Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=радиационные дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-26

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Исследование образования кластеров радиационных дефектов в графите с использованием рассеяния синхротронного излучения [Текст] / А. И. Рязанов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып: вып. 1. - С. 128-140 : 8 рис. - Библиогр.: с. 139-140

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
кластеры радиационных дефектов -- синхротронное излучение -- графит -- радиационные дефекты -- образование кластеров -- рассеяние синхротронного излучения
Аннотация: С использованием синхротронного излучения проведено исследование образования кластеров радиационных дефектов в графите.

Доп.точки доступа:
Борисов, М. М.; Морковин, А. Н.; Ковальчук, М. В.; Рязанов, А. И.; Мухамеджанов, Э. Х.; Перегудов, В. Н.; Латушкин, С. Т.; Унежев, В. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Левин, М. Н.
Определение симметрии радиационных дефектов высокоразрешающим методом Laplase-DLTS [Текст] / М. Н. Левин, А. Э. Ахкубеков, А. В. Татаринцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1671-1675. . - Библиогр.: c. 1675 (15 назв. )

УДК

^a539.143:621.382

ББК 22.383
Рубрики: Физика
Атомное ядро
Кл.слова (ненормированные):
метод Laplase-DLTS -- параметры регуляризации -- радиационные дефекты -- глубокие уровни -- метод L-кривой -- спектры Laplase-DLTS -- симметрия дефекта -- расчетные данные
Аннотация: Впервые показано, что использование подхода L-кривой для выбора параметра регуляризации в методе Laplase-DLTS существенно повышает достоверность получаемых результатов.

Доп.точки доступа:
Ахкубеков, А. Э.; Татаринцев, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние электрических полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным бета-излучением [Текст] / А. А. Дмитриевский [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 988-990. . - Библиогр.: c. 990 (5 назв. )

УДК

^a539.21:539.12.04

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрическое поле -- низкоинтенсивное бета-облучение -- радиационные дефекты -- микротвердость -- кристаллы кремния -- динамика изменений -- экспериментальные исследования
Аннотация: Обнаружено замедляющее действие электрического поля (ЭП) на процесс изменения микротвердости кремния, индуцируемый низкоинтенсивным (I=10. 4x10{4}см{-2}xc{-1}) бета-облучением.

Доп.точки доступа:
Дмитриевский, А. А.; Головин, Ю. И.; Васюков, В. М.; Сучкова, Н. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр
Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сандуленко, А. В.
Спектроскопия радиационных и структурных дефектов в кристаллах граната с примесью ионов ванадия и хрома [Текст] / А. В. Сандуленко, Н. А. Кулагин // Оптика и спектроскопия. - 2009. - Т. 106, N 3. - С. 442-449. : ил. - Библиогр.: с. 449 (20 назв. )

УДК

^a535.33

ББК 22.344
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
структурные дефекты -- радиационные дефекты -- структурные дефекты -- кристаллы граната -- ионы ванадия -- ионы хрома -- гранат -- ванадий -- хром
Аннотация: Рассмотрены экспериментальные и теоретические результаты исследования оптических спектров поглощения кристаллов со структурой граната A[3]B[2]C[3]O[12] с примесью ионов ванадия или хрома до и после окислительного отжига.

Доп.точки доступа:
Кулагин, Н. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ванина, Е. А.
Пострадиационное упорядочение дефектов в керамических материалах [Текст] / Е. А. Ванина, Е. С. Астапова, Е. М. Веселова // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С. 47-49.

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
керамические материалы -- математическое моделирование -- радиационные воздействия -- щелочно-галоидные кристаллы -- нейтронное облучение -- дислокации -- радиационные дефекты -- техническая керамика -- корундовая керамика
Аннотация: На основе математической модели упорядочения дислокаций получена оценка периода решетки плотности дислокаций в кристаллической фазе керамических материалов после нейтронного облучения.

Доп.точки доступа:
Астапова, Е. С.; Веселова, Е. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Развитие и применение локального PROMETEY-подхода для прогнозирования хрупкого разрушения корпусных реакторных сталей [Текст] / Б. З. Марголин [и др.] // Вопросы материаловедения. - 2009. - N 3. - С. 290-314 : 5 рис. - Библиогр.: с. 312-314 (48 назв.)

УДК

621.039

669.1

ББК 31.46 + 34.32
Рубрики: Энергетика--Ядерные реакторы
Технология металлов--Металлургия черных металлов
Кл.слова (ненормированные):
реакторные стали -- корпусные стали -- корпусные реакторные стали -- Рrometey-подходы -- Prometey-модели -- критерии хрупкого разрушения -- стали -- разрушение реакторных сталей -- трещиностойкость -- сколы -- радиационные дефекты
Аннотация: Представлен локальный Prometey-подход в его развитии от локального критерия хрупкого разрушения к инженерным приложениям. Кратко рассмотрено использование локального Prometey-подхода для прогнозирования трещиностойкости корпусных реакторных сталей, включая учет влияния коротких трещин, а также связь физических механизмов радиационного повреждения с физическими механизмами зарождения и распространения микротрещин скола.

