Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=резонансная оже-рекомбинация<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Механизмы рекомбинации носителей заряда в Sb-содержащих лазерных структурах с квантовыми ямами [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 78-80. - Библиогр.: c. 80 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.958

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
Бурштейна-Мосса динамический эффект -- динамический эффект Бурштейна-Мосса -- квантовые ямы -- лазерные структуры -- оптическое возбуждение -- резонансная оже-рекомбинация -- твердые растворы -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследована динамика межзонной фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaAsSb и барьерами различных типов при различных температурах и уровнях возбуждения.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Suchalkin, S.; Kisin, M.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние оже-рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 240-242. - Библиогр.: c. 242 (2 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- оже-рекомбинация -- оптические фотоны -- полупроводниковые структуры -- резонансная оже-рекомбинация -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы процессы рекомбинации носителей заряда, включая оже-рекомбинацию, в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Из анализа динамики фотолюминесценции оценено время испускания оптического фонона, определена скорость рекомбинации при различных уровнях оптического возбуждения и оценен коэффициент, характеризующий скорость резонансной оже-рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Винниченко, М. Я.; Зерова, В. Л.; Мелентьв, Г. А.; Машко, М. О.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Belenky, G.; Hosoda, T.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 10.09.2024
Число запросов	41703
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)