Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=подложка<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-22

Эволюция магнитооптических свойств нанокомпозитов (Co) [x] (LiNbO[3]) [100-x] при изменении давления кислорода в процессе изготовления [Текст] / В. Е. Буравцова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1583-1584. - Библиогр.: c. 1584 (3 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
аномальный эффект Холла -- высокие температуры -- гигантское магнитосопротивление -- Керра экваториальный эффект -- кислород -- магнитные материалы -- магнитооптические свойства -- нанокомпозиты -- подложка -- Холла аномальный эффект -- экваториальный эффект Керра
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния атмосферы в распылительной камере и состояния подложки на магнитооптические свойства нанокомпозитов (Co) [x] (LiNbO[3]) [100-x].

Доп.точки доступа:
Буравцова, В. Е.; Ганьшина, Е. А.; Иванова, О. С.; Калинин, Ю. Е.; Киров, С. А.; Пхонгхирун, С.; Ситников, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Пироэлектрические и пьезоэлектрические петли гистерезиса в тонких пленках ЦТС с избыточным содержанием оксида свинца [Текст] / А. А. Богомолов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1422-1423. - Библиогр.: c. 1423 (6 назв. )

УДК

^a537.226

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
гистерезис -- кремниевая подложка -- оксид свинца -- перовскитовая структура -- пироэлектрические петли -- пленки ЦТС -- поликристаллические пленки -- пьезоэлектрические петли -- сегнетоэлектрические пленки -- ситалловая подложка -- тонкие пленки
Аннотация: Проведен сравнительный анализ пироэлектрических и пьезоэлектрических петель гистерезиса тонких пленок PbZr[0. 54]Ti[0. 46]O[3]+10 мол. % PbO, сформированных в идентичных условиях на подложках ситалла и кремния. Существенные различия в поведении исследуемых параметров связаны с различным характером двуосных механических напряжений, действующих на сегнетоэлектрическую пленку со стороны ситалловой и кремниевой подложек.

Доп.точки доступа:
Богомолов, А. А.; Сергеева, О. Н.; Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Киселев, Д. А.; Холкин, А. Л.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Филиппов, В. В.
Квантово-химическое моделирование структуры напряженных нанокристаллов кремния на германиевой подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Н. С. Переславцева, С. И. Курганский // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1314-1316. . - Библиогр.: c. 1316 (11 назв. )

УДК

^a539.19:541.621:526.26

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантово-химическое моделирование -- атомная структура -- электронные свойства -- кремниевые нанокристаллы -- германиевая подложка -- нанокластеры -- энергетические характеристики
Аннотация: Представлены результаты оптимизации атомной и электронной структуры напряженных кремниевых кластеров Si[51] на германиевой подложке. Изучено взаимодействие граничных атомов нанокластеров с подложкой.

Доп.точки доступа:
Переславцева, Н. С.; Курганский, С. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Барышев, А. В. (Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова).
Новая математическая модель анализа малозаметных дефектов подложки [Текст] / А. В. Барышев, Ю. А. Еремин // Математическое моделирование. - 2010. - Т. 22, N 5. - С. 122-130 : 6 рис. - Библиогр.: с. 122-130 . - ISSN 0234-0879

УДК

^a51

^a519.6

ББК 22.19 + 22.19
Рубрики: Математика
Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
подложка -- дефекты подложки -- математическое моделирование -- задача рассеяния трехмерная
Аннотация: Предложена новая модель анализа таких малозаметных дефектов подложки, как пологие полости и выпуклости в подложке. Приведено исследование и получены результаты применения модели для случая трехмерной задачи рассеяния на различных дефектах подложки.

Доп.точки доступа:
Еремин, Ю. А. (Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тепловое состояние системы покрытие–подложка в условиях финишного плазменного упрочнения [Текст] / П. А. Тополянский [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2011. - N 1. - С. 32-35.

УДК

^a621.78

ББК 34.65
Рубрики: Машиностроение
Упрочнение металлов
Кл.слова (ненормированные):
термические напряжения -- упрочнение металлов -- безвакуумное финишное плазменное упрочнение -- система покрытие-подложка
Аннотация: Путем решения тепловой задачи проведено моделирование распределения температуры в системе покрытие–подложка в условиях безвакуумного финишного плазменного упрочнения металлической поверхности. Показано, что скорость охлаждения покрытия достигает 1010-1012 градусов в секунду, и в поверхностном слое металла на глубину до 10 мкм возникают сжимающие напряжения, вызывающие его упрочнение.

Доп.точки доступа:
Тополянский, П. А.; Ермаков, С. А.; Соснин, Н. А.; Тополянский, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.

Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Котова, А. Н. (аспирант).
Мраморирование - метод художественного оформления текстильных материалов [Текст] / А. Н. Котова, Л. А. Лобанова // Текстильная промышленность. - 2011. - N 4. - С. 32-35. . - Библиогр.: с. 35 (5 назв. )

УДК

^a677

ББК 37.23
Рубрики: Легкая промышленность
Текстильное производство
Кл.слова (ненормированные):
текстильные материалы -- оформление материалов -- художественное оформление -- методы оформления -- мраморирование -- мраморные рисунки -- составы для мраморирования -- подложка -- вязкие композиции -- красители -- растворы красителей -- водные растворы -- загущенные растворы -- пенные композиции -- текстильно-вспомогательные вещества
Аннотация: Разработан новый способ художественного оформления текстильных материалов, заключающийся в том, что рисунок создается с помощью загущенных растворов красителей и текстильно-вспомогательных веществ, наносимых на слой пенной композиции. Предварительно обработанный растворами электролитов текстильный материал помещается на поверхность созданной вязкой композиции, пропитывается водными растворами красителей и текстильно-вспомогательных веществ, избыток композиции удаляется; материал высушивается и окраска фиксируется при термической обработке.

Доп.точки доступа:
Лобанова, Л. А. (кандидат технических наук, доцент)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 425-428. - Библиогр.: c. 428 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.23

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
биатомные слои -- гетеросистемы -- граница раздела -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- размерные эффекты -- химическое травление -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста.

Доп.точки доступа:
Лошкарев, И. Д.; Труханов, Е. М.; Романюк, К. Н.; Качанова, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Структура и свойства поверхностного сплава, формируемого при обработке высокоинтенсивным электронным пучком системы пленка - подложка [Текст] / Н. Н. Коваль [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 9. - С. 70-79. - Библиогр.: c. 78-79 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
алюминиды титана -- материаловедение -- наноразмерные частицы -- поверхностное упрочнение -- поверхностные сплавы -- силициды титана -- титан -- упрочняющие технологии
Аннотация: Выполнена обработка систем пленка-подложка высокоинтенсивным электронным пучком субмиллисекундной длительности воздействия. Осуществлены исследования и показано, что электронно-пучковая обработка системы пленка-подложка сопровождается легированием поверхностного слоя материала на глубину расплава с формированием фаз наноразмерного диапазона.

Доп.точки доступа:
Коваль, Н. Н.; Иванов, Ю. Ф.; Ласковнев, А. П.; Углов, В. В.; Черенда, Н. Н.; Колубаева, Ю. А.; Маркова, Е. А.; Тересов, А. Д.; Москвин, П. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Высокоморная, О. В.
Пожарная опасность взаимодействия тонкой пленки жидкого топлива с массивной разогретой до высоких температур подложкой [Текст] / О. В. Высокоморная, П. А. Стрижак // Безопасность труда в промышленности. - 2012. - № 6. - С. 48-52. - Библиогр.: с. 52 (23 назв.) . - ISSN 0409-2961

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
тонкая пленка -- зажигание -- массивная подложка -- пожарная опасность -- жидкое топливо
Аннотация: Выполнено численное исследование макроскопических закономерностей взаимодействия тонкой пленки типичного жидкого топлива с разогретой до высоких температур металлической подложкой. Установлены условия возгорания топлива. Определены предельные значения температуры подложки и толщины пленки жидкости, при которых зажигание не происходит.

Доп.точки доступа:
Стрижак, П. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

11.

Курчак, А. И.
Антигистерезис сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(Zr[x]Ti[1-x])O[3] [Текст] / А. И. Курчак, М. В. Стриха // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 1. - С. 129-135. - Библиогр.: с. 135 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
антигистерезис -- сопротивление графена -- графен -- подложка сегнетоэлектрика -- сегнетоэлектрики -- антигистерезисное поведение
Аннотация: Построена количественная модель для объяснения антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb (Zr[x]Ti[1-x]) O[3] с изменением напряжения на затворе.

Доп.точки доступа:
Стриха, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Нелинейное взаимодействие ферромагнетика и высокотемпературного сверхпроводника [Текст] / В. А. Кашурников [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 143, вып. 3. - С. 546-556. - Библиогр.: с. 556 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнетики -- ферромагнетизм -- сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- ВТСП -- нелинейное взаимодействие -- взаимодействие сверхпроводника -- взаимодействие ферромагнетика -- ферромагнитная подложка -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод
Аннотация: Проведены точный расчет и экспериментальное наблюдение процессов перемагничивания слоистого высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП), находящегося в непосредственном контакте с ферромагнитной подложкой.