Доп.точки доступа:
Марголин, Б. З.; Швецова, В. А.; Карзов, Г. П.; Гуденко, А. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Новиков, Г. К.
Электрически активные центры захвата носителей заряда и электретный эффект в полимерных диэлектриках и слюде [Текст] / Г. К. Новиков, А. И. Смирнов // Электротехника. - 2010. - N 10. - С. 21-26.

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрические коронные разряды -- полимерные диэлектрики -- диэлектрики -- коронные разряды -- радиационные дефекты -- электреты -- радиационное сшивание -- захват носителей заряда -- полярные химические связи С-Н
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования электретного эффекта и электрически активных центров захвата в радиационно модифицированных и подвергнутых деформации полимерных диэлектриках (рентгеновское излучение электрического газового разряда) и слюде после облучения gСо60 и термообработки.

Доп.точки доступа:
Смирнов, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

10.

Войцеховский, А. В.
Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками [Текст] / А. В. Войцеховский, М. Ю. Леонов, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 16-20. . - Библиогр.: c. 20 (5 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
импульсное лазерное излучение -- полупроводники -- радиационные дефекты -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с теоретическими и экспериментальными данными.

Доп.точки доступа:
Леонов, М. Ю.; Шульга, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Асина, С. С.
Радиационная технология изготовления мощных кремниевых резисторов [Текст] / Асина С. С., Кокин С. А., Филатова Т. В. // Электричество. - 2011. - N 10. - С. 12-15. : 3 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 15 (6 назв. )

УДК

^a621.316.3/.5

ББК 31.264
Рубрики: Энергетика
Электрические аппараты в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые резисторы -- кремний -- мощные резисторы -- радиационные дефекты -- радиационные технологии -- резисторы -- термоотжиг
Аннотация: Представлены результаты разработки радиационной технологии изготовления мощных кремниевых резисторов. Одним из оригинальных решений при этом является использование эффекта "отрицательного" отжига радиационных дефектов для уменьшения дозы облучения низкоомного кремния в 3-4 раза, что является следствием снижения себестоимости изготовления. Благодаря разработанной технологии стал возможным выпуск нового поколения мощных кремниевых резисторов с широким спектром Rном=0, 15-82 Ом, Pном=500-7500 Вт, Trm=125-180 C для комплектации энергосберегающей преобразовательной техники.

Доп.точки доступа:
Кокин, С. А.; Филатова, Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

12.

Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. . - Библиогр.: c. 78 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Воронина, Е. Н.
Математическое моделирование радиационных воздействий на перспективные материалы космических аппаратов [Текст] / Е. Н. Воронина, Л. С. Новиков, Н. П. Чирская // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 11. - С. 1594-1601. . - Библиогр.: c. 1600-1601 (29 назв. )

УДК

^a621.3.049.77

^a539.12.04

ББК 31.2 + 22.382
Рубрики: Энергетика
   Электротехника в целом
   Физика
   Элементарные частицы
Кл.слова (ненормированные):
диспергирование нанотрубок -- космические аппараты -- математическое моделирование -- нитрид бора -- оборудование космических аппаратов -- полимерные нанокомпозиты -- радиационные дефекты -- углеродные нанотрубки
Аннотация: В статье рассмотрены структурные особенности полимерных нанокомпозитов на основе нанотрубок, описана специфика радиационных воздействий на наноструктуры. Методами математического моделирования исследованы механизмы образования радиационных дефектов в нанотрубках, процессы диспергирования нанотрубок в полимерах и процессы поглощения радиационных потоков некоторыми нанокомпозитами.

Доп.точки доступа:
Новиков, Л. С.; Чирская, Н. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Смирнов, Е. А.
Влияние примесных комплексов на кинетику радиационного ускорения зернограничной диффузии в поликристаллических материалах [Текст] / Е. А. Смирнов, А. А. Шмаков, О. С. Якунина // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 23-29.

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
примесные комплексы -- кинетика радиационного ускорения -- зернограничная диффузия -- поликристаллические материалы -- радиационные дефекты -- радиационностимулированная граничная диффузия
Аннотация: Представлена модель отжига радиационных дефектов в поликристаллическом материале, учитывающая зернограничную диффузию комплексов примесь–дефект и предсказывающая ускорение радиационностимулированной граничной диффузии (РСГД). Проведены качественные оценки величины эффекта примесного ускорения РСГД.

