Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=рекомбинационно-активные дефекты<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Исследование характеристик матриц фотоприемников на основе Si Pt: Si с помощью метода наведенного потенциала [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1061-1064. : Рис. - Библиогр.: c. 1064 (7 назв. )
УДК
^a535.34:539.19
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
матрицы фотоприемников ИК-излучения -- метод наведенного потенциала -- метод Чохральского -- неразрушающий контроль -- полупроводниковые ИК-матрицы -- растровая электронная микроскопия -- рекомбинационно-активные дефекты -- тепловизоры -- Чохральского метод
Аннотация: Для исследования характеристик отдельных пикселей в матрицах на основе структур Si Pt: Si использован метод электронно-индуцированного наведенного потенциала. Показаны возможности использования этого метода для неразрушающего контроля наличия крупномасштабных (с размерами порядка нескольких мкм) рекомбинационно-активных дефектов в рабочих областях элементов матрицы.


Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Калинушкин, В. П.; Рау, Э. И.; Дицман, С. А.; Лукьянов, Ф. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 18.09.2024
Число запросов 28635
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)