Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=поверхностный потенциал<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Назарчук, Ю. Н.
Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 32-35. . - Библиогр.: c. 35 (10 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- атомно-силовой микроскоп -- зонд Кельвина -- Кельвина зонд -- металлизация поверхностей -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод зонда Кельвина -- поверхностный потенциал
Аннотация: С использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) в варианте метода зонда Кельвина (МЗК) проведены исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд - металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП).

Доп.точки доступа:
Новиков, В. А.; Торхов, Н. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Чигорко, А. А.
Контроль электризации диэлектрических материалов космического применения [Текст] / А. А. Чигорко, Ю. А. Бежаев, А. А. Лукащук // Контроль. Диагностика. - 2012. - № 3. - С. 45-48. - Библиогр.: с. 48 (3 назв. ) . - ISSN 0201-7032

УДК

^a621.315.6

^a620.1/.2

ББК 31.234 + 30.3
Рубрики: Энергетика
   Электроизолирующие материалы и изделия
   Техника
   Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
контроль электризации -- электризация диэлектрических материалов -- диэлектрические материалы -- электростатические разряды -- диэлектрики космического применения -- электронное излучение -- испытательные стенды -- датчики электростатического поля -- удельное сопротивление -- поверхностный потенциал -- разрядные характеристики
Аннотация: Обоснована важность контроля электризации диэлектриков космического применения. Рассмотрены основные контролируемые параметры: удельное сопротивление, поверхностный потенциал, разрядные характеристики и методы их контроля при проведении наземных испытаний на радиационную электризацию.

Доп.точки доступа:
Бежаев, Ю. А.; Лукащук, А. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние сильного электролита на агрегационное поведение и каталитические свойства дикатионных поверхностно-активных веществ [Текст] / Е. И. Яцкевич [и др.] // Известия РАН. Серия химическая. - 2011. - № 12. - С. 2546-2550 : 3 рис., 2 табл., 1 схема. - Библиогр.: с. 2549-2550 (25 назв. ) . - ISSN 0002-3353

УДК

^a544.77

ББК 24.61
Рубрики: Химия
Коллоидная химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
дикатионные ПАВ -- поверхностно-активные вещества -- электролиты -- агрегационное поведение -- поверхностный потенциал -- мицеллярный каталитический эффект
Аннотация: Введение хлорида калия в водный раствор дикатионных (геминальных) ПАВ приводит к частичной нейтрализации поверхностного заряда мицелл, что сопровождается увеличением их размера, снижением критической концентрации мицеллообразования, уменьшением величины поверхностного потенциала системы, а также изменением мицеллярного влияния на гидролитическую устойчивость солюбилизированных эфиров карбоновых кислот.

Доп.точки доступа:
Яцкевич, Е. И.; Миргородская, А. Б.; Захарова, Л. Я.; Коновалов, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Гаман, В. И.
Влияние адсорбции кислорода на поверхностный потенциал металлооксидного полупроводника [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 75-81. - Библиогр.: c. 81 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция кислорода -- адсорбция окислительных газов -- металлооксидные полупроводники -- поверхностная плотность ионов кислорода -- поверхностный потенциал -- теплота адсорбции -- хемосорбция
Аннотация: Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости поверхностной плотности адсорбированных ионов кислорода и изгиба энергетических зон в приповерхностной области металлооксидного полупроводника от концентрации кислорода, которые учитывают не только процесс адсорбции нейтральных частиц газа, но и их перезарядку за счет захвата электрона из зоны проводимости. Показано, что теплота адсорбции ионов кислорода равна сумме теплоты адсорбции нейтральной частицы и энергетического зазора между уровнем Ферми и уровнем иона кислорода на поверхности полупроводника. В период установления адсорбционного равновесия аналитическое выражение, описывающее зависимость изгиба энергетических зон от времени, может быть получено только для случая малых изменений концентрации кислорода в газовой смеси.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	39760
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)