Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нитрид кремния<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Атамуратов, А. Э.
Детектирование заряда встроенного в оксидном слое МОП-транзистора, боковым С-V-измерением [Текст] / А. Э. Атамуратов, Д. У. Матрасулов, П. К. Хабибуллаев // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 6. - С. 761-764. - Библиогр.: с. 764 (9 назв. )

УДК

^a621.03

ББК 30.13
Рубрики: Техника--Техническая физика
Кл.слова (ненормированные):
нитрид кремния -- детектирование -- локализованные заряды -- область пространственного заряда -- полупроводники
Аннотация: Изучается возможность детектирования локального заряда в SiO[2]-слое МОП-транзистора простым C-V-измерением перехода исток-подложка.

Доп.точки доступа:
Матрасулов, Д. У.; Хабибуллаев, П. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ионные треки в аморфном нитриде кремния [Текст] / Л. А. Власукова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 226-228. - Библиогр.: c. 228 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.95-405:539.12.04

^a548:539.12.04

ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики
   Геология
   Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
аморфный нитрид кремния -- атомно-силовая спектроскопия -- ионные треки -- модель термического пика -- нитрид кремния -- режим электронных потерь -- сканирующая электронная микроскопия -- температура плавления -- температурные поля -- травление треков -- электронные потери
Аннотация: Исследована морфология треков быстрых ионов, выявленных в аморфном нитриде кремния после обработки в растворе HF. Структуры Si[3]N[4]/Si облучались ионами Fe, Kr, W в режиме электронных потерь. Прерывистые треки выявлены только при облучении W с максимальными для условий нашего эксперимента электронными потерями (20. 4 кэВ х нм[-1]). Представлены результаты расчета трекообразования в Si3N4 на базе модели термического пика.

Доп.точки доступа:
Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю.; Плякин, Д. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электронная структура нитрида кремния по данным ab initio квантово-химических расчетов и эксперимента [Текст] / С. С. Некрашевич [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып. 4. - С. 745-753. . - Библиогр.: с. 752-753

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
нитрид кремния -- кремний -- электронная структура -- квантово-химические расчеты -- эксперименты -- данные ab initio -- ab initio
Аннотация: Изучена электронная структура нитрида кремния по данным ab initio квантово-химических расчетов и эксперимента.

Доп.точки доступа:
Некрашевич, С. С.; Гриценко, В. А.; Клаузер, Р.; Гво, С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Применение ионных пучков для исследования углерод-керамического композита [Текст] / В. С. Авилкина [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 6. - С. 10-14.

УДК

^a621.039.6

ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Кл.слова (ненормированные):
углерод-керамические композиты -- микроструктура композитов -- высокодозовое ионное облучение -- ионно-электронная эмиссия -- карбид кремния -- нитрид кремния -- распыление композитов -- имплантация композитов
Аннотация: Методами оптической и растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного анализа изучено ионно-лучевое травление поверхности углерод-керамического композита при бомбардировке ионами Ar и изменение состава поверхностного слоя при имплантации атомарными и молекулярными ионами азота. Показано, что имплантированный азот внедряется, в основном, в кремнийсодержащие структурные составляющие композита, а его концентрация в модифицированном слое может достигать 50 ат. %. Ионное распыление является эффективным методом травления поверхности композита для анализа микроструктуры.

Доп.точки доступа:
Авилкина, В. С.; Андрианова, Н. Н.; Борисов, А. М.; Виргильев, Ю. С.; Куликаускас, В. С.; Машкова, Е. С.; Тимофеев, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние механической активации на свойства шихты для выращивания монокристаллов NaBi (WO[4]) [2] и ScBaNa (BO[3]) [2] [Текст] / Ф. Х. Уракаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 664-667. . - Библиогр.: c. 666-667 (12 назв. )

УДК

^a53.091

^a548-1:55

ББК 22.3 + 26.303
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики
   Геология
   Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- карбид вольфрама -- механическая активация -- механохимические реакторы -- монокристаллы -- нитрид кремния -- объемные монокристаллы -- синтез шихты -- шаровые планетарные мельницы -- шихта
Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния "незагрязняющей" механической активации (без абразивно-реакционного износа материала мелющих тел механохимических реакторов) оксидно-карбонатно-кислотных систем на синтез и свойства шихты для выращивания объемных кристаллов.

Доп.точки доступа:
Уракаев, Ф. Х.; Шевченко, В. С.; Кононова, Н. Г.; Светлякова, Т. Н.; Кох, А. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Ануров, А. Е.
Влияние технологических параметров на свойства наноразмерных пленок нитрида кремния, осажденных в индуктивно-связанной плазме [Текст] / А. Е. Ануров, А. А. Данилов, А. А. Жуков // Наноматериалы и наноструктуры. - 2011. - № 4. - С. 43-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (10 назв.)

УДК

^a544.22

ББК 24.52
Рубрики: Химия
Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные пленки -- нитрид кремния -- химическое газофазное осаждение -- электрическая прочность -- коэффициент преломления -- индуктивно-связанная плазма
Аннотация: Рассмотрены технологические особенности формирования слоев нитрида кремния толщиной 70... 170 нм, осаждаемых методом плазмоактивируемого процесса химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Исследованы оптические и электрические характеристики слоев нитрида кремния в зависимости от технологических режимов их получения.

Доп.точки доступа:
Данилов, А. А.; Жуков, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	50499
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)