Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=подложка SiC/Si (111)<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
GaN -- SiC/Si (111) -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нанокристаллы GaN -- нитевидные нанокристаллы -- оптические свойства -- подложка SiC/Si (111) -- эпитаксия
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния.


Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.; Котляр, К. П.; Илькив, И. В.; Сошников, И. П.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Никитина, Е. В.; Цырлин, Г. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 05.08.2024
Число запросов 2052
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)