Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=силовые приборы<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Современные отечественные силовые полупроводниковые приборы [Текст] / В. Елисеев [и др. ] // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2008. - N 4. - С. 44-48
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- силовые приборы -- дискретные приборы -- ОАО -- открытые акционерные общества
Аннотация: Рассмотрены силовые полупроводниковые приборы, выпускаемые ОАО "Электровыпрямитель".


Доп.точки доступа:
Елисеев, В.; Мартыненко, В.; Мускатиньев, В.; Чибиркин, В.; "Электровыпрямитель", ОАО; ОАО Электровыпрямитель
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Максименко, Юрий.
    Приборы со статической индукцией [Текст] / Юрий Максименко, Виктория Грабежова // Современная электроника. - 2023. - № 3. - С. 16-23 : 9 рис., 1 табл. - Библиогр. в конце ст. (40 назв. )
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
GaN -- SiC -- высоковольтные ключи -- высоковольтные приборы -- индукция -- приборы -- самолетостроение -- силовые приборы -- статистическая индукция -- электротранспорт
Аннотация: Рассмотрена история появления и развития нового класса приборов на Si - приборов со статической индукцией, которые способны работать как в полевом, так и в биполярном режиме. Предложены новые конструктивно-технологические пути построения СИТ и БСИТ с уникальными ключевыми параметрами, создание которых особенно необходимо для таких отраслей, как самолетостроение и электротранспорт. Технологические пути построения предлагаемых приборов базируются на хорошо освоенных в серийном производстве приемах, что позволяет создавать их с низкой себестоимостью. Проведен сравнительный анализ по основным ключевым параметрам предлагаемых приборов с лучшими высоковольтными приборами на SiC и GaN. Показано, что предлагаемые приборы по основным ключевым параметрам существенно их превосходят.


Доп.точки доступа:
Грабежова, Виктория

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 10.09.2024
Число запросов 24942
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)