СВЧ-электроники: как монолитную диэлектрическую подложку и материал буферных слоев при гетероэпитаксии; как материал изолирующих, просветляющих и защитных слоев приборных структур, а также как подзатворный диэлектрик [1-3]. В настоящей статье рассматриваются возможности применения фианита и ZrO[2] в качестве просветляющего покрытия кремниевых солнечных элементов (СЭ), а также СЭ на основе гетероструктур InGaAsP.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Бузынин, Ю. Н.; Осико, В. В.; Панов, В. И.; Звонков, Б. Н.; Чинарева, И. В.; Хакаушев, П. Е.; Тришенков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Алдошин, С. М.
Достижения и инновационные перспективы химической науки [Текст] : доклад вице-президента РАН академика С. М. Алдошина / С. М. Алдошин // Вестник Российской академии наук. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 499-514 . - ISSN 0869-5873

УДК

^a620.9

^a66

ББК 31 + 35
Рубрики: Энергетика
   Общие вопросы энергетики
   Химическая технология
   Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
альтернативные источники энергии -- биотопливо -- возобновляемые источники энергии -- волоконные лазеры -- волоконные усилители -- катализаторы -- конструкционные материалы -- лекарственные препараты -- молекулярная электроника -- накопители энергии -- научные достижения -- нефтехимические процессы -- переработка газа -- переработка нефти -- переработка углеводородов -- полимерные композиционные материалы -- современная химия -- солнечная энергия -- солнечные элементы -- углеводородные ресурсы -- углеводороды -- химические науки -- электрохимические источники
Аннотация: Приведен текст доклада академика С. М. Алдошина о достижениях и инновационных перспективах химической науки.

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; РАН

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Федотов, П. А.
Экспериментальные солнечные электростанции [Текст] / П. А. Федотов // Энергосбережение. - 2012. - № 6. - С. 74-77 : ил. . - ISSN 1609-7505

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
альтернативная энергетика -- инверторы -- мини-электростанции -- нетрадиционные источники энергии -- солнечная энергия -- солнечное энергосбережение -- солнечные электростанции -- солнечные элементы -- СЭС -- тепловые ресурсы -- электроэнергия -- энергосбытовые компании
Аннотация: Для солнечных электростанций (СЭС) в общемировой выработке электроэнергии довольно быстро увеличивается и, по некоторым прогнозам, уже к 2050 году достигнет 25%. Несмотря на это, в России развитие солнечной вольтаики не является государственным приоритетом. Тем не менее, интерес к данному направлению присутствует у коммерческих потребителей электроэнергии. Примером могут служить подмосковные СЭС.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

12.

Применение лазеров в технологии солнечных элементов [Текст] / Д. А. Зуев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 10. - С. 1247-1250. - Библиогр.: c. 1250 (30 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.9

^a539.1.043

ББК 22.3 + 22.38
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод импульсного лазерного осаждения -- низкоотражающие поверхности -- низкотемпературные процессы -- пленки ITO -- солнечные элементы -- текстурирование поверхности -- тонкие пленки
Аннотация: Продемонстрированы возможности применения лазеров (лазерное текстурирование поверхности кремния и импульсное лазерное осаждение тонких пленок оксида индия и олова (ITO) ) при создании солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Зуев, Д. А.; Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Шорохова, А. В.; Храмова, О. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Кошелев, О. Г.
Определение времени релаксации СВЧ-фотопроводимости вблизи p-n-перехода в базе двусторонних кремниевых солнечных элементов [Текст] / О. Г. Кошелев, Г. Г. Унтила // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 12. - С. 1468-1470. - Библиогр.: c. 1470 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.383.5

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
Ганна диод -- диод Ганна -- кремниевые солнечные элементы -- релаксация фотопроводимости -- СВЧ-фотопроводимость -- солнечные элементы
Аннотация: Изучены зависимости от интенсивности света времен релаксации СВЧ-фотопроводимости в кремниевых солнечных элементах n{+}-p-p{+}-типа. Экспериментальные результаты для режимов холостого хода и тока короткого замыкания согласуются с расчетами на ЭВМ. Определены времена релаксации СВЧ-фотопроводимости для части базовой области, прилегающей к n{+}-p-переходу.

Доп.точки доступа:
Унтила, Г. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Стребков, Д. С. (доктор технических наук).
Солнечный модуль с параболоторическим концентратом и фотоэлектрическим приемником [Текст] / Д. С. Стребков, В. А. Майоров, В. А. Панченко // Энергетик. - 2013. - № 5. - С. 55-57. - Библиогр.: с. 57 (1 назв.) . - ISSN 0013-7278

УДК

^a620.9

ББК 31.16
Рубрики: Энергетика
Энергетическое оборудование
Кл.слова (ненормированные):
параболотороиды -- солнечные элементы -- воздушное охлаждение -- фотоэлектрические преобразователи
Аннотация: Рассматривается параболоторический концентратор, обеспечивающий равномерную освещенность в фокальной области.