Доп.точки доступа:
Шмаков, А. А.; Якунина, О. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Стефановский, С. В.
ЭПР ионов переходных металлов и радиационных дефектов в материалах для иммобилизации радиоактивных шлаков [Текст] / С. В. Стефановский, Г. А. Малинина, О. И. Стефановская // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 30-39.

УДК

^a621.039

ББК 31.4
Рубрики: Энергетика
Атомная энергетика
Кл.слова (ненормированные):
переходные металлы -- радиоактивные отходы -- стекломатериалы -- шлаки -- электронный парамагнитный резонанс -- ионы переходных металлов -- анионные мотивы стекломатериалов -- твердые радиоактивные отходы -- иммобилизация радиоактивных шлаков -- радиационные дефекты
Аннотация: На основе анализа спектров ЭПР рассмотрено структурное положение ионов и строение анионного мотива стекломатериалов, предназначенных для долговременного хранения твердых радиоактивных отходов. В спектрах ЭПР как необлученных, так и облученных стекломатериалов найдены сигналы от ионов Mn[2+], Fe[3+] и Cu[2+]. В спектрах стекломатериалов, легированных V[2]O[5], линий со сверхтонкой структурой от [51]V (IV) найдено не было, что, возможно, связано со стабилизацией состояния окисления V (III) или V (V). Анионный мотив структуры стекломатериалов на силикатной основе построен, в основном, из кремнекислородных тетраэдров с двумя-тремя мостиковыми ионами кислорода.

Доп.точки доступа:
Малинина, Г. А.; Стефановская, О. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Радиационно-стимулированные процессы в облученных кристаллах TLInS_2 гексагональной модификации [Текст] / Р. С. Мадатов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 91-94. - Библиогр.: c. 94 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия электропроводимости кристаллов -- анионные подрешетки -- зонный спектр соединения -- радиационно-стимулированные процессы -- радиационное дефектообразавание -- радиационные дефекты -- электропроводность
Аннотация: Проведены исследования анизотропии электропроводимости в гексагональных кристаллах TLInS_2, облученных у-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~ 50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в тетраэдрическом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого увеличивается электропроводность. При увеличении дозы облучения (выше 200 крад) вследствие взаимодействия радиационных дефектов с исходными неоднородностями происходит образование сложных дефектов, в результате чего рост электропроводности в обоих направлениях ослабляется.

Доп.точки доступа:
Мадатов, Р. С.; Наджафов, А. И.; Мамедов, B. C.; Мамедов, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Влияние электронного облучения на фториды щелочно-земельных элементов (CaF[2], SrF[2] и BaF[2]) [Текст] / В. И. Николайчик [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1143-1148. - Библиогр.: c. 1148 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.533.9

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
десорбция фтора -- дифракционный анализ -- радиационные дефекты -- фториды щелочно-земельных элементов -- электронное облучение -- электронные пучки -- элементный анализ
Аннотация: С использованием элементного и дифракционного анализа изучено влияние электронного облучения в колонне просвечивающего электронного микроскопа на фториды щелочно-земельных элементов CaF[2], SrF[2] и BaF[2]. Установлено, что при превышении плотности тока электронного пучка выше порогового значения наблюдаются десорбция фтора и связывание высвобождающихся ионов металла кислородом остаточного вакуума в оксидную фазу МеО (Ме = Ca, Sr, Ba), имеющую структуру каменной соли NaCl.

Доп.точки доступа:
Николайчик, В. И.; Соболев, Б. П.; Запорожец, М. А.; Авилов, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С.

Доп.точки доступа:
Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Влияние радиационных дефектов на эффективность функционализации углеродных нанотрубок: расчеты из первых принципов [Текст] / А. В. Кособуцкий [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2012. - № 4. - С. 3-7 : табл., рис. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a539.2

^a536.22/.23

ББК 22.37 + 22.365
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
группы химических соединений -- радиационные дефекты -- тонкие пленки -- углеродные нанотрубки -- физические расчеты -- функционализация углеродных нанотрубок -- электронные свойства -- энергия связи молекул
Аннотация: Теоретически исследованы структуры зигзагообразных углеродных нанотрубок (УНТ) с вакансионными дефектами и рассчитаны энергии связи дефектных УНТ с внешними функциональными группами OH, COOH, NH; показано, что энергия связи молекул примесей с дефектными УНТ в несколько раз выше энергии взаимодействия примесей с идеальными нанотрубками.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Шандаков, С. Д.; Севостьянов, О. Г.; Звиденцова, Н. С.; Рыбаков, М. С.; Владимиров, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

20.

Талипов, Н. Х.
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe [Текст] / Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 3-14 : рис., табл. - Библиогр.: c. 14 (33 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a621.315.55/.58

ББК 22.379 + 31.232
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ИК-излучение -- гетероэпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дефектообразование -- ионная имплантация -- лазерное облучение -- облучение поверхностных слоев -- радиационные дефекты
Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-26

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	27672
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)