Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=наноразмерные переходные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С. 39-47. - Библиогр.: c. 47 (19 назв. ) . - ISSN 2225-0999
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- варизонные слои -- диэлектрики-полупроводники -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноразмерные переходные слои -- плотность поверхностных состояний -- проводимость структур -- электрофизические свойства МДП-структур
Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Кульчицкий, Н. А.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 6647
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)