Доп.точки доступа:
Майоров, В. А. (кандидат технических наук); Панченко, В. А. (инженер)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

15.

Кац, Е. А. (профессор).
Солнечная энергетика: успехи, ожидания, вызовы [Текст] / Е. А. Кац // Энергия: экономика, техника, экология. - 2013. - № 5. - С. 2-9 . - ISSN 0233-3619

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
солнечная энергетика -- фотоэлектрическое преобразование -- преобразователи энергии -- КПД -- коэффициент полезного действия -- солнечные элементы
Аннотация: Успехи и перспективы развития солнечной энергетики.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

16.

Гребенников, В. И.
Резонансная фотоэмиссионная спектроскопия материалов для солнечных элементов CuIn[1-x]Ga[x]Se[2] [Текст] / В. И. Гребенников, Т. В. Кузнецова, М. В. Якушев // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1281-1285. - Библиогр.: c. 1285 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.945

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- резонансная фотоэмиссионная спектроскопия -- рентгеновские фотоэмиссионные спектры -- сверхстехиометрический индий -- сечения фотоионизации -- солнечные элементы
Аннотация: Методом резонансной фотоэмиссии определена электронная структура монокристаллов CuIn[1-x]Ga[x]Se[2], установлены основные закономерности ее трансформации при изменении концентрации x от 0 до 1. Исследована зависимость формы спектров валентных полос от энергии фотонов. Показано, что интегральные интенсивности фотоэмиссии определяются атомными сечениями фотоионизации. Изучены сопровождающие фотоэмиссию процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, участие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос. При пороговом возбуждении Cu 2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмисии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний. С использованием энергетической зависимости атомных сечений фотоионизации определены парциальные плотности состояний компонентов.

Доп.точки доступа:
Кузнецова, Т. В.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Валеев, Р. Г.
EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga[2]Se[3] [Текст] / Р. Г. Валеев, В. В. Кривенцов, Н. А. Мезенцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1320-1322. - Библиогр.: c. 1322 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a546.22/.24

^a538.9

ББК 24.1 + 22.3
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
EXAFS-спектроскопия -- галлий -- модельные расчеты -- полупроводниковые материалы -- селен -- солнечные элементы
Аннотация: Представлены результаты структурного исследования методом EXAFS-спектроскопии объемного материала Ga[2]Se[3], перспективного для применения в качестве поглощающих слоев в высокоэффективных солнечных элементах. Получены структурные данные для локального окружения галлия и селена, такие как межатомные расстояния, координационные числа в сравнении с модельными расчетами, проведенными пакетом программ FEFF-8.

Доп.точки доступа:
Кривенцов, В. В.; Мезенцев, Н. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Оршанский, И. С.
Фотоэнергетика: перспективы развития [Текст] / И. С. Оршанский // Энергия: экономика, техника, экология. - 2013. - № 9. - С. 8-14 . - ISSN 0233-3619

УДК

^a620.91:662.97

^a621.383

ББК 31.64 + 32.854
Рубрики: Энергетика
   Гелиоэнергетика
   Радиоэлектроника
   Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
ФЭС -- системы накопления электроэнергии -- солнечные элементы -- фотоэлектрические станции -- фотоэнергетика
Аннотация: Рассмотрены достоинства и недостатки получения электрической энергии путем преобразования лучистой энергии Солнца на фотоэлектрических станциях.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

19.

Alaa Yassin Al-Ahmad
Preparation and study of microstructures, optical properties and oscillator parameters of titanium (IV) oxide (TiO[2]) film [Text] / Alaa Yassin Al-Ahmad // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 113, № 2. - С. 222-228 : граф., табл. - Библиогр.: с. 228 (24 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.2/3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
микроструктуры -- оксидные пленки -- оксиды титана -- оптические свойства -- осцилляторы -- светочувствительные элементы -- солнечные элементы

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Воронков, Э. Н.
Физический предел продолжительности службы солнечного элемента [Текст] / Э. Н. Воронков, В. Ю. Москвичев // Промышленная энергетика. - 2015. - № 4. - С. 52-56. - Библиогр.: с. 56 (8 назв.) . - ISSN 0033-1155

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
КПД преобразования солнечной энергии -- деградация СЭ -- коэффициент полезного действия -- преобразование солнечных излучений -- продолжительность жизненного цикла -- солнечные элементы
Аннотация: Выполнена оценка предельного времени жизненного цикла полупроводникового солнечного элемента (СЭ). При расчетах допускалось, что вся поглощенная полупроводниковым материалом солнечная энергия, которая не используется полезно, расходуется на нагрев СЭ и создание в нем дефектов. Появление дефектов с глубокими энергетическими уровнями приводит к росту рекомбинационного тока и соответственно - к снижению КПД преобразования. Показано, что скорость деградации активной области СЭ определяется главным образом энергией образования рекомбинационных центров. Утверждается, что при использовании в расчетах параметров, близких к параметрам кремния, предельный срок службы СЭ может составлять сотни лет.

Доп.точки доступа:
Москвичев, В. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

1-20 21-29

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	51185
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)