Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=молекулярно-лучевая эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-23

Зенкевич, А. В.
Формирование поликристаллической фазы FeSi со структурой CsCl в соосажденных тонкопленочных слоях Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6) [Текст] / А. В. Зенкевич, Д. Э. Лауэр, В. П. Филиппов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 9. - С. 1313-1315. - Библиогр.: c. 1315 (13 назв. )

УДК

^a539.234

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
железо -- импульсное лазерное осаждение -- конверсионная электронная мёссбауэровская спектроскопия -- мёссбауэровская спектроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- резерфордовское обратное рассеяние -- силициды железа -- система Fe-Si
Аннотация: Исследовались особенности фазообразования в системе Fe-Si в области концентраций Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6).

Доп.точки доступа:
Лауэр, Д. Э.; Филиппов, В. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге [Текст] / А. В. Васев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 5-13. . - Библиогр.: с. 13 (34 назв. )

УДК

^a544.72

^a537.533/.534

^a539.2

ББК 24.58 + 22.338 + 22.37
Рубрики: Физика
   Химия
   Физическая химия поверхностных явлений
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- вакуумный отжиг -- выглаживание поверхностей GaAs (001) -- дифракция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфологические изменения поверхностей -- физика конденсированного состояния -- эпитаксия
Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs (001) в процессе роста молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs (001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при росте МЛЭ в условиях существования реконструкции (2х4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs (001) отжигом в потоке мышьяка.

Доп.точки доступа:
Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Селезнев, В. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Бембель, А. Г.
Молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов конденсационного роста островковых пленок [Текст] / А. Г. Бембель, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1182-1184 : Рис. - Библиогр.: c. 1184 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a532.6:546.22

ББК 22.253
Рубрики: Механика
Гидромеханика и аэромеханика
Кл.слова (ненормированные):
конденсационный рост -- континуальные подложки -- Леннард-Джонса потенциал -- механизм Фольмера-Вебера -- молекулярно-динамическое моделирование -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островковые пленки -- потенциал Леннард-Джонса -- Фольмера-Вебера механизм -- эпитаксильный рост
Аннотация: На основе метода молекулярной динамики исследованы закономерности и механизмы эпитаксильного роста субмикронных островковых пленок, т. е. пленок диаметром порядка 0. 01 мкм.

Доп.точки доступа:
Самсонов, В. М.; Пушкарь, М. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Арапкина, Л. В.
Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 289-302 : 11 рис. - Библиогр.: с. 302 (54 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.35.43	29.05.15
УДК	^a530.145	^a537.533/.534

ББК 22.315 + 22.338
Рубрики: Физика
Квантовая теория поля
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
hut-кластеры -- сканирующая туннельная микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- кластеры
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si (001) при низких температурах в процессе сверхвакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии.

Доп.точки доступа:
Юрьев, В. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Сагдаткиреева, М. Б.
Характер наклонной анизотропии в напыленных в вакууме квантовых ямах [Текст] / М. Б. Сагдаткиреева, В. В. Румянцева // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1143-1146. . - Библиогр.: c. 1146 (12 назв. )

УДК

^a538.221

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
доменные границы -- доменные структуры -- квантовые точки -- квантовые ямы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наклонная анизотропия -- ось легкого намагничивания -- ферромагнитные пленки
Аннотация: Рассмотрен характер формирования наклонной анизотропии в напыленных в вакууме ферромагнитных пленках толщиной квантовых ям. На основе результатов, полученных численными методами, выполнено сравнение теоретических результатов с экспериментом.

Доп.точки доступа:
Румянцева, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Формирование слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1494-1496. . - Библиогр.: c. 1496 (12 назв. )

УДК

^a537.632

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
Керра меридиональный магнитооптический эффект -- Кюри температура -- лазерное распыление -- меридиональный магнитооптический эффект Керра -- металлический марганец -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полуметаллические соединения -- рентгеновская дифракция -- температура Кюри -- феррамагнетики -- Холла эффект -- эффект Холла
Аннотация: Показано, что методика импульсного лазерного распыления металлического марганца в потоке гидридов (арсина или фосфина) позволяет формировать слои полуметаллических соединений типа MnB{5} на подложках GaAs (100).

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Сапожников, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )

УДК

^a621

ББК 34.7
Рубрики: Машиностроение
Отраслевое машиностроение
Кл.слова (ненормированные):
GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы
Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле.

Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. . - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. )

УДК

^a621.3.01

^a535.2/.3

ББК 31.21 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Теоретические основы электротехники
   Физическая оптика
   Физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства
Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур.

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9. . - Библиогр.: c. 9 (14 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьерные области -- варизонные слои -- диэлектрики -- МДП-структуры -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- неоднородность структур -- полупроводники -- резкие неоднородности структур -- теллурид кадмия ртути
Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

10.

Айкл, Д.
RF Micro Devices: от высоконадежных свч-компонентов до услуг фаундри [Текст] : рассказывают Д. Айкл, директор по развитию авиакосмического направления RFMD, Р. Стори, региональный менеджер по продажам в Восточной Европе и Великобритании и Г. Кон, руководитель направления "ВЧ и оптические компоненты" компании "Макро Групп" / беседу вел О. Овсиенко // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2012. - № 4. - С. 14-19 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
интервью -- компании -- беспроводные телекоммуникации -- проводные телекоммуникации -- фаундри-услуги -- эпитаксиальные структуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- ВЧ-компоненты -- СВЧ-микросхемы -- интегральные микросхемы
Аннотация: Компания RF Micro Devices производит широчайшую гамму компонентов, предназначенных для практически любых задач проводных и беспроводных телекоммуникаций.