Доп.точки доступа:
Кашурников, В. А.; Максимова, А. Н.; Руднев, И. А.; Сотникова, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.

Доп.точки доступа:
Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Проводимость и фотопроводимость гранулированной пленки серебра на сапфировой подложке [Текст] / Е. В. Ващенко [и др.] // Оптический журнал. - 2013. - Т. 80, № 5. - С. 3-10 : граф. . - ISSN 0030-4042

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
гранулированные пленки серебра -- диэлектрические подложки -- ловушки в подложке -- энергия активации -- фотопроводимость -- сапфировая подложка
Аннотация: Исследованы фотоэлектронные свойства высокоомной пленки серебра на сапфире.

Доп.точки доступа:
Ващенко, Е. В.; Гладских, И. А.; Пржибельский, С. Г.; Хромов, В. В.; Вартанян, Т. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Морозова, Е. О.
Стимуляция передачи сигналов в модели нейронов, взаимодействующих с активной транзисторной подложкой [Текст] / Е. О. Морозова, О. А. Морозов, В. Б. Казанцев // Известия вузов. Радиофизика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 789-799 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 798 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3462

УДК

^a004.94

^a576.3

ББК 32.973-018.2 + 28.05
Рубрики: Вычислительная техника
   Имитационное компьютерное моделирование
   Биология
   Общая цитология
Кл.слова (ненормированные):
транзисторная подложка -- модель нейроэлектронного интерфейса -- индуцированная синаптическая пластичность -- нейронные генераторы -- сигналы -- передача сигналов -- межнейронная передача сигналов
Аннотация: В статье рассматривается модель нейроэлектронного интерфейса, состоящая из синаптически связанных нейронных генераторов, взаимодействующих с транзисторной подложкой. Исследуется эффект индуцированной синаптической пластичности, т. е. динамического усиления связи между нейронными генераторами за счет активации параллельного синаптическому канала передачи сигнала через транзисторную подложку. Показано, что такая подложка может играть роль активной среды, регулирующей характеристики межнейронной передачи сигналов.

Доп.точки доступа:
Морозов, О. А.; Казанцев, В. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
AlN -- SiC/Si -- выращенные пленки -- пироэлектрический отклик -- пленки AlN -- подложка SiC/Si -- пьезоэлектрический отклик -- тонкие пленки -- эпитаксиальное выращивание
Аннотация: Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитаксии на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si.

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Сергеева, О. Н.; Киселев, Д. А.; Богомолов, А. А.; Солнышкин, А. В.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
GaN -- SiC/Si (111) -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нанокристаллы GaN -- нитевидные нанокристаллы -- оптические свойства -- подложка SiC/Si (111) -- эпитаксия
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.; Котляр, К. П.; Илькив, И. В.; Сошников, И. П.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Никитина, Е. В.; Цырлин, Г. Э.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

18.

Моисеев, К. Д.
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (6 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- подложка InAs -- эпитаксиальные слои InAsSbP
Аннотация: Послойный анализ вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания.

Доп.точки доступа:
Романов, В. В.; Кудрявцев, Ю. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Применение метода спектральной эллипсометрии для характеризации наноразмерных пленок с ферромагнитными слоями [Текст] / Х. Хашим [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 11. - С. 2191-2195 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел--Россия--Нижний Новгород, 2017 г.
Кл.слова (ненормированные):
магнитооптика -- наноразмерные пленки -- ситалловая подложка -- спектральная эллипсометрия -- ферромагнитные слои -- эллипсометрия
Аннотация: С помощью методов эллипсометрии были исследованы оптические и структурные параметры многослойных пленок на ситалловой подложке.

Доп.точки доступа:
Хашим, Х.; Сингх, С. П.; Панина, Л. В.; Пудонин, Ф. А.; Шерстнев, И. А.; Подгорная, С. В.; Шпетный, И. А.; Беклемишева, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Адгезивы для самоклеящихся этикеток [Текст] // Тара и упаковка. - 2018. - № 3. - С. 14-15 : 2 фот. . - ISSN 0868-5568

УДК

^a658.5

ББК 65.291.8
Рубрики: Экономика
Организация производства
Кл.слова (ненормированные):
адгезивы -- готовая продукция -- подложка -- потребление -- праймер -- самоклеящиеся этикетки -- силикон -- сухие этикетки -- термоадгезивы -- технологии изготовления
Аннотация: О составе и производстве самоклеящихся этикеток.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эк. (1)
Свободны: эк. (1)

Найти похожие

1-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 10.07.2024
Число запросов	149831
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)