Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=прыжковая проводимость<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Температурная зависимость энергии активации электропроводности манганитов в парамагнитной фазе [Текст] / Э. А. Нейфельд [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1602-1603. - Библиогр.: c. 1603 (3 назв. )

УДК

^a538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные манганиты -- манганиты -- парамагнитная фаза -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- ферромагнитные манганиты -- флуктуации -- электропроводность -- энергия активации
Аннотация: Обнаружена и исследована температурная зависимость магнитной составляющей энергии активации прыжковой проводимости манганитов эпсилон[m] в парамагнитной фазе.

Доп.точки доступа:
Нейфельд, Э. А.; Архипов, В. Е.; Угрюмова, Н. А.; Королев, А. В.; Муковский, Я. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Борблик, В. Л.
Проявление эффектов разупорядочения в избыточном туннельном токе сильно легированных кремниевых диодов [Текст] / В. Л. Борблик, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1108-1110. . - Библиогр.: c. 1110 (11 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры случайные -- диоды -- кремниевые диоды -- легированные диоды -- низкие температуры -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- термотуннелирование -- туннельный ток -- эффекты неупорядоченности
Аннотация: Измерена температурная зависимость прямого тока в сильно легированных кремниевых p-n-диодах при низких температурах, когда проводимость осуществляется туннелированием. В области самых низких температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, а в области более высоких температур - "сверхэкспоненциальная" зависимость диодного тока от температуры, которую можно объяснить термотуннелированием сквозь некие случайные потенциальные барьеры.

Доп.точки доступа:
Шварц, Ю. М.; Шварц, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Вайсбурд, Д. И.
Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока [Текст] / Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 10-16. . - Библиогр.: c. 15-16 (15 назв. )

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- интенсивные электронные пучки -- ионизация донорного центра -- прыжковая проводимость -- термические флуктуации -- туннелирование -- эффект Пуля - Френкеля
Аннотация: Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 нс относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Евдокимов, К. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Механизмы переноса заряда и магнетосопротивления в CuInSe[2] [Текст] / А. Х. Матиев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 9. - С. 1382-1383. . - Библиогр.: c. 1383 (3 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнетосопротивление -- монокристаллы CuInSe[2] -- примесная проводимость -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- температурное расширение -- электрическое сопротивление -- электропроводность
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электропроводности и магнетосопротивления монокристаллов CuInSe[2] n- и р-типов проводимости в области температур 4. 2-300 К и магнитных полей до 6 Тл. Установлено, что механизм прыжковой проводимости доминирует в интервале температур 4. 2-100 К. В окрестностях Т~60 К наблюдается особенность в поведении проводимости, которой соответствует изменение знака магнетосопротивления.

Доп.точки доступа:
Матиев, А. Х.; Георгобиани, А. Н.; Кодин, В. В.; Матиев, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование проводящих слоев в алмазе путем имплантации ионов водорода и последующей термообработки при низком или высоком давлении [Текст] / В. П. Попов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 5. - С. 647-652. - Библиогр.: c. 651-652 (30 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.21:547.31

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- графитизация -- ионная имплантация -- отжиг -- прыжковая проводимость -- рамановское рассеяние света -- слоевая проводимость -- стеклоуглерод
Аннотация: (111) пластины синтетических HPTH-алмазов облучались ионами H{+}[2] 50 кэВ в диапазоне флюенсов (1-13) х 10{16} см{-2} и отжигались в вакууме при 1 мПа (VPHT, 500-1600 град. С) и при высоких HPHT параметрах (4. 0-7. 5 ГПа, 1200-1550 град. С). Измерениями слоевой проводимости и рамановского рассеяния света показано, что после VPHT-отжига формируется скрытый слой стеклоуглерода 10-100 нм с низким, а после - HPHT с высоким сопротивлением и прыжковым транспортом по дефектам.

Доп.точки доступа:
Попов, В. П.; Сафронов, Л. Н.; Наумова, О. В.; Володин, В. А.; Куприянов, И. Н.; Пальянов, Ю. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Шумилин, А. В.
Магнитосопротивление при проводимости с переменной длиной прыжка в разреженных массивах квантовых точек с числом заполнения 2эта3 [Текст] / А. В. Шумилин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 6. - С. 1181-1191. - Библиогр.: с. 1190-1191 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
магнитосопротивление -- механизмы магнитосопротивления -- массивы квантовых точек -- прыжковая проводимость -- магнитное поле -- электроны -- проводимость в массивах квантовых точек
Аннотация: Рассмотрены механизмы магнитосопротивления, возникающие при прыжковой проводимости в массивах квантовых точек с числом заполнения 2<эта<3. В таких структурах электронные состояния, определяющие прыжковую проводимость, обладают орбитальным моментом количества движения l=1.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Прыжковая проводимость в поликристаллах EuS [Текст] / М. М. Казанин [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2200-2202 : 2 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
EuS -- диапазон давления 0-620 MPa -- диапазон температур 150-400 K -- европий -- моносульфид европия -- поликристаллы -- проводимость -- прыжковая проводимость
Аннотация: Проведены исследования электропроводности поликристаллов моносульфида европия в зависимости от температуры в диапазоне 150-400 K и давления до 620 MPa.

Доп.точки доступа:
Казанин, М. М.; Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Степанов, Н. Н.; Голубков, А. В.; Шаренкова, Н. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Прыжковая проводимость с законом "1/2" в многослойном нанокомпозите [(Co[40]Fe[40]B[20])[34] (SiO[2])[66]/C][47] [Текст] / О. В. Геращенко [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 1. - С. 157-160 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллография в целом -- многослойные нанокомпозиты -- нанокомпозиты -- проводимость -- прыжковая проводимость
Аннотация: Исследована температурная зависимость продольного электрического сопротивления в многослойных нанокомпозитах [ (Co[40]Fe[40]B[20]) [34] (SiO[2]) [66]/C][47], содержащих 47 аморфных бислоев металл-диэлектрик/углерод, полученных ионно-лучевым распылением и различающихся толщиной углеродного слоя.

Доп.точки доступа:
Геращенко, О. В.; Уклеев, В. А.; Дядькина, Е. А.; Ситников, А. В.; Калинин, Ю. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Шумилин, А. В.
Влияние неравновесных корреляций на эффективные сопротивления между центрами в теории прыжковой проводимости [Текст] / А. В. Шумилин, Я. М. Бельтюков // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 11. - С. 2116-2121 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
Миллера - Абрахамса сетка сопротивлений -- кристаллография в целом -- неравновесные корреляции -- прыжковая проводимость -- сетка сопротивлений Миллера - Абрахамса -- эффективные сопротивления
Аннотация: Показано, что неравновесные корреляции в прыжковой проводимости могут быть учтены с помощью обобщения сетки сопротивлений Миллера - Абрахамса.

Доп.точки доступа:
Бельтюков, Я. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Влияние парциального давления кислорода на стехиометрический состав пленок оксида титана в процессе магнетронного нанесения [Текст] / С. В. Булярский, Г. Г. Гусаров, Д. А. Коива, Г. А. Рудаков // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 10. - С. 1694-1700 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (35 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диоксид титана -- кристаллография в целом -- магнетронное нанесение -- оксид титана -- парциальное давление кислорода -- прыжковая проводимость -- стехиометрия
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по синтезу нестехиометрических пленок оксидов титана при различных парциальных давлениях кислорода и мощностях разряда в реакторе при магнетронном распылении.

Доп.точки доступа:
Булярский, С. В.; Гусаров, Г. Г.; Коива, Д. А.; Рудаков, Г. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	28940
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)