Доп.точки доступа:
Стори, Р.; Кон, Г.; Овсиенко, О. \.\; RF Micro Devices, компания

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

11.

Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / А. Д. Павлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1115-1117. - Библиогр.: c. 1117 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.533.35

^a539.216.2

ББК 22.338 + 22.37
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КНС-структуры -- кремний на сапфире -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- просвечивающая электронная микроскопия -- тонкие пленки кремния -- эффекты самоорганизации
Аннотация: В работе методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследованы начальные стадии молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на сапфире (КНС). Усовершенствована методика подготовки КНС образцов для целей ПЭМ. Показано, что кремний может формироваться в виде трехмерных островков на сплошном слое кремния на сапфире.

Доп.точки доступа:
Павлов, А. Д.; Шиляев, П. А.; Коротков, Е. В.; Кривулин, Н. О.; Бобров, А. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

12.

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

13.

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

ББК 31.264-04
Рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

14.

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.

Доп.точки доступа:
Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

15.

Диффузия и деформации в гетеросистемах со сверхрешетками GaN/AlN по данным EXAFS спектроскопии [Текст] / С. Б. Эренбург [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1312-1316. - Библиогр.: c. 1316 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a544.171.6

^a537.61

ББК 24.51 + 22.37
Рубрики: Химия
   Химическая связь и строение молекул
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
EXAFS-спектроскопия -- GaN/AlN-сверхрешетки -- аммиачная МЛЭ -- квантовые ямы -- малоугловое рассеяние -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- электронная микроскопия высокого разрешения
Аннотация: Методом аммиачной МЛЭ синтезированы многослойные образцы с предельно узкими квантовыми ямами GaN в матрице AlN. С использованием метода EXAFS-спектроскопии, электронной микроскопии высокого разрешения, малоуглового рассеяния определены параметры микроструктуры, установлена их связь с морфологией GaN/AlN-сверхрешеток. Обнаружено влияние условий роста и толщины сверхрешеток на перемешивание в приграничных слоях и оптические свойства.

Доп.точки доступа:
Эренбург, С. Б.; Трубина, С. В.; Журавлев, К. С.; Малин, Т. В.; Печ, Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

16.

Синтез и исследование структуры массивов наноструктур арсенида галлия [Текст] / Р. Г. Валеев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 9. - С. 1323-1326. - Библиогр.: c. 1326 (20 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a546.22/.24

^a538.9

ББК 24.1 + 22.3
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
EXAFS-спектроскопия -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноструктуры GaAs -- оксид алюминия -- термическое напыление
Аннотация: В работе представлен новый подход к синтезу упорядоченных массивов наноструктур GaAs методом термического напыления на матрицы пористого оксида алюминия с упорядоченным расположением каналов. Изучены геометрические характеристики наноструктур, их структурное состояние и локальная атомная структура. Параметры локальной атомной структуры, такие как межатомные расстояния, координационные числа, получены в сравнении с результатами исследований сплошной пленки GaAs.

Доп.точки доступа:
Валеев, Р. Г.; Кобзиев, В. Ф.; Кривенцов, В. В.; Мезенцев, Н. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

17.

Алексеев, А.
Разработка отечественного высокотехнологичного оборудования – важный шаг на пути к полноценному импортозамещению ЭКБ [Текст] / А. Алексеев // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2015. - № 4. - С. 70-71 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
ЭКБ -- высокотехнологичное оборудование -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- научно-технические общества -- сверхвысоковакуумное оборудование -- электронная компонентная база
Аннотация: Рассматриваются решения проблем и задач, стоящих перед ЗАО "НТО" – единственным российским предприятием, разрабатывающим и производящим комплекс сверхвысоковакуумного оборудования мирового уровня.

Доп.точки доступа:
НТО, ЗАО

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1)
Свободны: эн.ф. (1)

Найти похожие

18.

Варавин, В. С.
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x=0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013) [Текст] / В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 4. - С. 625-629 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
выращивание пленок -- методы выращивания пленок -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки -- подложки -- свойства пленок -- электрофизические свойства -- эпитаксия
Аннотация: Исследованы электрофизические свойства нелегированных и легированных индием в процессе роста пленок Cd[x]Hg[1-x]Te.

Доп.точки доступа:
Марин, Д. В.; Якушев, М. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

19.

Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / О. А. Агеев [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 1011-1018 : 12 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
As -- GaAs -- кристаллография в целом -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- поверхность GaAs -- эпитаксия
Аннотация: Проведен термодинамический анализ и определены теоретические закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе Ga-As-O с учетом нелинейных теплофизических свойств соединений, состава оксидных пленок и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs.

Доп.точки доступа:
Агеев, О. А.; Балакирев, С. В.; Солодовник, М. С.; Еременко, М. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

20.

Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С. 39-47. - Библиогр.: c. 47 (19 назв. ) . - ISSN 2225-0999

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- варизонные слои -- диэлектрики-полупроводники -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноразмерные переходные слои -- плотность поверхностных состояний -- проводимость структур -- электрофизические свойства МДП-структур
Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Кульчицкий, Н. А.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

1-20 21-23

Тематический навигатор

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	27680
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)