Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=пластичные рекристаллизованные материалы<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Ушаков, И. В.
    Влияние лазерной обработки на микротвердость и особенности разрушения тонких лент аморфно-нанокристаллического металлического сплава [Текст] / И. В. Ушаков, И. С. Сафронов // Физика и химия обработки материалов. - 2013. - № 2. - С. 11-15 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
   Общая технология металлов

Кл.слова (ненормированные):
тонкие ленты -- лазерное облучение -- наносекундное лазерное облучение -- микротвердость -- нанокристаллические сплавы -- аморфно-нанокристаллические сплавы -- локальные нагружения -- металлические сплавы -- аморфно-нанокристаллические металлические сплавы -- лазерная обработка -- импульсная лазерная обработка -- лазерная плазма -- концентраторы напряжений -- разрушения -- пластичные рекристаллизованные материалы -- затвердевшие расплавы
Аннотация: Исследовано влияние наносекундного лазерного облучения на микротвердость тонкой ленты аморфно-нанокристаллического сплава Co 71, 66 B4, 73 Fe3, 38 Cr3, 14 Si17, 09. Показано, что характер разрушения сплава при индентировании зависит как от исходной структуры материала, так и от режима лазерного облучения (облучение локальной области серией лазерных импульсов или формирование полосы из перекрывающихся зон лазерного воздействия при перемещении образца). Повышение микротвердости и энергоемкости разрушения вблизи границы зоны лазерноговоздействия обусловлено избирательным воздействием лазерной плазмы на структурные дефекты (концентраторы напряжений) и созданием на периферии зоны облучения “композитного” материала из твердой и хрупкой основы из исходного нанокристаллического материала и поверхностного слоя пластичного рекристаллизованного материала из затвердевшего расплава, выдавленного из центральной зоны облучения.


Доп.точки доступа:
Сафронов, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 18.09.2024
Число запросов 29808
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)