Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сенсоры водорода<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Гаман, В. И.
Физические основы работы полупроводниковых сенсоров водорода [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 4. - С. 84-98. - Библиогр.: c. 98 (23 назв. )

УДК

^a541.128.3

ББК 22.382
Рубрики: Физика
Элементарные частицы
Кл.слова (ненормированные):
газовые сенсоры -- диоксид олова -- полупроводниковые сенсоры -- сенсоры водорода
Аннотация: Рассмотрены наиболее вероятные физические модели сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова, а также на основе МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Основное внимание уделяется механизмам формирования отклика сенсоров на воздействие водорода. Для всех типов сенсоров приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость отклика от концентрации водорода [Н2]. Представлены выражения, описывающие зависимость проводимости сенсора на основе пленки диоксида олова и его отклика от абсолютной влажности газовой смеси. Показано, что время релаксации отклика [рел] для сенсоров на основе диоксида олова и МОП-структур определяется временем релаксации процесса адсорбции атомов водорода [а] на поверхности SnO[2] и SiO[2] соответственно. Для МОП-диодов при [H2] 3 10 ppm [рел] = [a], а при [H2] 7, 5 10{3} ppm [рел] = [д] - время релаксации процесса диффузии атомов водорода через слой SiO[2].

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние паров воды на электрические и газочувствительные свойства тонкопленочных сенсоров на основе диоксида олова [Текст] / В. И. Гаман [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 8. - С. 50-56. . - Библиогр.: c. 56 (11 назв. )

УДК

^a541.6

ББК 24.7
Рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Кл.слова (ненормированные):
влияние паров воды на свойства сенсоров -- газочувствительность сенсоров -- диоксид олова -- сенсоры водорода -- тонкопленочные сенсоры -- электропроводность газовых сенсоров
Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования влияния паров воды на электропроводность газового сенсора и его отклик при воздействии водорода. На основе гипотезы о наличии областей пространственного заряда, обедненных электронами, между зернами Sn02 в поликристаллической пленке диоксида олова получено выражение, описывающее зависимость электрической проводимости в чистом воздухе Go от абсолютной влажности. За счет диссоциативной хемосорбции молекул воды уменьшается изгиб энергетических зон на границе раздела зерен Sn02 и увеличивается концентрация вакансий кислорода в зернах, что приводит к росту Go. Получено выражение для отклика сенсора на воздействие водорода (отношение проводимости сенсора при наличии молекулярного водорода в газовой смеси G1 к Go). Это выражение хорошо описывает зависимость G1/GO от концентрации водорода пН2 в интервале 50--{) '1 03 ррт, а также от изгиба зон на границе раздела зерен и от температуры сенсора. Полученные в результате обработки экспериментальных данных зависимости проводимости сенсора, максимально возможной проводимости, изгиба энергетических зон от температуры и аб-солютной влажности соответствуют предсказаниям теории.

Доп.точки доступа:
Гаман, В. И.; Анисимов, О. В.; Максимова, Н. К.; Сергейченко, Н. В.; Севастьянов, Е. Ю.; Черников, Е. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 30.06.2024
Число запросов	33967
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)