Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=слоистые кристаллы<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Гольдштейн, Р. В.
Об отрицательности коэффицента Пуассона для анизотропных материалов [Текст] / Р. В. Гольдштейн, В. А. Городцов, Д. С. Лисовенко // Доклады Академии наук. - 2010. - Т. 429, N 5, декабрь. - С. 614-616 : 4 рис. - Библиогр.: с. 616 (14 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a539.2

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
коэффицент Пуассона -- Пуассона коэффицент -- анизотропные материалы -- кубические кристаллы -- твердые тела -- слоистые кристаллы
Аннотация: На примерах гексагональных слоистых и кубических кристаллов дается краткий анализ изменения коэффицентов Пуассона с изменением углов ориентации растягиваемых кристаллических образцов относительно их кристаллической решетки.

Доп.точки доступа:
Городцов, В. А.; Лисовенко, Д. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Гольдштейн, Р. В.
Об отрицательности коэффицента Пуассона для анизотропных материалов [Текст] / Р. В. Гольдштейн, В. А. Городцов, Д. С. Лисовенко // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 429, N 5, декабрь. - С. 614-616 : 4 рис. - Библиогр.: с. 616 (14 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a539.2

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
коэффицент Пуассона -- Пуассона коэффицент -- анизотропные материалы -- кубические кристаллы -- твердые тела -- слоистые кристаллы
Аннотация: На примерах гексагональных слоистых и кубических кристаллов дается краткий анализ изменения коэффицентов Пуассона с изменением углов ориентации растягиваемых кристаллических образцов относительно их кристаллической решетки.

Доп.точки доступа:
Городцов, В. А.; Лисовенко, Д. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Горский, П. В.
Влияние топологических переходов в квантующем магнитном поле и анизотропии рассеяния носителей тока на акустических фононах на продольную электропроводность слоистых кристаллов с открытыми поверхностями Ферми [Текст] / П. В. Горский // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 10. - С. 79-90. . - Библиогр.: c. 90 (16 назв. )

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
открытая поверхность Ферми -- проводимость слоистых кристаллов -- продольная электропроводимость -- слоистые кристаллы -- топологический переход -- Ферми открытая поверхность -- Шубникова - де Гааза эффект -- эффект Шубникова - де Гааза
Аннотация: Показано, что зависимость энергии Ферми от магнитного поля приводит к изменению набора частот осцилляции Шубникова - де Гааза (ШДГ), причем их относительный вклад в полную продольную проводимость слоистых кристаллов зависит от того, изотропным или анизотропным считается рассеяние носителей тока. Вследствие топологического перехода в достаточно сильном магнитном поле поверхность Ферми (ПФ) превращается из открытой в замкнутую и сжимается в направлении магнитного поля. Поэтому в ультраквантовом пределе без учета фактора Дингла продольная электропроводность слоистого кристалла стремится к нулю как обратный квадрат магнитного поля при изотропном рассеянии и как обратный куб магнитного поля - при анизотропном рассеянии. Все расчеты выполнены в приближении времени релаксации, которое считается постоянным относительно квантовых чисел при изотропном рассеянии и пропорциональным продольной скорости носителей тока при анизотропном рассеянии.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Селиванова, А. В.
КР спектральное исследование кристаллов CuCrS[2] в области температур 5-300 K [Текст] / А. В. Селиванова, В. В. Соколов, Б. А. Колесов // Журнал структурной химии. - 2015. - Т. 56, № 5. - С. 931-936 : 7 рис. - Библиогр.: с. 936 (8 назв. ) . - ISSN 0136-7463

УДК

^a539.2

^a535

ББК 22.37 + 22.34
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
КР спектроскопия -- комбинационное рассеяние -- кристаллы -- низкие температуры -- слоистые кристаллы -- спектральные исследования -- химические транспортные реакции
Аннотация: В работе представлены КР спектры, полученные в интервале температур 5-300 K от пластинчатых кристаллов соединения CuCrS[2], выращенных из поликристаллического CuCrS[2] методом ХТР и с элементарным иодом в качестве переносчика. По температурным зависимостям частот наблюдаемых колебательных мод сделано их отнесение. В области температур магнитного упорядочения (Т < 40 K) наблюдается слабое увеличение частот полносимметричных колебаний, что интерпретируется как результат фонон-магнонного взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Соколов, В. В.; Колесов, Б. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Особенности терагерцевых спектров слоистых кристаллов TlInS[2] [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 1. - С. 27-31 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- слоистые кристаллы -- спектры кристаллов -- терагерцевые спектры
Аннотация: Получены и проанализированы колебательные спектры кристаллов TlInS[2] в терагерцевой области.

Доп.точки доступа:
Сардарлы, Р. М.; Бадалов, А. З.; Абдуллаев, А. П.; Везирова, Т. Н.; Garet, F.; Coutaz, J. -L.; Оружова, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Расчет из первых принципов фотопорога слоистого кристалла beta-GaS [Текст] / З. А. Джахангирли [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 9. - С. 1707-1708 : 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaS -- галий -- принципы фотопорога -- сера -- слоистые кристаллы -- фотопороги
Аннотация: На основе метода функционала плотности рассчитан фотопорог слоистого кристалла beta-GaS в зависимости от его толщины.

Доп.точки доступа:
Джахангирли, З. А.; Гашимзаде, Ф. М.; Гусейнова, Д. А.; Мехтиев, Б. Г.; Мустафаев, Н. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe[2] [Текст] / А. П. Одринский [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 3. - С. 447-452 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22:379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диапазон температур 170-280 K -- кристаллы -- параметрический резонанс -- полупроводники -- сегнетоэлектрики -- слоистые кристаллы -- фотогальванические токи
Аннотация: Представлены результаты феноменологического исследования кинетики аномального фотоотклика слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe[2] в области температур 170-280 K, соответствующей параэлектрической фазе кристалла.

Доп.точки доступа:
Одринский, А. П.; Seyidov, M. -H. Yu.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Одринский, А. П.
Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe[2] [Текст] / А. П. Одринский // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С. 596-602 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (29 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- локализованные заряды -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- слоистые кристаллы -- термоэмиссия -- фотоотклик
Аннотация: Представлены результаты исследования особенностей процессов термоэмиссии с центров локализации зарядов в электрически неоднородном кристалле TlGaSe[2].

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Одринский, А. П.
Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника [Текст] / А. П. Одринский // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 8. - С. 1024-1029 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- монокристаллы -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- слоистые кристаллы -- фотогальванические токи -- электрическая неоднородность
Аннотация: Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe[2].

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

10.

Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi[0.5]Sb[1.5]Te[4] [Текст] / Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 8. - С. 1062-1067 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (37 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
перенос заряда -- слоистые кристаллы -- топологические изоляторы -- фазовые переходы
Аннотация: Исследована электропроводность слоистого магнитного топологического изолятора состава MnBi[0. 5]Sb[1. 5]Te[4].

Доп.точки доступа:
Абдуллаев, Н. А.; Алигулиева, Х. В.; Зверев, В. Н.; Алиев, З. С.; Амирасланов, И. Р.; Бабанлы, М. Б.; Джахангирли, З. А.; Алиева, Е. Н.; Ахмедова, Х. Н.; Мамедов, Т. Г.; Отроков, М. М.; Шикин, А. М.; Мамедов, Н. Т.; Чулков, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	150270
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)