Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Статьи" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=модели рассеяния электронов<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Караваев, Г. Ф.
    Модели рассеяния электронов на гетерогранице GaAs/AIAs (001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 34-43. - Библиогр.: c. 43 (25 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
гетерограница GaAs/AIAs (001) -- метод псевдопотенциала -- модели рассеяния электронов -- модель плавной границы (физика) -- модель резкой границы (физика)
Аннотация: Рассмотрены упрощенные модели для описания рассеяния электронов зоны проводимости на гетерогранице GaAs/AIAs (001). Модели соответствуют двум приближениям - резкому и ''плавному'' изменению потенциала вблизи гетерограницы. Они построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Первая модель, использующая приближение резкой границы, подобна рассмотренной ранее трехдолинной модели Андо на основе расчетов методом сильной связи. Вторая модель использует описание потенциала в окрестности гетерограницы с помощью фрагмента сверхрешетки, составляющего половину ее периода. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов. Отмечено, что отличие модели плавной границы от модели резкой границы становится существенным в случае гетероструктур с тонкими слоями и в случае состояний с заметной локализацией электронной плотности вблизи гетерограниц.


Доп.точки доступа:
Гриняев, С. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)

Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 24827
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)